基于超结漏场板的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法技术

技术编号：9992000 阅读：106 留言：0更新日期：2014-05-02 07:29

本发明专利技术公开了一种基于超结漏场板的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法，高压器件的结构从下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、本征GaN（或AlGaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上有源极、栅极和复合漏极，复合漏极包括：漏极和漏极场板，在栅源之间、栅漏之间还形成有线性AlGaN层、柵源场板、P型GaN（或InGaN）层、基极。本发明专利技术的有益之处在于：器件导通时第一、第二和第三区域的2DEG浓度增加，电阻减小，降低了器件导通电阻；器件截止时第一区域的2DEG减小，第二区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度，改变了电场分布，提高了器件击穿电压；本发明专利技术采用复合漏极结构和栅源场板，确保了电场峰值不会出现在漏极边缘和栅靠近源的边界处，提高了击穿电压。