柔性F掺杂SnO2透明导电薄膜及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种柔性F掺杂SnO2透明导电薄膜及制备方法，制备方法为：（1）取SnO2和SnF2粉体，混合均匀压制成板，升温，制备成F掺杂的SnO2靶材；（2）将清洁的聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底用氮气吹干放在磁控溅射仪样品台上；将F掺杂的SnO2靶材放在靶头上；（3）在真空条件下，加热衬底；（4）向磁控溅射仪中通入氧气和氩气作为溅射气体，溅射沉积，得到柔性F掺杂SnO2透明导电薄膜。本发明专利技术的薄膜透明性高，表面平整，颗粒均匀，电阻率适中，稳定性好，电学性能优良，为太阳能电池和透明显示设备的开发和应用提供了优良的基础。本发明专利技术的制备方法工艺流程简单，成本低，制备过程中不使用重金属，无污染。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种柔性F掺杂SnO2透明导电薄膜的制备方法，其特征是包括如下步骤：?（1）按摩尔比为95?70：5?30称取SnO2和SnF2粉体，混合均匀压制成板，升温至180?220℃保温5?15小时，升温至700℃?900℃保温0.5?2小时，制备成F掺杂的SnO2靶材；?（2）将清洁的聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底用氮气吹干放在磁控溅射仪样品台上；将F掺杂的SnO2靶材放在靶头上；?（3）在真空度P<1.0×10?3Pa在条件下，加热所述衬底至80?120℃；?（4）向磁控溅射仪中通入分压比为1/40?1/6的氧气和氩气作为溅射气体，在溅射功率为50?200W条件下溅射沉积，得到厚度为100?500nm的柔性F掺杂SnO2透明导电薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡永生，谭业武，王海燕，
申请(专利权)人：滨州学院，
类型：发明
国别省市：