本实用新型公开了一种倒置剥离金属的装置，包括一个把手和固定在所述把手上的一个或一个以上的用于倒置器件的支撑台。所述的把手上具有一个或一个以上的卡槽，所述支撑台上具有连接凸起，所述连接凸起卡设在所述卡槽内，可以组装和拆卸。本实用新型可以有...

本发明公开了一种光电阵列器件平面化接地方法，包括如下步骤：(1)在衬底上依次生长下接触层、有源区和上接触层；(2)通过光刻形成台面图案，陡直刻蚀出内部像素；(3)刻蚀出用于将下电极引至台面以上的缓坡；(4)淀积金属电极层；(5)淀积互联...

本发明公开了一种半导体器件制备台面缓坡的方法，包括如下步骤：(1)对晶圆或芯片进行光刻，将待刻蚀的台面图形转移至光刻胶上；(2)光刻胶回流，在光刻胶边缘形成缓坡；(3)用干法刻蚀，将缓坡形状转移至晶圆或芯片上；(4)去除光刻胶，在晶圆或...

本发明公开了一种带有热电制冷器的量子级联激光器的封装，包括：设置在封装管壳外部的散热装置，用于吸收热电制冷器热端通过管壳的底层传导出来的全部热量；HHL管壳组件，用于减小内部空间热量的积累对探测器管芯的影响，内部包含：封装好的所述热电制...

本实用新型公开了一种带有热电制冷器的量子阱红外探测器的封装，包括：散热片，采用强制对流式或水冷型散热方法，用于吸收热电制冷器热端传导出来的全部热量；HHL管壳组件，用来提供内部散热空间；热电制冷器，用于控制探测器管芯的温度，通过改变注入...

本发明公开了一种双模远距离红外气体传感器，包括：电路和人机交换模块，用于电源管理，系统控制，信号的锁相放大、采集、储存、分析与读取，及人机交互；第一和第二半导体热电制冷器，与电路和人机交换模块连接，用于实现温度控制；量子级联激光器，固定...

本发明公开了一种量子阱红外探测器，采用了GaAs/AlxGa1-xAs材料体系，利用MBE或者MOCVD技术生长，通过标准的半导体工艺制备。本发明的量子阱结构具有特定的结构参数，势阱的硅杂质掺杂浓度高于1×1012cm-2，使探测器能够...

本实用新型公开了一种双模远距离红外气体传感器，包括：电路和人机交换模块，用于电源管理，系统控制，信号的锁相放大、采集、储存、分析与读取，及人机交互；第一和第二半导体热电制冷器，与电路和人机交换模块连接，用于实现温度控制；量子级联激光器，...

本实用新型公开了一种量子阱红外探测器，采用了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ材料体系，利用ＭＢＥ或者ＭＯＣＶＤ技术生长，通过标准的半导体工艺制备。本实用新型的量子阱结构ＧａＡｓ势阱层的厚度为所述ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ势垒层的厚度的１５～２０...

本发明公开了一种多光纤通道激光红外气体传感器，包括：一个电路和人机交换模块，用于电源管理，系统控制，信号的锁相放大、采集、储存、分析与读取，及人机交互；至少一个半导体热电制冷器，与电路和人机交换模块连接，用于实现温度控制；一个激光器，固...

本发明公开了一种量子阱红外探测器，采用了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ材料体系，利用ＭＢＥ或者ＭＯＣＶＤ技术生长，通过标准的半导体工艺制备。本发明的量子阱结构ＧａＡｓ势阱层的厚度为所述ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ势垒层的厚度的１５～２０倍，多量...