【技术实现步骤摘要】
一种LVDT传感器线圈结构
本专利技术属于位移传感器设计技术，涉及对LVDT线圈结构的改进。
技术介绍
传统的LVDT传感器要求电气行程为正负对称形式(如±23mm)，其电原理图参见图1，它由线圈骨架和绕制在线圈骨架上的一个激磁线圈L1以及两个输出线圈组成。两个输出线圈是第一输出线圈L2和第二输出线圈L3，激磁线圈L1绕制在邻接线圈骨架的最里层，第一输出线圈L2和第二输出线圈L3绕在激磁线圈L1的外面，第一输出线圈L2和第二输出线圈L3的参数相同并结构对称。第一输出线圈L2的始端a和末端b是第一输出线圈L2的两个输出端,第二输出线圈L3的始端c和末端d是第二输出线圈L3的两个输出端。图2是传统的LVDT传感器的输出曲线示意图。差动电压Va-Vb的位移-电压曲线的位移零点与坐标系的原点重合。坐标系的原点相当于线圈骨架的中心点。坐标系的横坐标为位移量，纵坐标为输出电压。这种结构的缺点是:不能满足电气行程为单一方向测量的要求，例如要求测量范围是0mm?35.5mm,若采用传统的LVDT传感器，则需要一个-35.5mm?0mm?35.5mm的传感器，其中的-35.5mm?0_属于空置量程，不仅增大了体积和重量,而且提闻了成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是:提出一种改进的LVDT传感器的线圈结构，以便实现LVDT传感器输出单一方向电气行程的目的，满足电气行程为单一方向测量的要求，并且减小体积和重量，降低成本。 本专利技术的技术方案是:一种LVDT传感器线圈结构，包括线圈骨架和绕制在线圈骨架上的一个激磁线圈L1以及两个输出线圈，...
【技术保护点】
一种LVDT传感器线圈结构，包括线圈骨架和绕制在线圈骨架上的一个激磁线圈L1以及两个输出线圈，两个输出线圈是第一输出线圈L2和第二输出线圈L3，激磁线圈L1绕制在邻接线圈骨架的最里层，第一输出线圈L2和第二输出线圈L3的参数相同并结构对称；其特征在于：在激磁线圈L1和两个输出线圈之间绕制有第一恒定线圈L4和第二恒定线圈L5，第一恒定线圈L4和第二恒定线圈L5的参数相同并结构对称，恒定线圈的线径与激磁线圈L1相同，恒定线圈的匝数n＝0.1N～0.2N，N是激磁线圈L1的匝数，第一输出线圈L2的始端a是第一输出线圈组的第一输出端，第一输出线圈L2的末端b与第一恒定线圈L4的始端e连接，第一恒定线圈L4的末端f是第一输出线圈组的第二输出端；第二输出线圈L3的始端c是第二输出线圈组的第一输出端，第二输出线圈L3的末端d与第二恒定线圈L5的末端h连接，第二恒定线圈L5的始端g是第二输出线圈组的第二输出端。
【技术特征摘要】
1.一种LVDT传感器线圈结构，包括线圈骨架和绕制在线圈骨架上的一个激磁线圈LI以及两个输出线圈，两个输出线圈是第一输出线圈L2和第二输出线圈L3，激磁线圈LI绕制在邻接线圈骨架的最里层，第一输出线圈L2和第二输出线圈L3的参数相同并结构对称；其特征在于:在激磁线圈LI和两个输出线圈之间绕制有第一恒定线圈L4和第二恒定线圈L5，第一恒定线圈L4和第二恒定线圈L5的参数相同并结构对称，恒定线圈的线径与激磁线...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨磊，王绪斌，
申请(专利权)人：北京曙光航空电气有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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