本发明专利技术公开了一种发光装置及波长转换层的制作方法。发光装置包含支架，发光二极体，以及材料层。发光二极体是设置于该支架上，且与该支架电性连接，该发光二极体的发光尖峰波长系介于250nm至470nm之间。该材料层是覆盖该发光二极体，其中该材料层包含聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物。通过这种方式，本发明专利技术的发光装置可避免因长期受紫外线照射所产生的黄化现象，并可使用较大功率的发光二极体芯片。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光装置，特别是涉及一种以聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物作为 封装材料的发光装置。
技术介绍
由于发光二极体（lightemittingdevice,LED)具有寿命长、体积小及耗电量低 等优点，发光二极体已被广泛地应用于各种照明装置及显示装置中。在先前技术中，发光二 极体的封装结构通常系利用环氧树脂（印oxy)或硅胶（silicone)覆盖于发光二极体上，再 进行固化。然而，环氧树脂无法对抗紫外线，而硅胶对紫外线虽有较好的耐受性，但当硅胶 长期被紫外线照射时，仍会产生黄化现象，进而影响发光二极体的出光效率及光色。再者， 环氧树脂及硅胶无法承受过高温度，因此环氧树脂及硅胶无法用于封装较大功率的发光二 极体。
技术实现思路
本专利技术提供一种以聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物作为封装材料的发光装置和一 种波长转换层的制作方法，以解决先前技术的问题。 根据本专利技术一实施例，本专利技术发光装置包含支架；发光二极体，设置于该支架上， 且与该支架电性连接，该发光二极体的发光尖峰波长系介于250nm至470nm之间；以及材料 层，覆盖该发光二极体，其中该材料层包含聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物。 根据本专利技术一实施例，本专利技术发光装置包含支架；紫外光发光二极体，设置于该支 架上，且与该支架电性连接；以及材料层，覆盖该发光二极体，其中该材料层包含聚偏氟乙 烯-六氟丙烯共聚物。 根据本专利技术一实施例，本专利技术发光装置包含支架；发光二极体，设置于该支架上， 且与该支架电性连接；材料层，覆盖该发光二极体，其中该材料层包含聚偏氟乙烯-六氟丙 烯共聚物；以及荧光体，设置于该发光二极体上，用以转换该发光二极体发出光线的波长。 本专利技术波长转换层的制作方法是适用于发光装置，该制作方法包含将含有聚偏氟 乙烯-六氟丙烯共聚物的材料溶解于有机溶剂中以形成溶液；将该溶液涂布于基板上；进 行烘烤工艺，使涂布在该基板上的该溶液形成材料层；以及在该材料层上形成荧光体层。 本专利技术的有益效果是：区别于现有技术，本专利技术发光装置利用聚偏氟乙烯-六氟 丙烯共聚物形成材料层以封装发光二极体，而聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物具有耐紫外线 及耐高温的特性，因此本专利技术发光装置可避免因长期受紫外线照射所产生的黄化现象，并 可使用较大功率的发光二极体芯片。【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于 本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他 的附图。其中： 图1是本专利技术发光装置的第一实施例的示意图； 图2是本专利技术发光装置的第二实施例的示意图； 图3是本专利技术发光装置的第三实施例的示意图； 图4是本专利技术发光装置的第四实施例的示意图；图5是本专利技术发光装置的第五实施例的示意图； 图6是本专利技术发光装置的第六实施例的示意图； 图7是本专利技术发光装置的第七实施例的示意图； 图8是本专利技术发光装置的第八实施例的示意图； 图9是本专利技术发光装置的第九实施例的示意图； 图10是本专利技术发光装置的第十实施例的示意图； 图11是本专利技术发光装置的第十一实施例的示意图； 图12是本专利技术波长转换层的制作方法的示意图。【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本 专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本专利技术保护的范围。 请参见考图1，图1为本专利技术发光装置的第一实施例的示意图。如图1所示，本发 明发光装置100包含支架110,发光二极体120,以及材料层130。支架110具有凹槽112。 发光二极体120设置于凹槽112中，且与支架110电性连接。材料层130系填充于支架 110的凹槽112中并覆盖发光二极体120。材料层130包含聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物 ，其化学式表不如下【主权项】1. 一种发光装置，其特征在于，该发光装置包含： 支架； 发光二极体，设置于该支架上，且与该支架电性连接，该发光二极体的发光尖峰波长介 于250nm至470nm之间； 材料层，覆盖该发光二极体，其中该材料层包含聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物。2. 根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物的化 学式为：其分子量介于390000g/mole到460000g/mole之间，X和y为正整数。3. 根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该支架具有凹槽，且该发光二极体设 置于该凹槽中，该材料层填充于该凹槽中。4. 根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该材料层包含薄膜。5. 根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该发光装置还包含荧光体层，设置于 该材料层上。6. 根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该发光装置还包含荧光体，分散于该 材料层中。7. 根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，该聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物的分 子量为 400000g/mole或 455000g/mole。8. -种发光装置，其特征在于，该发光装置包含： 支架； 紫外光发光二极体，设置于该支架上，且与该支架电性连接； 材料层，覆盖该发光二极体，其中该材料层包含聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物。9. 根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物的化 学式为其分子量介于390000g/mole到460000g/mole之间，X和y为正整数。10. 根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该支架具有凹槽，且该紫外光发光 二极体设置于该凹槽中，该材料层填充于该凹槽中。11. 根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该材料层包含薄膜。12. 根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该发光装置还包含荧光体层，设置 于该材料层上。13. 根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该发光装置还包含荧光体，分散于 该材料层中。14. 根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该紫外光发光二极体的波长峰值是 365nm、385nm或 405nm。15. 根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，该聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物的 分子量为 400000g/mole或 455000g/mole。16. -种发光装置，其特征在于，该发光装置包含： 支架； 发光二极体，设置于该支架上，且与该支架电性连接； 材料层，覆盖该发光二极体，其中该材料层包含聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物； 荧光体，设置于该发光二极体上，用以转换该发光二极体发出光线的波长。17. 根据权利要求16所述的发光装置，其特征在于，该聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物的 化学式为：其分子量介于390000g/mole到460000g/mole之间，X和y为正整数。18. 根据权利要求16所述的发光装置，其特征在于，该支架具有凹槽，且该发光二极体 设置于该凹槽中。19. 根据权利要求16所述的发光装置，其特征在于，该材料层包含薄膜。20. 根据权利要求17所述的发光装置，其特征在于，该聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，该发光装置包含：支架；发光二极体，设置于该支架上，且与该支架电性连接，该发光二极体的发光尖峰波长介于250nm至470nm之间；材料层，覆盖该发光二极体，其中该材料层包含聚偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄冠杰，李一凡，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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