本实用新型公开了一种晶片的封装单元堆迭模组，包含第一封装基材、第一上层电路和第一复数个上层金属柱，第一上层电路设置于第一封装基材上方；第一复数个上层金属柱设置于第一封装基材上方，电性耦合于第一上层电路。本实用新型是一种晶片封装单元的垂直...

本实用新型公开了一种封装基材，包含电路重新分布结构、封装材料、电路增层和沟槽，电路重新分布结构具有复数个上层金属垫，上层金属垫具有第一密度，适合晶片安置其上；封装材料包裹电路重新分布结构周围；电路增层设置于电路重新分布结构与封装材料的下...

本实用新型公开了一种高密度电路薄膜，包含下层电路重新布线层和上层电路重新布线层，下层电路重新布线层具有下层电路与下层绝缘层，下层电路具有复数个第一下层金属垫和复数个第一上层金属垫，第一下层金属垫的密度高于第一上层金属垫的密度；上层电路重...

本实用新型公开了一种晶片封装，包含核心基材、至少一根纵向导通金属、上层金属电路层、复数个上层焊垫和削薄的边缘，至少一根纵向导通金属穿过核心基材；上层金属电路层埋藏于上层介电材料中，上层金属电路层以及上层介电材料设置于核心基材的上方；复数...

一种集成电路封装结构，主要包括半导体装置、凸块下金属结构层（ＵｎｄｅｒＢｕｍｐＭｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ，ＵＢＭ）以及焊锡凸块（ＳｏｌｄｅｒＢｕｍｐ），其特点是该凸块下金属结构层主要包含黏着层（Ａｄｈｅｓｉｏｎｌａｙｅｒ），可附着基材并...

一种半导体封装装置，包括半导体装置、金属层、第二介电层及焊锡凸块，该金属层主要包含黏着层，可附着基材并可供后续金属层附着、导电层、及保护层，可供可焊锡性表面并防止该导电层被氧化。藉此，可省下额外组装凸块下金属结构层的设备费用，能直接以结...