一种AlGaN基垂直结构深紫外LED的制造方法技术

一种AlGaN基垂直结构深紫外LED的制造方法，其特征是步骤如下：1）在生长衬底(1)上生长h?BN层(2)；2）在h?BN层(2)上生长过渡层(3)；3）在过渡层(3)上生长非掺杂AlGaN层(4)；4）在非掺杂AlGaN层(4)上生长n?AlGaN层(5)；5）在n?AlGaN层(5)上生长多量子阱AlGaN/AlGaN层(6)；6）在多量子阱AlGaN/AlGaN层(6)上生长宽带隙p?AlGaN层(7)；7）在宽带隙p?AlGaN层(7)上生长p?AlGaN层(8)；8）在p?AlGaN层(8)上生长高空穴浓度p?GaN层(9)；9）在高空穴浓度的p?GaN层(9)上制作欧姆接触层(10)；10）由(1)~(10)组成的p面欧姆接触的外延片与导电衬底(11)相结合；11）转移衬底(1)，并去除h?BN层(2)、过渡层(3)及非掺杂AlGaN层(4)；12）在n?AlGaN层(5)上制作n电极(12)。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】，其特征是步骤如下：在生长衬底1上生长h-BN层2；在h-BN层2上生长过渡层3；在过渡层3上生长非掺杂AlGaN层4；在非掺杂AlGaN层4上生长n-AlGaN层5；在n-AlGaN层5上生长多量子阱AlGaN/AlGaN层6；在多量子阱AlGaN/AlGaN层6上生长宽带隙p-AlGaN层7；在宽带隙p-AlGaN层7上生长p-AlGaN层8；在p-AlGaN层8上生长高空穴浓度p-GaN层9；在高空穴浓度的p-GaN层9上制作欧姆接触层10；由1~10组成的p面欧姆接触的外延片与导电衬底11相结合；转移衬底1，并去除h-BN层2、过渡层3及非掺杂AlGaN层4；在n-AlGaN层5上制作n电极12。本专利技术提供了一种稳定性好，操作简单，成本低廉的机械转移衬底方法，具有操作简单、速度快、成本低廉、剥离损伤小，速度快等优点。【专利说明】一种AIGaN基垂直结构深紫外LED的制造方法
本专利技术属于半导体光电子领域，具体涉及一种利用h-BN作为材料生长缓冲层及衬底剥离层制备深紫外LED的方法。
技术介绍
固态紫外LED光源具有许多应用，如在有害生物制剂检测，水、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AlGaN基垂直结构深紫外LED的制造方法，其特征是步骤如下：1）在生长衬底(1)上生长h?BN层(2)；2）在h?BN层(2)上生长过渡层(3)；3）在过渡层(3)上生长非掺杂AlGaN层(4)；4）在非掺杂AlGaN层(4)上生长n?AlGaN层(5)；5）在n?AlGaN层(5)上生长多量子阱AlGaN/AlGaN层(6)；6）在多量子阱AlGaN/AlGaN层(6)上生长宽带隙p?AlGaN层(7)；7）在宽带隙p?AlGaN层(7)上生长p?AlGaN层(8)；8）在p?AlGaN层(8)上生长高空穴浓度p?GaN层(9)；9）在高空穴浓度的p?GaN层(9)上制作欧姆接触层(1...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张志清，陈志涛，刘晓燕，张康，刘宁炀，王君君，贺龙飞，赵维，范广涵，
申请(专利权)人：广州有色金属研究院，
类型：发明
国别省市：