一种顶发射OLED器件及其制作方法、显示设备技术

本发明专利技术公开了一种顶发射OLED器件，包括：基板；设置在基板上的第一电极；设置在第一电极上的有机层；和设置在有机层上的第二电极，有机层发出的光经由第二电极从OLED器件射出；其中，所述第一电极具有凹向所述基板的曲面结构。本发明专利技术的顶发射OLED器件，能够减轻顶发射OLED的观测角度依赖性问题，防止器件出光颜色的偏离和可视角度变窄、侧向漏光等现象。

【技术实现步骤摘要】
—种顶发射OLED器件及其制作方法、显示设备
本专利技术涉及一种显示设备中的发光器件，尤其涉及一种顶发射OLED器件及其制作方法、以及包括有机电致发光器件的显示设备。
技术介绍
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Device,以下简称:0LED)具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点，已广泛应用于显示设备中。 OLED按照出光方向可以分为三种，即:底发射0LED、顶发射OLED与双面发射OLED0在底发射OLED中光从基板方向射出，在顶发射OLED中光从器件顶部方向射出，在双面发射OLED中光同时从基板和器件顶部射出。其中，顶发射OLED不受基板是否透光的影响，可有效提高显示面板的开口率，并能够窄化光谱和提高色纯度。 虽然顶发射OLED具有较高的器件效率，但是其往往具有较强的微腔效应。微腔效应会使OLED的发光光谱随观测角度变化而改变，导致OLED出现观测角度依赖性问题，并造成器件出光颜色的偏离和可视角度变窄。 通常的顶发射OLED器件一般包括玻璃基板、TFT(薄膜晶体管)、平坦层、底电极(阳极)、像素界定层、有机层和顶电极(阴极)。底电极、有机层和顶电极分别为平面结构。从有机层发出的光线经阳极(底电极)反射后由阴极(顶电极)侧射出。 在传统的顶发射OLED器件中，从有机层中的不同位置的点发出的光到达同一观察点所经过的光线路径不同，产生光程差，因此导致从同一观察点看到的来自不同发光点的光谱不同，强度也不一样，即OLED器件的光谱和效率具有明显的角度依赖性。在一种顶发射OLED中，在顶电极(一般为阴极)上方增加一层光学调制层，以调节出光性能，该光学调制层在一定程度上降低了 OLED因微腔效应引起的观测角度依赖性，但调制层材料本身会吸收一部分光线而减少出光。 在另一种顶发射OLED中，通过减小阳极的反射率减弱微腔效应，例如使用布拉格(DBR)多层结构作为反射阳极。但是由于DBR结构一般是由多层不同折射率的薄膜交替层叠组成，其对膜厚的控制有较严格的要求，工艺比较复杂。同时微腔具有增强器件的正面外出光效率的优点，微腔效应的降低也将伴随着削弱其这方面的应用优势。 另一方面，采用顶发射OLED的显示屏通常还包括彩膜基板，彩膜基板与上述OLED对盒形成的盒厚较大，并且，从OLED的像素边缘射向彩膜基板的光的出射角度较大，有可能造成从OLED的一个像素区域发出的光射向相邻像素区域的彩膜，造成侧向漏光现象，并导致显示异常。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种顶发射OLED器件及其制造方法、以及包括顶发射OLED器件的显示设备，其能够提高显示设备的显示性能。 本专利技术第一方面的实施例提供一种顶发射OLED器件，包括:基板；设置在基板上的第一电极；设置在第一电极上的有机层；和设置在有机层上的第二电极，有机层发出的光经由第二电极从OLED器件射出；其中，所述第一电极包括凹向所述基板的曲面结构，所述有机层和所述第二电极包括形成在第一电极的曲面结构上的相应的曲面结构。 本专利技术实施例提供的顶发射OLED器件，不仅能够保持微腔效应，而且能够减轻顶发射OLED器件的观察角度依赖性，从而防止OLED器件出光颜色的偏离和可视角度变窄，并且，本专利技术的OLED器件能够防止包含该OLED器件的显示设备的侧向漏光现象。 根据本专利技术的一个实施例，所述第一电极还包括围绕所述曲面结构的平坦的边缘部分。 根据本专利技术的一个实施例，所述第一电极的曲面结构包括平坦底部和从平坦底部延伸的倾斜侧壁。 根据本专利技术的一个实施例，所述的OLED器件还包括: 设置在基板和第一电极之间的平坦化层，所述第一电极的曲面结构凹入所述平坦化层中。 根据本专利技术的一个实施例，所述的OLED器件，还包括:设置在基板和平坦化层之间的薄膜晶体管，其中，第一电极的边缘部分通过形成在平坦化层中的过孔与薄膜晶体管电连接。 根据本专利技术的一个实施例，所述的OLED器件，还包括: 在基板和第一电极之间从基板侧依次设置的平坦化层和辅助层，所述第一电极的曲面结构凹入所述辅助层中。 根据本专利技术的一个实施例，所述的OLED器件，还包括:设置在基板和平坦化层之间的薄膜晶体管，其中，第一电极的边缘部分通过形成在辅助层和平坦化层中的过孔与薄膜晶体管电连接。 根据本专利技术的一个实施例，所述的OLED器件，还包括:设置在第一电极和第二电极之间并围绕有机层的像素界定层。 根据本专利技术另一方面的实施例，提供一种显示设备，包括上述的顶发射OLED器件。 根据本专利技术另一方面的一个实施例，提供一种制造顶发射OLED器件的方法，包括以下步骤: 提供基板； 在基板上形成平坦化层； 在平坦化层中形成凹陷的曲面部分； 在包括曲面部分的平坦化层上沉积第一电极，使得所述第一电极包括覆盖在曲面部分上的曲面结构和从曲面部分延伸的平坦的边缘部分。 使得有机层包括与第一电极的曲面结构一致的曲面结构； 在形成有有机层的像素界定层上沉积第二电极，使得所述第二电极包括与有机层的曲面结构一致的曲面结构。 根据本专利技术另一方面的一个实施例，提供另一种制造顶发射OLED器件的方法，包括以下步骤: 提供基板； [0031 ] 在基板上形成平坦化层； 在平坦化层上形成辅助层； 在辅助层中形成凹陷的曲面部分； 在包括曲面部分的辅助层上沉积第一电极，使得所述第一电极包括覆盖在曲面部分上的曲面结构和从曲面部分延伸的平坦的边缘部分。 为了使本专利技术的目的、特征及优点能更加明显易懂，下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明。 【附图说明】 图1A是根据本专利技术的一个实施例的顶发射OLED器件的局部剖视图； 图1B是图1A所示的OLED器件中不同点发出的光线到达观察点所经过的路径的原理示意图；以及 图2示出了制造图1A所示的OLED器件的方法的各个步骤的示意图。 【具体实施方式】 在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下，公知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。另外，说明书中所采用的表述“……设置在……上”可以是一部件设置在另一部件的直接上方，也可能是一部件设置在另一部件的上方，并且在两个部件之间存在中间层。 图1A是根据本专利技术的一个实施例的顶发射OLED器件的局部剖视图；图1B是图1A所示的OLED器件中不同点发出的光线到达观察点所经过的路径的原理示意图。 如图1A所示的顶发射OLED器件的基本结构包括:基板I ;设置在基板I上的例如用做阳极的第一电极5 ;设置在第一电极5上的有机层7,其由具有不同功能的亚有机层构成，图中仅以三层示例；和设置在有机层7上的例如用做阴极的第二电极8，有机层7发出的光经由第二电极8射出。所述第一电极5包括凹向所述基板I的曲面结构51，所述有机层7和所述第二电极8包括形成在第一电极5的曲面结构51上的相应的曲面结构。 所述的第一电极5为反射电极，通常为阳极，其材质为金、银、铝中的一种、或是它们的合金。第二电极为半透明半反射的电极，通常为阴极，其材质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种顶发射OLED器件，包括：基板；设置在基板上的第一电极；设置在第一电极上的有机层；和设置在有机层上的第二电极，有机层发出的光经由第二电极从OLED器件射出；其中，所述第一电极包括凹向所述基板的曲面结构，所述有机层和所述第二电极包括形成在第一电极的曲面结构上的相应的曲面结构。

【技术特征摘要】
1.一种顶发射OLED器件,包括: 基板； 设置在基板上的第一电极； 设置在第一电极上的有机层；和 设置在有机层上的第二电极，有机层发出的光经由第二电极从OLED器件射出； 其中，所述第一电极包括凹向所述基板的曲面结构，所述有机层和所述第二电极包括形成在第一电极的曲面结构上的相应的曲面结构。2.根据权利要求1所述的OLED器件，其中，所述第一电极还包括围绕所述曲面结构的平坦的边缘部分。3.根据权利要求1或2所述的OLED器件，其中，所述第一电极的曲面结构包括平坦底部和从平坦底部延伸的倾斜侧壁。4.根据权利要求2或3所述的OLED器件，还包括: 设置在基板和第一电极之间的平坦化层，所述第一电极的曲面结构凹入所述平坦化层中。5.根据权利要求4所述的OLED器件，还包括:设置在基板和平坦化层之间的薄膜晶体管，其中，第一电极的边缘部分通过形成在平坦化层中的过孔与薄膜晶体管电连接。6.根据权利要求2或3所述的OLED器件，还包括: 在基板和第一电极之间从基板侧依次设置的平坦化层和辅助层，所述第一电极的曲面结构凹入所述辅助层中。7.根据权利要求6所述的OLED器件，还包括:设置在基板和平坦化层之间的薄膜晶体管，其中，第一电极的边缘部分通过形成在辅助层和平坦化层中的过孔与薄膜晶体管电连接。8.根据权利要求1-7中的任一项所述的OLED器件，还包括:设置在第一电极和第二电极之间并围绕有机层的像素界定层。9.一种显示设备，包括如权利要求1所述的顶发射OLED器件。10.一种制造顶发射OLED器件的方法，包括以下步骤: 提供基板； 在基板上形成平坦化层； 在平坦化层中形成凹陷的曲面部分； 在包括曲面部分的平坦化层上沉积第一电极，使得所述第一电极包括覆盖在曲面部分上的曲面结...

【专利技术属性】
技术研发人员：代青，刘则，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11