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KC科技股份有限公司专利技术
KC科技股份有限公司共有122项专利
化学机械研磨装置及用于该装置的研磨板组装体制造方法及图纸
本实用新型涉及一种化学机械研磨装置及用于该装置的研磨板组装体,用于研磨晶片的表面,其特征在于,包括:承载头,其以使晶片位于一个地点的状态,在对晶片向下加压的同时进行旋转驱动;研磨板,其进行旋转驱动;第一研磨垫,其安装于所述研磨板,在化学...
化学机械抛光装置及方法制造方法及图纸
涉及化学机械抛光装置及方法,化学机械抛光装置包括:抛光平板,上表面被抛光垫覆盖,并进行自转;抛光头,具有挡圈,在化学机械抛光工序中与晶片的板表面相接触来进行加压,挡圈包括第一、第二部件,第一部件由导电材料形成,并在晶片周围形成具有不同高...
一种薄膜形成方法及原子层沉积装置制造方法及图纸
提供一种薄膜形成方法及原子层沉积装置。薄膜形成方法包括:使用含有硅的硅前驱体物质作为源气体;使用经等离子活化的氮气作为反应气体;使用氮气作为净化气体,并且按照所述源气体、所述净化气体、所述反应气体、所述净化气体的顺序来有序地提供气体,形...
化学机械抛光装置制造方法及图纸
一种化学机械抛光装置,包括:抛光平板,抛光平板的上表面被抛光垫覆盖并进行自转;抛光头,在化学机械抛光工序中,一边向抛光垫加压晶片,一边进行旋转,并向抛光垫的具有半径方向成分的方向进行往复移动;传感器,固定在抛光平板,与抛光平板一同旋转,...
化学机械抛光装置用承载头的隔膜及承载头制造方法及图纸
本实用新型涉及一种化学机械抛光装置用承载头的隔膜及承载头,上述化学机械抛光装置用承载头的隔膜包括:底板,由可挠性材质形成;侧面,在上述底板的边缘折弯而成,并由可挠性材质形成,在与上述底板相邻的外周面形成有环形的第一缓冲槽;以及内侧固定体...
狭缝式涂布装置及该装置用基板异物检测用异物感测装置制造方法及图纸
本实用新型公开一种狭缝式涂布装置及该装置用基板异物检测用异物感测装置。本实用新型的异物感测装置可以被安装到狭缝式涂布装置,有效地感测贴附于基板的上部或下部表面的异物,从而防止狭缝式喷嘴肋部由于碰撞而被破损或受损。为此,异物感测装置具备:...
晶元多步骤清洗机制造技术
本实用新型提供一种晶元的多步骤清洗机,作为对完成化学机械研磨工艺的晶元依次进行清洗的装置,其特征在于,包括:第一清洗机,其对完成化学机械研磨工艺的晶元进行清洗;第二清洗机,其向所述晶元的表面提供有机溶剂,以去除晶元表面附着的有机异物;移...
基板涂布装置制造方法及图纸
本实用新型公开一种基板涂布装置。根据本实用新型的基板涂布装置,包括:狭缝形状的狭缝喷嘴,排出待涂布到基板上的药液;以及负压模块,以涂布进行方向为基准,位于所述狭缝喷嘴的肋前方,并且在所述狭缝喷嘴的喷出口前方形成负压空间。负压模块通过在所...
掩膜处理装置制造方法及图纸
本实用新型提供一种掩膜处理装置,其包括:装载部(100),配备有用于分别取出夹具和掩膜并将其结合的多关节装载机器手(140);处理部(200),配备有处理组(210)和工程机器手(220),所述处理组(210)配备有一个以上,所述工程机...
化学机械抛光装置制造方法及图纸
涉及一种化学机械抛光装置,包括:抛光平板,上部面被抛光垫覆盖,并进行自转;抛光头,向抛光垫加压晶片,并进行旋转;第一传感器,设置在抛光平板上,与抛光平板一同旋转,当经过晶片的下侧时,接收包含晶片抛光层厚度信息的输出信号;传感器旋转位置检...
化学机械研磨装置制造方法及图纸
本实用新型涉及一种化学机械研磨装置,化学机械研磨装置包括:研磨垫,其在化学机械研磨工艺中与基板接触;温度调节部,其以间隔的形式设置于研磨垫的上部,并以所述研磨垫的上面存在的流体为媒介调节研磨垫的表面温度,所述化学机械研磨装置能够均匀地调...
能够进行多种晶元研磨工艺处理的晶元处理系统技术方案
本实用新型涉及一种晶元处理系统,其包括:晶元载体,其以包括晶元的状态移动;第一导轨,其排列为包括在所述晶元载体的所述晶元通过第一研磨平板的通道,并且所述晶元载体可移动在所述第一导轨;第二导轨,其排列为包括在所述晶元载体的所述晶元通过第二...
化学机械抛光装置制造方法及图纸
涉及化学机械抛光装置,包括:抛光平板,上面被抛光垫覆盖;抛光头,形成有被多个隔壁分割的多个压力腔室,隔膜的底板位于压力腔室的下侧,通过调节压力腔室的压力,使位于底板下侧的晶片在被加压的状态下进行旋转;浆料供给部,向抛光垫和晶片中的至少一...
用于化学机械研磨装置的研磨头制造方法及图纸
本实用新型涉及一种用于化学机械研磨装置的研磨头,提供一种研磨头及具有该研磨头的化学机械研磨装置,所述研磨头包括:第一本体部,在研磨工艺中,在第一本体部形成将晶元的板面加压于研磨垫的加压面;第二本体部,在所述研磨工艺中,在第二本体部设置以...
化学槽制造技术
本实用新型公开了一种化学槽,所述化学槽在圆柱状的槽主体的上部与下部具有横截面积比槽主体的横截面积小的圆柱状的槽部,据此可以最小化由液位传感器的测量误差导致的化学品量的误差。
晶元处理装置制造方法及图纸
本实用新型提供一种晶元处理装置,其涉及一种进行化学机械研磨工艺和清洗工艺的晶元处理装置,所述晶元处理装置包括化学机械研磨模块和清洗模块,所述化学机械研磨模块包括:第一研磨盘群,其为排列两个以上研磨盘的第一列;第二研磨盘群,其为与所述第一...
化学机械式磨光装置制造方法及图纸
本实用新型提供一种化学机械式磨光装置,包括:磨光平台,上面覆盖有磨光垫片且自转;导轮头部,将晶片加压至磨光垫片并旋转;驱动单元,连接到磨光平台并使磨光平台旋转;涡电流传感器,固定于磨光平台,与磨光平台一起旋转并产生涡电流且接收第一接收信...
基板放置台制造技术
本实用新型涉及一种基板放置台,其包括:基板支撑台,其与基板的底面接触,并且将所述基板放置于所述基板支撑台;流体供给流路,其与形成于所述基板支撑台的底面的孔连通,并以具有重力方向成分的形式延长;流量传感器,其感知单位时间内流体通过所述流体...
可测量研磨垫高度偏差的化学机械研磨装置的调节器制造方法及图纸
本实用新型涉及一种化学机械研磨装置的调节器,其作为在化学机械研磨工艺中,对与晶元板面接触的研磨垫表面进行改质的化学机械研磨装置的调节器,其包括:臂,其从旋转中心延伸并进行往返旋回运动;调节单元,其与在所述臂的末端旋转驱动的驱动轴连动并进...
基板处理装置及用于其的混合喷嘴制造方法及图纸
本实用新型涉及基板处理装置及用于其的混合喷嘴,提供一种基板处理装置及用于其的混合喷嘴,其包括:气体供给通道,其包括截面减小区域和排出区域,所述截面减小区域沿着气体的流动方向而截面逐渐减小,所述排出区域从所述截面减小区域延长至排出口;分岔...
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