半导体装置制造方法及图纸

技术编号:3178612 阅读:124 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置具有:半导体基板(10),形成有电极(14);树脂层(20),按照避开所述电极(14)的形式形成;连接盘(32),设在树脂层(20)上;布线(34),将电极(14)和连接盘(32)电连接;和外部端子(40),接合在连接盘(32)上。树脂层(20)包括:第1树脂部(22),避开连接盘(32)对外部端子(40)的接合面(35)的中央部,并支撑端部;和第2树脂部(24),与第1树脂部(22)相邻。第1树脂部(22)的弹性系数比第2树脂部(24)低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置,其中,半导体基板,其具有集成电路,形成有电极;树脂层,按照避开所述电极的形式被形成在所述半导体基板上;连接盘,其被设置在所述树脂层上;布线,用于将所述电极和所述连接盘电连接;和外部端子 ,其接合在所述连接盘上;所述树脂层包括:第1树脂部,其避开所述连接盘对所述外部端子的接合面的中央部,并支撑端部;和第2树脂部,其与所述第1树脂部相邻;所述第1树脂部的弹性系数比所述第2树脂部低;所述第1树脂部避开所述 连接盘对所述布线的连接部的下方,在围绕所述接合面的所述中央部的周缘部的下方形成;在所述连接盘对所述布线的所述连接部的下方,形成所述第2树脂部的一部分。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:黑泽康则
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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