本发明涉及适用于电子器件的含氮杂芳族化合物以及含有所述化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。有机电致发光器件。

[问题]本发明提供一种制造厚膜化的抗蚀剂图案的方法。[解决方案]一种制造厚膜化的抗蚀剂图案的方法，其包括以下步骤：(1)将抗蚀剂组合物施用于基板的上方，由所述抗蚀剂组合物形成抗蚀剂层；(2a)对抗蚀剂层进行曝光；(2b)在抗蚀剂层上施用...

本申请提供一种油墨体系，其包含以下组分：a)第一制剂，其包含至少一种第一成膜有机功能材料和至少一种第一有机溶剂，b)第二制剂，其包含至少一种第二成膜有机功能材料和至少一种第二有机溶剂，其特征在于，(i)所述第一有机溶剂和所述第二有机溶剂...

[问题]提供一种除去牺牲层上部的方法。[解决方案]一种除去牺牲层上部的方法，包括以下步骤：(1)将包含具有能被酸解离的保护基的聚合物(A)和溶剂(B)的牺牲溶液施用到基板上方；(2)由所施用的牺牲溶液形成牺牲层；(3)使酸性水溶液与牺牲...

本发明涉及式(I)、式(II)或式(III)的化合物、制备这种类型的化合物的方法、含有这些化合物中的一种或多种的电子器件，以及这些化合物在电子器件中的用途。物在电子器件中的用途。

本发明涉及适用于电子器件中的含硫化合物，并且涉及含有所述化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。是有机电致发光器件。是有机电致发光器件。

本发明涉及一种包含并排几何形状的像素的电致发光器件。本发明还涉及制造这种电致发光器件的方法。光器件的方法。

一种薄层色谱显影室(1)，其包括具有开口(3)的壳体(2)，可用于通过将液体溶剂引入到布置在薄层色谱板(21)表面上的样品上来对薄层色谱板(21)进行显影，其中溶剂和薄层色谱板(21)可插置到显影室(1)内。显影室(1)的开口(3)可用...

在有机电致发光器件中、更特别地在OLED中作为蓝色荧光发光体的式(I)的吲哚并[3.2.1

本发明涉及适用于电子器件中的式(1)的化合物，并且涉及包含这些化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。别是有机电致发光器件。别是有机电致发光器件。

本发明提供一种新型的含硅聚合物，可以形成低残余应力、抗裂性优异的固化膜，以及一种具有特定环状结构的聚碳硅氮烷。具有特定环状结构的聚碳硅氮烷。具有特定环状结构的聚碳硅氮烷。

本发明涉及适用于电子器件中的杂环化合物和含有所述化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。致发光器件。致发光器件。

本发明涉及用于结构化有机电子器件的至少一个功能层的化合物的用途。本发明还涉及适用于电子器件的优选化合物，以及含有这些化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。特别是有机电致发光器件。

一种用于在执行分离薄层色谱板(2)上的样品组分的分离过程之后评价薄层色谱板(2)的方法，包括数字化步骤，其中拍摄在薄层色谱板(2)的照射波长范围方面不同的至少两幅数字图像(1，5)。该方法还包括位置识别步骤，其中针对至少两幅数字图像(1...

公开了一种制备硅质含氮膜的方法。聚硅氮烷膜暴露于电子束辐射，随后暴露于从真空紫外光辐射和等离子体处理中选出的至少一种工艺。处理过的膜在非氧化气氛中加热以制造硅质含氮膜。硅质含氮膜能够在低工艺温度下形成。此外，硅质含氮膜具有高折射率和低的...

本发明涉及本发明的化合物及其药学上可接受的组合物，用作TLR7/8拮抗剂。用作TLR7/8拮抗剂。用作TLR7/8拮抗剂。

本发明涉及适用于电子器件中的环状的化合物，以及含有所述化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。有机电致发光器件。

本发明涉及式(I)的化合物、用于制备所述化合物的方法、所述化合物在电子器件中的用途以及包含至少一种所述化合物的电子器件。以及包含至少一种所述化合物的电子器件。

本发明涉及发光装置和包括发光装置的电子设备。发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中：夹层可进一步包括在发射层和第一电极之间的空穴传输区，空穴传输区可包括第一层和第二层，第二...

提供了通过原子层沉积形成含金属膜的方法。所述方法包括在足够的条件下将含金属配合物、吹扫气体和共反应物输送至第一基材，从而使所述含金属膜选择性地生长在所述第一基材的至少一部分上。的至少一部分上。的至少一部分上。