本发明公开了基于多平面的时间触发以太网交换机及调度分组交换方法，涉及时间触发以太网交换机领域；其交换机配置为SC模式时，包括以太网帧分类模块、时间同步模块、PCF帧交换平面、TT帧交换平面、ET帧交换平面和以太网帧调度模块；以太网帧分类...

本发明公开了一种基于片上网络的数据采集方法，所述的方法包括以下内容：构建拓扑网络：根据系统的需求确定只是两个输入口和输出口构建拓扑网络；确定仲裁机制：根据拓扑网络的公平性和效率确定拓扑的仲裁机制；以降低拓扑网络中各分支树堵塞率为前提规定...

本发明公开了一种面向片上网络的阻塞疏导型的不定数据包长路由器的设计方法，所述设计方法包括以下内容：设计路由器微架构；在微架构的基础上设计路由器的工作时序；对路由器进行冲突仲裁设计保证数据包高效稳定的传输；对传递不定包长的数据进行不定包长...

本发明公开了一种面向数据采集系统的阻塞疏导旁路型路由器设计方法，所述的设计方法包括以下内容：微架构设计：根据路由器的数据传输路径及方式，确定路由器的旁路输入和输出口数；工作时序设计：根据阻塞疏导的功能要求规划数据传输时序；仲裁设计：根据...

本发明公开了一种用于实现片上网络跨层路由机制的路由控制单元，它包括：信息中转部件、中控部件、信息处理部件、算法扩展RC部件、预备缓存部件和精简备份RC部件。本发明结合片上网络跨层路由机制“联动、跨层次、复合算法、动态选择”的特点，其路由...

一种采样保持电路，包括第一运算放大器、第一开关、第二开关、第三开关、第一电阻、第二电阻、第一NMOS管和第一电容，第一电阻的一端作为采样保持电路的输入端，另一端连接第一NMOS管的漏极、第一开关的一端并通过第二电阻后连接第一运算放大器的...

本发明公开了一种集成鱼鳞形反射镜阵列的体声波谐振器及其加工方法，所述体声波谐振器包括SOI基底、位于SOI基底顶端的输入电极盘、输出电极盘、地电极盘，以及通过支撑梁固定并悬浮于SOI基底中心处的谐振体，谐振体两侧集成了鱼鳞形反射镜阵列；...

一种宽范围的环形压控振荡器电路，包括电压转电流模块、稳定共模电压模块、环形振荡器模块和输出整形模块，环形振荡器模块受输入控制电压的控制产生充电电流，能够使输入控制电压与输出振荡信号的频率曲线保持良好的线性度；电压转电流模块用于产生电流控...

本发明涉及一种基于双溶剂溶胶凝胶ZnO阴极缓冲层的有机太阳能电池制备方法，ZnO阴极缓冲层的制备方法为：在室温条件下，将醋酸锌和乙醇胺溶于柠檬烯与二甲氧基乙醇的混合溶剂中充分溶解，然后在预处理过的玻璃基底上旋涂成膜，进行退火处理得到Zn...

本发明属于有机半导体薄膜太阳能电池领域，公开了一种基于不同ZnO纳米颗粒低衰减特性的有机太阳能电池及制备方法，该有机太阳能电池采用反型结构，从下到上依次为衬底，透明导电阴极ITO，阴极缓冲层，光活性层，阳极缓冲层，金属阳极；所述阴极缓冲...

本发明提供一种基于SiO

本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种短路阳极薄层高压功率器件。本发明主要特征在于：采用两个凹形槽及隔离槽的结构正向导通时，阳极侧的凹形槽和隔离槽因为压缩了电子电流的流动通道，仅留有极为狭窄的导电通道可以增大阳极侧的分布电阻，从而消...

本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有自偏置PMOS的横向沟槽型IGBT及其制备方法。本发明在LIGBT器件结构的基础上增加了载流子存储层和纵向的槽栅结构，起到载流子存储作用，增强电导调制效应和减小器件导通压降；用分离栅包裹栅极...

本发明提供一种具有纵向浮空场板的器件及制造方法，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，且第一介质氧化层包围浮空场板多晶硅电极，所述纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列；本发明在器件关态引入全域M...

本发明提供一种具有深埋层的纵向浮空场板器件及制造方法，包括：深埋层，第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三...

一种超结MOS型功率半导体器件及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明提供一种包括多层第一导电类型半导体柱区以及通过异质结作为非平衡载流子势垒的功率半导体器件，实现了电荷平衡效应以及降低了源极一侧的高注入效率，解决了由实际工艺带来的...

一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在沟槽型绝缘栅双极晶体管的第二导电类型浮空区引入第二导电类型沟道耗尽型MOSFET，并使IGBT的栅电极与MOSFET的栅电极短接，在IGBT导通且发生大注入时，...

本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明在LIGBT器件结构的基础上，加入了载流子存储层，增强了漂移区电导调制效应，减小了器件导通压降；用分离栅包裹栅电极，减小密勒电容，降低关断时间，减小关断损...

本发明公开了一种带状电子注耦合腔慢波结构加工装配方法，将带状电子注耦合腔慢波结构分为两种结构，一种是空腔结构，一种是隔离叶片结构，空腔结构为矩形环，隔离叶片结构为外轮廓与矩形环相同的隔离叶片，隔离叶片的具体设置根据带状电子注耦合腔慢波结...

本发明公开一种异速电子注电子枪，应用于真空电子技术领域，为了解决现有技术无法解决发射具有不同速度电子注电子枪的难题；本发明采用具备阳极的高电势功能及具备阴极的电子注发射功能的阴极阳极混合结构，通过第一阴极与阴极阳极混合结构之间的电压差对...