中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5197项专利

  • 本公开提供一种垂直腔面发射激光器,包括:依次外延的负极电极
  • 本申请公开了一种具有
  • 本公开提供了一种单模掩埋半导体激光器及其制备方法,可以用于光电子器件领域
  • 本发明提供一种甚长波超晶格势垒红外探测器,包括由下至上依次叠置的衬底
  • 本公开提供了一种六方氮化硼上生长氮化铝薄膜及其制备方法和应用,其中,六方氮化硼上生长氮化铝薄膜的方法包括:采用化学气相沉积法,在铜箔上生长六方氮化硼;将铜箔上生长的六方氮化硼转移到其它衬底上,作为外延生长氮化铝薄膜的缓冲层;对得到的六方...
  • 本公开提供了一种双脉冲控制的自旋轨道矩概率比特及控制方法,该自旋轨道矩概率比特包括自旋轨道耦合层;磁性自由层,设置在自旋轨道耦合层的上表面;间隔层,设置在磁性自由层的上表面;磁性参考层,设置在间隔层的上表面;顶电极层,设置在磁性参考层的...
  • 本公开了一种用于制备
  • 本公开提供一种液滴式多重
  • 本发明提供一种多普勒频移及到达角测量系统,包括:光源模块,用于提供光载波;第一微波功合模块,用于将发送信号以及第一回波信号合成第一电信号;第二微波功合模块,用于将参考信号以及第二回波信号合成第二电信号;第一调制模块,用于将第一电信号调制...
  • 本发明提供了一种自锁模
  • 本公开提供了一种全电控自旋轨道矩概率比特及控制方法,该自旋轨道矩概率比特包括自旋轨道耦合层;磁性自由层,设置在自旋轨道耦合层的上表面;间隔层,设置在磁性自由层的上表面;磁性参考层,设置在间隔层的上表面;顶电极层,设置在磁性参考层的上表面...
  • 本发明提供一种化学气相薄膜沉积设备的反应室及化学气相薄膜沉积设备,涉及薄膜沉积技术领域,包括壳体组件
  • 本发明提供一种
  • 本申请公开了一种交错光栅的混合等离激元波导布拉格光栅偏振器,包括硅基混合等离激元波导结构
  • 本发明涉及半导体技术领域,提供一种体声波器件和制备方法,该方法包括:在衬底上采用目标外延方式外延生长得到缓冲层;在缓冲层上采用目标外延方式外延生长得到第一电极层;在第一电极层上采用目标外延方式外延生长得到压电层;在压电层上采用目标外延方...
  • 本发明提供一种薄膜化学气相沉积反应室装置及沉积设备,涉及薄膜沉积技术领域
  • 本发明关于一种激光雷达及其控制方法
  • 本公开提供一种氮化镓基激光器及其制备方法,氮化镓基激光器包括:依次叠加的
  • 本公开提供一种硅基
  • 本发明提供一种编码器码盘基线检测系统,包括:高速图像传感器模块,用于获取编码器码盘基线的原始图像;形态学滤波模块,用于预处理原始图像;基线分割模块用于对预处理图像进行基线特征筛选,基线特征提取模块用于提取图像的基线特征;缓存模块,用于实...