本发明提出了一种电机控制器的支撑座和电机控制器。支撑座用于支撑和固定电机控制器内部的复合母排和高压母排。支撑座包括底壁和垂直于底壁的侧壁，在侧壁上设有多个间隔部和定位部，以使复合母排和高压母排的对外接口端间隔并固定于支撑座的同一侧面。本...

本发明公开了一种语音芯片起始地址的获取方法和批量编程拷贝方法。所述语音芯片起始地址的获取方法包括：编程控制模块产生语音芯片使能信号，在使能信号有效的情况下发送获取指令；语音芯片响应于所述获取指令串行输出语音信息的起始地址的每一位数值；编...

本发明公开了一种用于语音芯片批量编程拷贝的供电控制装置。包括：编程控制模块，用于生成上电指令、断电指令和使能指令；缓冲模块，其在使能指令有效时间内，将编程接口模块与语音母片和语音子片交互的指令信号的第一电平转换为适合于语音母片和语音子片...

本发明公开了一种语音芯片批量编程拷贝的装置和方法。该装置包括至少一个语音子片；语音母片，其存储多个待拷贝的语音信息段；编程接口模块，其与语音母片和语音子片分别连接；编程控制模块，其与编程接口模块连接，用于获取语音母片中待拷贝的语音信息段...

本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化硅MOSFET的...

本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深度，第一深度为第...

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管构造方法，所述方法包括以下步骤：采用P型扩散工艺在所述衬底上构造P型扩散区，使得所述P型扩散区的结深大于/等于所述晶体管的沟槽的深度；制作沟槽栅结构；制作N+源极区；刻蚀发射极金属接触窗口；利用高能离子...

本发明公开了一种功率器件及其制作方法，功率器件包括：N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱，N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从上至下依次排列，...

本发明公开了一种列车运行监控记录装置主机可靠性试验方法，该方法包括以下步骤：先确定列车运行监控记录装置主机的平均故障间隔时间最低可接受值，确定主机的试验综合环境条件，再根据试验综合环境条件确定试验剖面，并根据试验剖面进行主机可靠性试验并...

本发明公开了一种轨道交通设备大型金属构件综合时效处理方法，该方法包括：将大型金属构件安装在振动与温度综合试验台；确定振动试验控制点和响应点位置；对大型金属构件进行正弦扫描振动试验；确定大型金属构件的共振频率；对大型金属构件进行共振频率点...

本发明公开了一种轨道交通设备大型金属构件振动时效处理方法，该方法包括以下步骤：将大型金属构件安装在振动试验台；确定振动试验控制点和响应点位置；对大型金属构件进行正弦扫描振动试验；确定大型金属构件的共振频率；对大型金属构件进行共振频率点定...

本实用新型公开一种可适应高寒环境的可调式充电机，包括依次连接的选择开关单元、三相可调变压器以及整流单元，选择开关单元接入交流电源，通过选择开关调节三相可调变压器所输出的交流电压以对应适用于高寒环境或正常环境，三相可调变压器输出的交流电压...

本发明公开了一种列车变流器用辅助变压器安装装置，包括安装框架和支撑梁（4），所述安装框架包括由两根横梁（3）和两根座梁（2）所组成的四边形框架结构；所述支撑梁（4）为U型结构，所述支撑梁（4）两端分别设置有固定座，所述支撑梁（4）通过所...

本实用新型公开了一种可配置断路器。所述可配置断路器包括：安装支架，所述安装支架上设有U型孔，所述U型孔具有第一端和第二端；断路器模块；断路器开关，所述断路器开关设置在安装支架的面板外侧，所述断路器开关的按下状态表示断路器开始工作；所述断...

本发明公开了一种安全开关量输出系统，保证开关量输出系统的高安全性和高可靠性。其技术方案为：本发明采用了组合故障-安全、反应故障-安全和固有故障-安全三种策略，即利用两个处理器系统构成2取2架构实现组合故障安全，利用安全继电器的常开触点进...

本申请公开了一种沟槽式IGBT栅极的制作方法，包括：在硅衬底表面进行刻蚀，形成沟槽；热氧化所述沟槽，在所述沟槽的内表面形成牺牲氧化层；对所述沟槽的底面注入可促进所述硅衬底氧化的杂质；去除所述牺牲氧化层；在所述沟槽内生长栅氧层；对所述沟槽...

本实用新型公开了一种用于轨道交通车辆的加热装置，包括呈几字形的安装支架，所述安装支架的顶面上开设有通风孔，所述安装支架的顶面位于通风孔的位置处设置有加热组件，所述安装支架的凹槽内设置有用于向通风孔吹风的吹风组件，所述吹风组件的吹风口与所...

本实用新型公开了一种直流放电电路，属于电力电子技术领域，解决了传统的直流放电电路可靠性较低、散热性差且成本高的技术问题。该直流放电电路包括：多个负载，所述多个负载通过串联与并联的组合方式连接，所述直流放电电路连接在直流母线正负极之间。

本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法，模块包括：半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT（或MOSFET）芯片，下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。IGBT（或MO...

本发明公开了一种功率模块芯片电极连接结构，包括衬底，所述衬底上的芯片电极区设有用来实现芯片电极连接的端子排组件，所述衬底的芯片电极区通过芯片弹性连接组件完成芯片电极与端子排组件之间的弹性连接。本发明具有可降低芯片串并联过程中的杂散电感、...