本发明提供一种能够有效地制造具备以高尺寸精度形成为规定形状的图案的高密度的有机薄膜的高性能的电子器件的制造方法、利用这种电子器件的制造方法制造的电子器件及具备这种电子器件的电子设备。本发明的电子器件的制造方法包括：以覆盖在基板（５０）上...

一种半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备，封装尺寸为接近芯片尺寸，除所谓应力缓冲层之外，能有效地吸收热应力的半导体装置。半导体装置（１５０）具有：有电极（１５８）的半导体芯片、设置于半导体芯片的上边用作应力缓冲层的树脂层（１５２）...

本发明提供一种防止阻气层的损伤，且能够缩小框部的有机电致发光装置和其制造方法及电子设备。有机电致发光装置（１）设置有，具有在一对电极（１０、１１）间挟持有机发光层（１２）的多个发光元件（２１）的元件基板（２０Ａ）、在元件基板（２０Ａ）上...

本发明提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基板（１０），形成有电极（１４）；树脂层（２０），按照避开所述电极（１４）的形式形成；连接盘（３２），设在树脂层（２０）上；布线（３４），将电极（１４）和连接盘（３２...

本发明提供一种具有下述结构的电光装置，该结构为，即使在粘合过程中，对于一方的基板产生了另一方的基板的位置偏离，也可以利用另一方的基板的遮光膜，使显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致，并且对一方的...

本发明提供一种可靠性优良的薄膜晶体管、具备该薄膜晶体管的电光装置及电子设备。本实施方式涉及的薄膜晶体管（１）具有：在平面上相对配置的源电极（３）及漏电极（４）；有机半导体层（５），其至少设置于源电极（３）及漏电极（４）之间；多根栅极线（...

本发明是一种可以缓和热应力而不会切断布线的半导体装置。具有半导体芯片（１２）；用于与外部连接的焊球（２０）；使半导体芯片（１２）与焊球（２０）电连接的布线（１８）；设于半导体芯片（１２）上边的应力缓和层（１６）；以及从焊球（２０）对应力...

本发明提供一种能减轻对基板的热负荷，能进行大面积的基板的热处理的半导体装置的制造方法。此外，提高热处理温度的均一性，提高形成的半导体装置的特性。在基板上形成硅膜，在通过用以氢和氧的混合气体作为燃料的气体喷燃器（２２）的火焰对该硅膜进行扫...

一种显示装置（２６），该显示装置包括多个分立的显示部分（２）。各个显示部分（２）设置有用于驱动布置在显示区域内的显示元件的驱动电路。该显示装置可以设置成为无源、有源或直接像素寻址阵列。通过相互连接多个显示部分可以获得大面积的显示器，而不...

本发明提供一种ＭＥＭＳ器件，该ＭＥＭＳ器件可以减少ＭＥＭＳ结构体和半导体基板之间的寄生电容。ＭＥＭＳ器件（１）具备ＭＥＭＳ结构体（３０），该ＭＥＭＳ结构体（３０）具有隔着绝缘层形成在半导体基板（１０）上的固定电极２０和可动电极（２６），...

本发明提供电子装置及其制造方法。通过使配置在基板上的空洞内的功能结构体与电子电路高度一体化，来实现小型化的电子装置，并且可以与电子电路并行地制造配置在基板上的空洞内的功能结构体，由此降低制造成本。本发明的电子装置具有：基板（１）；构成形...

本发明提供一种具有下述方法的电光装置的制造方法，该方法在粘合第１基板和第２基板之后，当将分断所粘合的结构体后的电光面板收置于安装壳体内时，可以位置精度良好地将其收置于安装壳体内，能使制造上的成品率得到提高。其特征为，包括：分划线形成工序...

提供一种简化了制造工艺并且提高了光传感器元件的设计自由度的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法以及包括它的电子设备。液晶显示装置包括设置在子像素区域的每个中并对子像素区域的驱动进行开关控制的ＴＦＴ元件、以及与ＴＦＴ元件在同一层上形成并对...

本发明提供一种布线基板的制造方法，可防止转录时对置的两个基板在像素区域接触，并能可靠地将外围电路转录到基板上。本实施方式的布线基板的制造方法具有：贴合工序，其将在像素区域（１０１）中形成突起部（１２）的可挠性基板（１１）、与配置了构成外...

本发明的目的是提供半导体层形成材料，从所述半导体层形成材料可以制造具有高载流子运输能力的半导体层，提供形成半导体元件的方法，所述半导体元件具有高载流子运输能力的半导体层，提供由半导体元件制造方法形成的半导体元件，提供装备有所述半导体元件...

本发明提供一种有源矩阵电路基板，该有源矩阵电路基板具有：在规定区域设置了回避部的基板；设于所述基板上的第一像素电极及第二像素电极；设于所述基板上且驱动所述第一像素电极及所述第二像素电极的像素驱动电路；设于所述基板上且与所述像素驱动电路连...

本发明提供一种有机强电介质膜的形成方法、存储元件的制造方法、存储装置和电子设备。具有：在基板２的一个面上涂布.干燥含有有机强电介质材料的液状材料，形成具有结晶度比有机强电介质膜４还低的结晶度、以有机强电介质材料作为主材料而构成的低结晶度...

本发明公开一种半导体装置、半导体装置的制造方法以及电光学装置，其中薄膜晶体管（１０）将多晶硅膜（１ａ）作为有源层，具有将备有高浓度Ｎ型区域（１ｃ）、低浓度Ｎ型区域（１ｄ）、第１沟道区域（１ｅ）和高浓度Ｎ型区域（１ｇ）的第１薄膜晶体管部（...

本发明提供一种能以低电压进行数据的写入和删除的半导体装置及其制造方法。具有在Ｓｉ衬底１上隔着绝缘膜３形成的Ｓｉ层５、在Ｓｉ层５上隔着绝缘膜７形成的Ｓｉ层９、形成在Ｓｉ层５的至少一个侧面的ＰＭＯＳ２０、形成在Ｓｉ层９的至少一个侧面的ＮＭＯ...

本发明提供一种不易给予观看者外观上的不舒服感且商品价值高的电光装置、电光装置的制造方法及电子设备，其中设于贯通孔（８）内部的密封部件（９）设置得比显示基板（１）的显示面侧的表面（１ａ）还靠电光材料层（３）侧，并且在俯视情况下设于显示面侧...