一种沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，首先，形成一图案层于一基材上；然后，透过此图案层蚀刻基材，以形成栅极沟槽于基材内；接下来，以氧化方式形成一第一氧化层于栅极沟槽内，以扩大栅极沟槽的宽度；在移除第一氧化层后，形成一栅极氧化层于栅极...

本发明涉及一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法，该沟槽式功率半导体元件包括一底材、多个沟槽、多个第一重掺杂区、至少一本体区、至少一源极掺杂区、一接触窗、一第二重掺杂区与一金属图案层；这些沟槽位于底材内；各个第一重掺杂区分别形成于相对应的...