一种示例设备包括存储器设备和一个或多个处理器。所述存储器设备被配置成用于存储表，所述表包括两个或更多个映射，每个映射与对应逻辑地址和对应物理地址相关联。所述处理器被配置成用于在所述表内标识第一区域和第二区域。每个区域包括所述表的一个或多...

根据本发明的实施例描述的验证架构检验对元数据所做的改变，并且可以包括一个或多个子系统和阶段。根据一些实施例，“mkfs”卷创建实用程序与设备驱动程序协作工作，以通过用于设备的为文件系统卷保留的分区内部的元数据结构的保留和初始化空间来创建...

一种验证元数据修改请求的有效性以防止不当元数据操作的系统和方法。在对存储设备中的卷进行初始化期间以及一旦为元数据结构预留了元数据区域，将表征元数据结构和元数据区域的信息存储在存储设备中，所述信息可能采用区域图例的形式，所述区域图例由如幻...

一种方法包括由储存设备的控制器在数据线上传送第一位。该方法还包括响应于在所述数据线上传送所述第一位，由所述控制器确定所述数据线的线路电平。该方法还包括响应于确定所述数据线的线路电平，由所述控制器确定所述数据线的线路电平是否对应于所述第一...

一种系统可以包含多个存储器单元和处理器。所述多个存储器单元可以包含多个物理位置，在所述物理位置存储数据。所述处理器可以配置为确定是否交换存储在所述第一逻辑块地址集合中的逻辑块地址的数据的物理位置和存储在所述第二逻辑块地址集合中的逻辑块地...

存储设备可以包括逻辑上划分为多个块集的至少一个存储设备和控制器。控制器可以被配置为接收对多个块集中的第一块集执行垃圾收集操作的命令。控制器还可以被配置为基于存储在非易失性存储器中的有效性表来确定存储在第一块集的第一块处的数据是否有效，使...

使用第一读取电平电压从闪存中读取所请求数据。从所述读取的所请求数据中确定第一位值错误的数量和第二位值错误的数量。将所述第一位值错误的数量与所述第二位值错误的数量的错误比率与错误比率范围进行比较。基于所述错误比率与所述错误比率范围的所述比...

一种提供错误校正编码数据的冗余的设备包括至少一个处理器电路。所述至少一个处理器电路被配置成用于对多个数据项执行错误校正编码以便生成相应的码字，其中，所述数据项中的至少一个数据项可以具有与所述数据项中的至少一个其他数据项不同的长度，并且所...

一种系统，所述系统包括处理器以及存储指令的存储器，所述指令当被执行时使得所述系统：接收数据流，所述数据流包括一个或多个数据块；确定所述一个或多个数据块的大小；基于数据块的大小和物理块的大小，确定所述物理块所需的映射数量，其中，根据存储在...

一种方法，所述方法用于通过以下步骤利用单次提交实现跨设备冗余方案：由写入页分配单元接收分配数据颗粒的请求；响应于接收所述请求，由所述写入页分配单元执行对与颗粒存储器相关联的预定数据布局映射的分析以标识存储器段；由所述写入页分配单元向所述...

本文描述了一种硬盘驱动器，其包含基部和盖。基部包含封闭端部、侧壁、开放端部以及一个或多个角部部分。侧壁从封闭端部延伸，并且开放端部由侧壁限定。封闭端部、侧壁以及开放端部限定硬盘驱动器的内部腔体。每个角部部分接近壁的相应的相交部，且设置在...

一种多数据类型接口设备的一方面包括：多个上游端口，其中，所述上游端口中的至少两个上游端口属于不同的类型；多个下游端口，其中，所述下游端口中的至少一个下游端口被配置成用于连接至外部设备；以及一个或多个处理器，所述一个或多个处理器被配置成用...

本公开主要涉及一种三维NVM RRAM装置中的纳米颗粒基体。该RRAM装置使用可以沉积到高深宽比沟道中的材料，材料具有良好的循环性能，短的擦和写时间，以及与CMOS兼容的写/擦电压。RRAM材料设置于装置的两个电极之间，并包括分布于绝缘...

本文公开了一种用于控制磁阻式随机存取存储器器件切换的方法和装置。该方法包括将电流传递给磁阻式随机存取存储器器件，其中MRAM器件处于第一状态；使用电阻检测器实时测量磁阻式随机存取存储器器件上的压降，其中压降超过阈值电压相当于从第一状态切...

本文中公开了具有扩展三维空气支承表面(ABS)的硬盘驱动器滑块、用于制造这种滑块的方法、以及包含这种滑块的硬盘驱动器。所述滑块具有ABS以及与所述ABS相反的后表面，其中，所述后表面的至少一部分限定了平面。在本文中定义了ABS函数，所述...

一种用于非易失性存储器单元的方法；特别地，一种自旋轨道转矩MRAM(SOT‑MRAM)存储器单元，其降低切换单独位所需的电流。存储器单元包含具有第一纵轴的第一互连线、具有长轴的椭圆形MTJ位(“位”)以及第二互连线，其中该第二互连线具有...