【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
用不导磁体覆盖凹陷变形处的充磁方向转角，其特征是：在一个水平方向充磁磁块内部，对其充磁方向进行转角，旋转角度在50—80度之间；同时对磁块的一个侧面进行凹陷变形；最后用不导磁体对凹陷变形出进行覆盖。
【技术特征摘要】
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