聚碳硅氮烷及含有它的组合物以及使用其的含硅膜的制造方法技术

本发明专利技术提供一种新型的含硅聚合物，可以形成低残余应力、抗裂性优异的固化膜，以及一种具有特定环状结构的聚碳硅氮烷。具有特定环状结构的聚碳硅氮烷。具有特定环状结构的聚碳硅氮烷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚碳硅氮烷及含有它的组合物以及使用其的含硅膜的制造方法


[0001]本专利技术涉及聚碳硅氮烷。此外，本专利技术涉及含有聚碳硅氮烷和溶剂的组合物以及使用该组合物的含硅膜的制造方法。

技术介绍

[0002]在电子器件、特别是半导体器件的制造中，在晶体管元件与位线之间、位线与电容器之间、电容器与金属布线之间、多个金属布线之间等形成层间绝缘膜。此外，绝缘材料可嵌入形成在基板表面等上的分离沟槽中。进而，在基板表面形成半导体器件后，使用密封材料形成被覆层，进行封装。层间绝缘膜或被覆层经常由含硅材料形成。
[0003]为了形成硅质膜、氮化硅膜、碳化硅膜、碳氮化硅膜等含硅膜，可以使用化学气相沉积法(CVD法)、溶胶凝胶法、涂布含有含硅聚合物的组合物进行加热的方法等。由于是比较简单的方法，而且对于狭窄的沟槽埋入性优异，所以在这些方法中，经常采用涂布组合物并加热形成含硅膜的方法。作为含硅聚合物，可以举出聚硅氮烷、聚硅氧烷、聚碳硅烷、聚硅烷等。
[0004]对于涂布含有含硅聚合物的组合物并固化的膜，要求其对后续工序中使用的化学试剂具有耐受性，特别是耐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚碳硅氮烷，其包含由下式(1)表示的重复单元和由下式(2)表示的重复单元，其中R1、R2和R3各自独立地为单键、氢或C1‑4烷基，R4、R5和R6各自独立地为单键或氢，条件是当R1、R2、R4和R5为单键时，R1、R2、R4和R5与其他重复单元中所含的N键合，并且当R3和R6为单键时，R3和R6与其他重复单元中所含的Si键合，并且n和m分别独立地为1～3。2.根据权利要求1所述的聚碳硅氮烷，其中，所述聚碳硅氮烷的分子中所含的C原子数相对于Si原子数的比率为5～250％，优选为5～120％，更优选为8～50％。3.根据权利要求1或2所述的聚碳硅氮烷，其中，在1H
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NMR光谱中，1.7～2.2ppm的面积强度与1.7～2.2ppm的面积强度和1.0～1.6ppm的面积强度之和的比为0.05～0.5。4.根据权利要求1～3中任一项所述的聚碳硅氮烷，其中，通过凝胶渗透色谱法测定的聚苯乙烯换算的质均分子量为1,...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木胜力，冈村聪也，冈安哲雄，T，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：