【技术实现步骤摘要】
排液装置及化学机械研磨装置
[0001]本技术涉及半导体领域,特别涉及一种排液装置及化学机械研磨装置。
技术介绍
[0002]化学机械研磨可用于去除晶圆(硅片)成型工艺中线切割时发生的晶圆表面损伤,以改善晶圆的表面粗糙度。
[0003]以双面化学机械研磨装置为例,研磨液从过滤器出来对晶圆进行化学机械研磨后再回到过滤器中,通过循环使用以节约研磨液的消耗。在研磨液到达预期使用寿命时,将研磨液从排液槽排掉,并在研磨液使用过程中定期更换过滤器。
[0004]现有的化学机械研磨装置,在更换研磨液或过滤器时,由于研磨液经过较长时间使用并且包含大量研磨出来的碎屑,导致排出的研磨液处于过饱和状态,直接暴露于空气中时极易结晶成大颗粒。当上述研磨液喷洒或停留于排液槽的内侧壁或底部时,若不及时手动冲洗,则研磨液结晶所形成的颗粒将直接堵塞排液槽的排液口,由此导致上述更换研磨液的过程不简便,同时研磨液结晶容易形成颗粒也不利于洁净室的空气洁净度。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种排液装置及化学机械研磨装置, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种排液装置,其特征在于,包括:一槽体,所述槽体的底部设置有一排液单元;一润湿单元,所述润湿单元设置于所述槽体的内侧壁,所述润湿单元用以提供液体以润湿所述槽体的内壁及所述排液单元。2.如权利要求1所述的排液装置,其特征在于,还包括一液位传感单元,所述液位传感单元设置于所述槽体内且位于所述润湿单元的下方,所述液位传感单元与所述润湿单元电连接,以通过所述液位传感单元的检查结果控制所述润湿单元的关闭。3.如权利要求1所述的排液装置,其特征在于,所述润湿单元设置于所述槽体高度的2/3~1之间。4.如权利要求1所述的排液装置,其特征在于,所述润湿单元环绕所述槽体的内侧壁设置。5.如权利要求4所述的排液装置,其特征在于,所述润湿单元包括一环形管路及设置于所...
【专利技术属性】
技术研发人员:王良华,胡建平,于东,浦兴东,吴光,
申请(专利权)人:上海新昇半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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