Sr4Bi6Se13基超导材料及其制备方法技术

技术编号:10633998 阅读:128 留言:0更新日期:2014-11-12 10:05
本发明专利技术涉及一种Sr4Bi6Se13基超导材料及其制备方法,所述Sr4Bi6Se13基超导材料在Sr位具有空穴和/或掺杂第一掺杂元素A、和/或在Bi位富Bi和/或掺杂第二掺杂元素Sb、和/或在Se位具有空穴以使其具有超导电性,所述Sr4Bi6Se13基超导材料组成化学式为Sr4-xAaBi6+ySbbSe13-z。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Sr4Bi6Se13基超导材料,其特征在于,所述Sr4Bi6Se13基超导材料在Sr位具有空穴和/或掺杂第一掺杂元素A、和/或在Bi位富Bi和/或掺杂第二掺杂元素Sb、和/或在Se位具有空穴以使其具有超导电性,所述Sr4Bi6Se13基超导材料组成化学式为Sr4‑xAaBi6+ySbbSe13‑z,其中,第一掺杂元素A为+1价态的金属元素, 0≦x≦0.30、0≦a≦0.40,‑0.5≦y≦0.40,0≦b≦0.5,y+b≧0,0≦z≦0.5,且x、y和z不同时为零。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄富强
申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
类型:发明
国别省市:上海;31

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