本发明公开了一种位级非易失性静态随机存取存储器，包括非易失性静态存储单元阵列、字线译码器、位线译码器、预充电电路、多路选择器、读电路与写电路；所述非易失性静态存储单元阵列通过通常读写字线、存储和恢复控制字线与所述字线译码器连接，所述非易...

本发明公开了一种基于相变存储单元的可编程双电压电平转换器及其实现方法，所述基于相变存储单元的可编程双电平转换器包括电平转换电路与四个转换电压控制电路，所述电平转换电路与转换电压控制电路的输出连接；所述转换电压控制电路控制输出至所述电平转...

本发明提供一种可达到无穷次疲劳的相变存储器，将Gain单元中的晶体管与相变存储器中的晶体管连接，并与有相变材料的电阻连接。本发明能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流，达到无穷次的疲劳次数。

本发明提供一种嵌入式纳米晶阻变材料存储器，其包括CMOS、下电极、阻变材料层、上电极和金属层。其中，下电极、阻变材料层、上电极和金属层自下而上地设置形成柱状的栓，栓设置在CMOS的保护源或漏区，金属层与上电极电性连接。本发明还提供一种嵌...

本发明提供一种双轨相变储存器，包括下电极、下加热电极、相变材料层和上电极。下电极为栓状，下加热电极、相变材料层和上电极自下而上地设置在下电极上。本发明还提供一种双轨相变储存器的制备方法。本发明储存器的热效率更高、结构新颖，且可控制加热电...

本发明涉及一种相变储存器单元器件及其制备方法。包括上电极、下电极、相变材料，加热电极材料；所述相变材料呈条型，条型区域的截面宽与高之比为１∶１，相变材料与下加热电极通过沟道连接，所述沟道的宽度为２０～５０埃，相变材料与下加热电极为纳米级...