一种三相交流电机正反转控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种三相交流电机正反转控制电路，包括正转输入端、反转输入端、公共地端、输出端、输入控制电路和输出驱动电路，所述输入控制电路主要包括并联连接的稳压充电电路、光耦驱动电路和输入过压保护电路，所述输出控制电路主要包括并联连接的可控硅驱动电路、RC电路和输出过压保护电路。本实用新型专利技术可有效克服机械式触点切换的电磁干扰和寿命短的缺陷，增加过压保护电路，整体上提升了产品的应用可靠性，并简化了控制电路和降低了成本，易于在小体积内实现产品的功能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及三相交流电机控制
，特别涉及一种三相交流电机正反转控制电路。
技术介绍
目前，控制三相交流电机正反转控制低成本的方式是采用机械式继电器或接触器触点切换实现，结构简单，成本低廉，但缺点是正反转切换过程中会出现拉弧，烧蚀触点，寿命短，并易造成相间短路失效和电磁干扰大等缺陷。另外一种常见的控制电路是采用半导体可控硅作为功率输出元件，通过一些逻辑控制电路，输入端带延时、互锁并实现三相电机正反转功能。但缺点是成本较高，控制电路复杂，输入输出保护不足时易出现相间短路失效。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺陷，本技术提供一种三相交流电机正反转控制电路，具体的技术方案如下:一种三相交流电机正反转控制电路，包括正转输入端F+、反转输入端R+、公共地端GND、输出端、输入控制电路和输出驱动电路，所述输入控制电路主要包括并联连接的稳压充电电路、光耦驱动电路和输入过压保护电路，所述输出控制电路主要包括并联连接的可控硅驱动电路、RC电路和输出过压保护电路。进一步的，所述稳压充电电路由发光二极管D3和稳压二极管D4串联组成，所述发光二极管D3的正极与所述输入过压保护电路相连，所述发光二极管D3的公共负极与所述稳压二极管D4的阴极相连，所述稳压二极管D4的阳极与所述公共地端GND相连。进一步的，所述的光耦驱动电路包括三端稳压器(IC1、IC2)和电容(C1、C2)，所述三端稳压器(IC1、IC2)的R端连接所述电容(C1、C2)的正极，K端与所述可控硅驱动电路相连，A端与公共地端GND连接。进一步的，所述的光耦驱动电路包括第一光耦驱动电路和第二光耦驱动电路，所述第一光耦驱动电路包括三端稳压器ICl、电容Cl、电容C3、电阻R5、电阻R6、二极管D2和三极管Ql组成，所述电容Cl的正极还通过所述电阻R5后与所述稳压充电电路相连，负极与所述公共地端GND相连，所述三极管Ql的集电极与所述电容Cl的正极连接，基极与所述电阻R6和所述二极管D2连接后连接到所述反转输入端R+，所述电容C3 —端与所述三极管Ql的基极相连，另一端与所述三极管Ql的发射极相连后连接到所述公共地端GND ;所述第二光耦驱动电路包括三端稳压器IC2、电容C2、电容C4、电阻R7、电阻R8、二极管Dl和三极管Q2组成，所述电容C2的正极还通过所述电阻R7后与所述稳压充电电路相连，负极与所述公共地端GND相连，所述三极管Q2的集电极与所述电容C2的正极连接，基极与所述电阻R8和所述二极管Dl连接后连接到所述正转输入端F+，所述电容C4 一端与所述三极管Q2的基极相连，另一端与所述三极管Q2的发射极相连后连接到所述公共地端GND。进一步的，所述的可控硅驱动电路包括光耦(P1、P2、P3、P4)、电阻(R9、R10、R11、R12)和电阻(R17、R18、R19、R20)，所述光耦(PU P2、P3、P4)内部均包括发光二极管和光敏可控硅，所述光耦(P1、P2、P3、P4)内部输入侧连接发光二极管，其中，所述光耦(P1、P3)内部输入侧连接的发光二极管的正极与所述输入过压保护电路连接，所述光耦(P1、P3)内部输入侧连接的发光二极管的负极与所述光耦(P2、P4)内部输入侧连接的发光二极管的正极相串连，所述光耦(P2、P4)内部输入侧连接的发光二极管的负极与所述三端稳压器(IC1、IC2)的K端连接，所述光耦(P1、P2、P3、P4)内部输出侧连接光敏可控硅，其中，所述光敏可控硅与电阻(R9、R10、R11、R12)和电阻(R17、R18、R19、R20)串联后与所述RC电路并接，当所述光耦(Pl、P2、P3、P4)内部输入侧发光二极管的电流达到触发阈值时，所述光耦(P1、P2、P3、P4)输出侧光敏可控硅导通，触发输出连接的可控硅导通。进一步的，所述输入过压保护电路包括稳压二极管(D5、D6)及电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，所述稳压二极管(D5、D6)连接在所述光耦(Pl、P3)的正极与所述公共地端GND之间，所述稳压二极管D5的阴极通过电阻R3、电阻Rl与所述稳压充电电路相连，所述稳压二极管D6的阴极通过电阻R4、电阻R2与所述稳压充电电路相连。进一步的，所述三极管Ql的基极经过电阻R6和电阻R2后与所述稳压充电电路连接，所述三极管Ql的基极经过电阻R6和电阻R4后与所述稳压二极管D6连接，同时，所述三极管Ql的基极经过电阻R6和二极管D2与所述反转输入端R+相连；而所述三极管Q2的基极经过电阻R8和电阻Rl后与所述稳压充电电路连接，同时，所述三极管Q2的基极经过电阻R8和二极管Dl与所述正转输入端F+相连。进一步的，所述输出端包括输出端L1、输出端L2、输出端L3、输出端U、输出端V和输出端W，所述可控硅驱动电路还包括输出器件可控硅(Tl、T2、T3、T4)。进一步的，所述的RC电路包括由电阻R13和电容C5组成的第一 RC电路、由电阻R14和电容C6组成第二 RC电路、由电阻R15和电容C7组成第三RC电路以及由电阻R16和电容C8组成第四RC电路，其中，所述第一 RC电路一端与输出端LI连接，另一端与输出端U连接，所述第二 RC电路一端与输出端L2连接，另一端与输出端V连接，所述第三RC电路一端与输出端LI连接，另一端与输出端V连接，所述第一 RC电路一端与输出端L2连接，另一端与输出端U连接，上述RC电路同时并联在所述输出器件可控硅(Tl、T2、T3、T4)的两端。进一步的，所述的输出过压保护电路包括过压保护器件(TV1、TV2、TV3、TV4)，并联在所述输出器件可控硅的两端，其中，所述过压保护器件TVl —端与输出端LI连接，另一端与输出端U连接，所述过压保护器件TV2 —端与输出端L2连接，另一端与输出端V连接，所述过压保护器件TV3 —端与输出端LI连接，另一端与输出端V连接，所述过压保护器件TV4一端与输出端L2连接，另一端与输出端U连接。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果:本技术的目的在于提供一种三相交流电机正反转控制电路，通过极少量的电子元件实现三相交流电机正反转功能，输入控制部分包含过压保护、延时、互锁抗干扰电路，输出部分过压保护，RC回路保护电路。可有效克服机械式触点切换的电磁干扰和寿命短的缺陷，增加过压保护电路，整体上提升了产品的应用可靠性，并简化了控制电路和降低了成本，易于在小体积内实现产品的功能。【附图说明】图1是按照本技术的一种三相交流电机正反转控制电路的一个实施例的电路图；图2是三端稳压器IC1/IC2的内部逻辑图。【具体实施方式】以下将结合本技术的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述和讨论，显然，这里所描述的仅仅是本技术的一部分实例，并不是全部的实例，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三相交流电机正反转控制电路，其特征在于，包括正转输入端F+、反转输入端R+、公共地端GND、输出端、输入控制电路和输出驱动电路，所述输入控制电路主要包括并联连接的稳压充电电路、光耦驱动电路和输入过压保护电路，所述输出控制电路主要包括并联连接的可控硅驱动电路、RC电路和输出过压保护电路；所述稳压充电电路由发光二极管D3和稳压二极管D4串联组成，所述发光二极管D3的正极与所述输入过压保护电路相连，所述发光二极管D3的公共负极与所述稳压二极管D4的阴极相连，所述稳压二极管D4的阳极与所述公共地端GND相连；所述的光耦驱动电路包括三端稳压器IC1、IC2和电容C1、C2，所述三端稳压器IC1、IC2的R端连接所述电容C1、C2的正极，K端与所述可控硅驱动电路相连，A端与公共地端GND连接；所述的可控硅驱动电路包括光耦P1、P2、P3、P4、电阻R9、R10、R11、R12和电阻R17、R18、R19、R20，所述光耦P1、P2、P3、P4内部均包括发光二极管和光敏可控硅，所述光耦P1、P2、P3、P4内部输入侧连接发光二极管，其中，所述光耦P1、P3内部输入侧连接的发光二极管的正极与所述输入过压保护电路连接，所述光耦P1、P3内部输入侧连接的发光二极管的负极与所述光耦P2、P4内部输入侧连接的发光二极管的正极相串连，所述光耦P2、P4内部输入侧连接的发光二极管的负极与所述三端稳压器IC1、IC2的K端连接，所述光耦P1、P2、P3、P4内部输出侧连接光敏可控硅，其中，所述光敏可控硅与电阻R9、R10、R11、R12和电阻R17、R18、R19、R20串联后与所述RC电路并接，当所述光耦P1、P2、P3、P4内部输入侧发光二极管的电流达到触发阈值时，所述光耦P1、P2、P3、P4输出侧光敏可控硅导通，触发输出连接的可控硅导通；所述输入过压保护电路包括稳压二极管D5、D6及电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，所述稳压二极管D5、D6连接在所述光耦P1、P3的正极与所述公共地端GND之间，所述稳压二极管D5的阴极通过电阻R3、电阻R1与所述稳压充电电路相连，所述稳压二极管D6的阴极通过电阻R4、电阻R2 与所述稳压充电电路相连；所述输出端包括输出端L1、输出端L2、输出端L3、输出端U、输出端V和输出端W，所述可控硅驱动电路还包括输出器件可控硅T1、T2、T3、T4；所述的RC电路包括由电阻R13和电容C5组成的第一RC电路、由电阻R14和电容C6组成第二RC电路、由电阻R15和电容C7组成第三RC电路以及由电阻R16和电容C8组成第四RC电路，其中，所述第一RC电路一端与输出端L1连接，另一端与输出端U连接；所述第二RC电路一端与输出端L2连接，另一端与输出端V连接；所述第三RC电路一端与输出端L1连接，另一端与输出端V连接；所述第一RC电路一端与输出端L2连接，另一端与输出端U连接；上述RC电路同时并联在所述输出器件可控硅T1、T2、T3、T4的两端；所述的输出过压保护电路包括过压保护器件TV1、TV2、TV3、TV4，并联在所述输出器件可控硅的两端，其中，所述过压保护器件TV1一端与输出端L1连接，另一端与输出端U连接，所述过压保护器件TV2一端与输出端L2连接，另一端与输出端V连接，所述过压保护器件TV3一端与输出端L1连接，另一端与输出端V连接，所述过压保护器件TV4一端与输出端L2连接，另一端与输出端U连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：殷雄，
申请(专利权)人：库顿电子科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31