【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiBNC陶瓷前体聚合物的一锅法合成 本专利技术涉及SiBNC陶瓷前体聚合物的一锅法合成。 已经开发了无定形SiBNC陶瓷作为新的高温材料,从而挑战二元化合物SiC 和Si3N4。至少高至1700°C时它们显示出高的抗结晶性,和高至1500°C显示出高的氧 化稳定性,这是因为形成了 Si02/BN 双层[Η· -P. Baldus,M. Jansen,D. Sporn,Ceramic fibers for matrix composites in high-temperature engine applications, Science,285,699-703, 1999 ;H. -P. Baldus, M. Jansen, Novel High-Performance Ceramics-Amorphous Inorganic Networks from Molecular Precursors, Angew. Chem. Int.Ed.,328-343,1997]。关于这一性能的组合,它们甚至超越了结晶的二元体系。与 SiC 或 Si3N4 的 3. 2g/cm3 相比,1. 8g/cm3 的低密度[K. A. Schwetz,Silicon carbide based hard materials, in:R. Riedel(Ed.), Handbook of ceramic hard materials, Wiley-VCH Verlag GmbH, Weinheim, 2000, 683-748 ;A. F. Holleman, E. Wiberg, ...
【技术保护点】
生产陶瓷前体聚合物的方法,该方法包括使选自SiHalxR4‑x,BHalyR'y‑3,TiHalxR4‑x,AlHalyR'3‑y,GaHalyR'3‑y,lnHalyR'3‑y,GeHalxR4‑x,PHalyR'3‑y,PHalzR5‑z,ZrHalxR4‑x,VHalyR'3‑y,VHalxR4‑x,NbHalzR5‑z,TaHalzR5‑z,CrHalyR'3‑y,MoHalxR4‑x,MoHalzR5‑z,WHalzR6‑z,FeHalyR'3‑y或ZnCl2中的至少两种化合物的混合物,其中x是1‑4的整数,y是1‑3的整数,z是1‑5的整数,R是氢或烃残基,R'是氢或烃残基和Hal是卤素,与伯胺R1‑NH2反应,其中R1是烃残基。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.09 EP 11192809.91. 生产陶瓷前体聚合物的方法,该方法包括使选自SiHalxR4_x,BHal yR'y_3, TiHalxR4_x, AlHalyR' 3_y, GaHalyR' 3_y, lnHalyR' 3_y, GeHalxR4_x, PHalyR' 3_y, PHalzR5_z, ZrHalxR4_x, VHalyR' 3_y, VHalxR4_x, NbHalzR5_z, TaHalzR5_z, CrHalyR' 3_y, MoHalxR4_x, MoHalzR5_z, WHalzR6_z, FeHalyR' 3_y 或 ZnCl2中的至少两种化合物的混合物, 其中X是1-4的整数, y是1-3的整数, z是1-5的整数, R是氢或烃残基, R'是氢或烃残基和 Hal是齒素, 与伯胺#-順2反应, 其中R1是烃残基。2. 权利要求1的生产陶瓷前体聚合物的方法,该方法包括使SiHalxR4_x和选自 BHalyR' 3_y, TiHalxR4_x, AlHalyR' 3_y, GaHalyR' 3_y, lnHalyR' 3_y, GeHalxR4_x, PHalyR' 3_y, PHalzR5_z, ZrHalxR4_x,VHalyR' 3_y,VHalxR4_x,NbHal zR5_z,TaHalzR5_ z,CrHalyR' 3_y,MoHalxR4_x,MoHal zR5_z, WHalzR6_z,FeHalyR' 3_y或ZnCl2中的至少一种化合物的混合物, 其中X是1-4的整数, y是1-3的整数, z是1-5的整数, R是氢或烃残基, R'是氢或烃残基和 Hal是齒素, 与伯胺#-順2反应, 其中R1是烃残基。3. 权利要求1的生产陶瓷前体聚合物的方法,该方法包括使BHalyR'3_y和选自 SiHalxR4_x, TiHalxR4_x, AlHalyR' 3_y, GaHalyR' 3_y,...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·维尔费特,M·扬森,
申请(专利权)人:马普科技促进协会,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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