本实用新型提供一种排液装置及化学机械研磨装置，所述排液装置包括一槽体，所述槽体的底部设置有一排液单元；一润湿单元，所述润湿单元设置于所述槽体内侧壁，所述润湿单元用以提供液体以润湿所述槽体的内壁及所述排液单元。本实用新型中，利用设置于槽体...

本实用新型提供了一种角度测量装置，用于测量晶棒定向时的转动角度，包括：Notch卡块，与所述晶棒上开设的Notch槽相配合；连接板，平行于所述晶棒的端面，且所述连接板的第一端连接所述Notch卡块；角度编码器，位于所述晶棒的中心轴线上，...

本实用新型提供了一种抛光液供给装置，包括：供液桶、调节管、搅拌器、循环管及逻辑控制器，所述供液桶容置抛光液并通过一供液管输出所述抛光液，且供液桶和所述供液管内分别设置有第一PH感应器和第二PH感应器；所述逻辑控制器电性连接所述调节管、所...

本实用新型提供了一种抛光头及抛光装置，其中，所述抛光头包括抛光盘，所述抛光盘的第一表面依次设置有背膜和限位环，且所述限位环设置于所述第一表面的边缘，所述限位环与所述背膜围成晶圆容纳空间；所述限位环的内壁上设置有与晶圆的开槽口相配合的卡槽...

本申请提供了一种热场的排气装置，属于热场排气的技术领域，具体包括：排气管，排出通过热场后的气体；排气罩，罩设于排气管的进气端的外部，排气罩的侧壁上设置复数个进气口；导气锥体，固定于排气管内，且位于排气管的出气端，导气锥体的截面积从排气管...

本实用新型提供了一种晶体生长炉，所述晶体生长炉包括炉体以及设于所述炉体内部的坩埚、加热器、导流筒、支撑板和导向环，所述加热器用于对所述坩埚进行加热；所述导流筒、所述支撑板均位于所述坩埚的上方；所述炉体上设有与所述导流筒相连的升降装置，所...

本发明提供一种对晶圆进行定位的方法和半导体制造设备，应用于薄膜工艺。所述方法包括：步骤S1：获取第一晶圆在进行所述薄膜工艺后，所述第一晶圆的第一表面的状态分布，其中所述第一表面是与所述薄膜工艺中形成薄膜层的表面相对的表面；步骤S2：根据...

本实用新型提供了一种硅片干燥装置及硅片干燥箱，所述硅片干燥装置包括基座、夹爪台、夹爪和吹气管路，所述夹爪台和所述吹气管路均设于所述基座上；所述夹爪台能够靠近和远离所述吹气管路；所述夹爪用于夹持硅片，且所述夹爪可拆卸式安装于所述夹爪台上；...

本实用新型提供了一种传片机和晶圆传输系统，用于在不同槽距的片盒之间传输晶圆，传片机包括呈镜像设置的两个抓取单元，抓取单元包括：升降板，包括若干在竖直方向上呈扇形均匀分布的滑轨；若干抓取手臂，在竖直方向上平行所述升降板，且在背离晶圆的一侧...

本实用新型提供了一种石英销，所述石英销包括杆身，所述杆身沿轴向分为第一部分和第二部分，所述第一部分沿轴向的长度小于所述第二部分沿轴向的长度，且所述第一部分与所述第二部分的轴向不平行，所述第二部分的自由端膨大形成投影部，所述投影部的背离所...

本发明公开了一种避免泡沫干扰的液位侦测器及液位侦测方法，所述液位侦测器包括：侦测头，至少包括设置于储液罐外不同高度处的上侦测头和下侦测头，以分别获取所述储液罐内不同高度处的液位信号；处理器，与所述侦测头通信连接，用于获取所述侦测头的液位...

本实用新型提供了一种拉晶炉的冷却装置和拉晶炉，其中所述拉晶炉的冷却装置包括至少一个具有中空结构的管道，所述中空结构中容纳有冷却液，所述管道位于拉晶炉的腔室中，所述管道的管壁上形成有多个凸起和/或多个凹陷。即所述冷却装置通过在管壁上形成凸...

本发明提供一种支撑电极及加热器和单晶炉。所述支撑电极包括石墨电极和铜电极，支撑电极为非通电电极，其中，石墨电极位于铜电极的上方，石墨电极为中空结构以减小石墨电极的传热截面积，其内部填充有隔热材料以防止石墨电极的辐射热传入铜电极，从而降低...

本发明提供一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置，导流筒包括固定部和调节部，导流筒呈桶状并绕晶棒四周设置，其中，固定部上端向外延伸的部分固定于半导体生长装置上，固定部向下延伸的部分为逐渐向晶体靠近的斜面，固定部底部为靠近液面的平面，以控制...

本实用新型提供了一种拉晶炉热屏吊装工具，包括挂钩、吊杆和连接件；所述挂钩上设有用于将所述挂钩固定于热屏上的固定件；所述吊杆的底端与所述连接件相连；所述连接件可拆卸式安装于所述挂钩的底部，在所述吊杆的作用下，所述连接件能够与所述挂钩相分离...

本发明提供一种晶棒生长控制方法以及控制系统，所述晶棒生长温度优化方法至少包括：设定目标晶棒直径、目标提拉速度以及目标生长温度；检测实际晶棒直径并根据所述实际晶棒直径调整提拉速度，形成实际提拉速度，并将所述实际提拉速度与所述目标提拉速度进...

本申请公开了一种确定单晶炉引晶温度的方法及直拉法制备单晶硅的方法。所述方法包括：引晶前测量所述单晶炉内用于引晶的熔体的温度，并得到温度‑时间曲线；对所述温度‑时间曲线进行傅里叶分析，得到频率‑振幅曲线；根据所述温度‑时间曲线判断熔体温度...

本申请公开了一种退火炉降温速率校准的方法，所述方法包括：在所述第一退火炉中对多个第一晶圆进行加热；将多个所述第一晶圆在所述第一退火炉中在不同的降温时间内分别降温至预设温度；测量多个第一晶圆的表面参数；建立表面参数和所述降温时间的第一对应...

本发明公开了一种外延基座，包括：进气口和出气口，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向相交；边缘侧墙，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向之间的夹角对应的边缘侧墙为所述边缘侧墙的第一部分，所述边缘侧墙的其余部分为所述边缘侧墙的...

本发明提供了一种氯化氢高温蚀刻设备校准方法，属于设备校准领域，具体包括提供第一硅片与第二硅片；将第一硅片放入已校准设备进行氯化氢高温蚀刻，得到第一待测硅片；将第二硅片放入待校准设备进行与第一硅片工艺相同的氯化氢高温蚀刻，得到第二待测硅片...