有机发光显示面板制造技术

技术编号:9868530 阅读:116 留言:0更新日期:2014-04-03 06:43
本发明专利技术公开了一种能够通过有效提取有机发光层中产生的光来提高发光效率的有机发光显示面板。所述有机发光显示面板包括:形成在基板上的第一电极;形成在所述第一电极上的有机发光层;形成在所述有机发光层上的第二电极;形成在所述第二电极上的前部密封层,其中所述前部密封层通过交替层压无机阻挡层和有机阻挡层至少一次形成;和至少一个覆盖层,所述至少一个覆盖层形成在所述前部密封层的多个薄膜之中最靠近所述第二电极的最下层与所述第二电极之间,且所述至少一个覆盖层具有比所述最下层的折射率高的折射率。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显TF面板
本专利技术涉及一种能够通过有效提取有机发光层中产生的光来提高发光效率的有机发光显示面板
技术介绍
近年来,针对于阴极射线管(CRT)在重量和体积方面的缺点,已引入了重量和体积减小的各种平板显示装置。平板显示装置的例子为液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子显示面板(TOP)和有机电致发光显示器(ELD)。在这些显示装置之中,有机电致发光显示器是不用背光就可操作的自发光显示装置。由于诸如设计纤薄、重量轻、制造工艺简单、视角宽、响应快和对比度高的优异特性,有机电致发光显示器作为下一代平板显示器受到关注。特别是,有机电致发光显示器利用激子从激发态跃迁到基态而产生的能量来发光,其中当从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子在发光层中复合时产生所述激子。在这种有机电致发光显不器的有机发光层中产生的光束不能全部到达外部,大部分光束由于全内反射被损耗掉。因为有机发光层中产生的光束只有大约1/4到达外部,所以有机电致发光显不器的发光效率较低。因而,仍然需要研发各种通过有效提取有机发光层中产生的光来提高发光效率的方法。
技术实现思路
本专利技术涉及一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的有机发光显示面板。本专利技术的一个目的是提供一种能够通过有效提取有机发光层中产生的光来提高发光效率的有机发光显示面板。在下面的描述中将列出本专利技术的其它优点、目的和特征,这些优点、目的和特征的一部分从下面的描述对于本领域普通技术人员来说是显而易见的,或者可从本专利技术的实施领会到。通过说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本专利技术的这些目的和其他优点。为了实现这些和其他优点并根据本专利技术的目的,如在此具体和概括描述的,一种有机发光显不面板,包括:形成在基板上的第一电极;形成在所述第一电极上的有机发光层;形成在所述有机发光层上的第二电极;形成在所述第二电极上的前部密封层,其中所述前部密封层是通过无机阻挡层和有机阻挡层交替层压至少一次而形成;和至少一个覆盖层,所述至少一个覆盖层形成在所述前部密封层的多个薄膜之中最靠近所述第二电极的最下层与所述第二电极之间,且所述至少一个覆盖层具有比所述最下层的折射率高的折射率。所述最下层可以是所述前部密封层的多个薄膜之中最靠近所述第二电极的所述无机阻挡层。所述最下层,即所述无机阻挡层,可具有1.2-3的折射率,所述覆盖层具有1.3-3.1的折射率。所述最下层,即所述无机阻挡层,可具有0.5-100 μ m的厚度,所述覆盖层具有20-200nm的厚度。所述覆盖层可具有包括Si02、SiNx、ZnS, LiF、PA、P1、TeO2、WO3、V2O5、Alx0y、ZnSe、三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物、CBP或三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)络合物的单层结构或者包括 SiO2、SiNx, ZnS, LiF、PA、PI, TeO2, WO3> V2O5, AlxOy, ZnSe、三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物、CBP或三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)络合物的多层结构。所述无机阻挡层可具有包括选自Si0x、Si0N、SiNx、Alx0y和LiF构成组中的至少一种的单层结构或者包括选自Si0x、Si0N、SiNx, AlxOy和LiF构成组中的至少一种的多层结构。所述最下层可以是谐振诱导层,所述谐振诱导层形成在所述前部密封层的多个薄膜之中最靠近所述第二电极的所述无机阻挡层与所述覆盖层之间,且所述谐振诱导层具有比最靠近所述第二电极的所述无机阻挡层和覆盖层低的折射率。所述谐振诱导层可具有1.2-3的折射率,最靠近所述第二电极的所述无机阻挡层和覆盖层具有1.3-3.1的折射率。所述谐振诱导层可具有使用选自PA、P1、三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物、CPB、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)络合物、SiNx、SiOx、SiON和LiF构成的组中的至少一种的单层结构或者多层结构。应当理解,本专利技术前面的一般性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的,意在对要求保护的内容提供进一步的解释。【附图说明】附图提供对本专利技术的进一步理解并且并入说明书而组成说明书的一部分。所述附图示出本专利技术的实施方式,并且与说明书文字一起用于解释本专利技术的原理。在附图中:图1是图解根据本专利技术第一个实施方式的有机发光显示面板的剖面图;图2是用于详细描述图1中所示的前部密封层的一个例子的剖面图;图3是用于详细描述图1中所示的前部密封层的另一个例子的剖面图;图4是图解根据本专利技术第二个实施方式的有机发光显示面板的剖面图;图5图解了用于描述根据本专利技术的有机发光显示面板和常规有机发光显示面板的蓝色光效率的曲线和表格;和图6图解了用于描述根据本专利技术的有机发光显示面板和常规有机发光显示面板的色坐标相对于空穴传输层厚度的变化的曲线和表格。【具体实施方式】现在将详细描述本专利技术的优选实施方式,附图中图解了这些实施方式的一些例子。尽可能地,在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部件。图1是图解根据本专利技术第一个实施方式的有机发光显示面板的剖面图。图1中所示的有机发光显示面板包括薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的发光单元、形成用于保护发光单元的覆盖层130、以及前部密封层140。薄膜晶体管包括栅极电极106、与发光单元的第一电极122连接的漏极电极110、与漏极电极110相对的源极电极108、有源层114,所述有源层114覆盖栅极电极106,同时在有源层114与栅极电极106之间插入有栅极绝缘层112,从而在源极电极108与漏极电极110之间形成沟道、以及形成在除沟道之外的有源层上的欧姆接触层116,用于与源极电极108和漏极电极110欧姆接触。在薄膜晶体管上依次形成由无机绝缘材料形成的无机钝化层118和由有机绝缘材料形成的有机钝化层128。有机钝化层128使其上设置有薄膜晶体管的基板101平坦。无机钝化层118提高栅极绝缘层112及源极电极和漏极电极108和110各自与有机钝化层128之间的界面稳定性。发光单元包括形成在有机钝化层128上的第一电极122、包括发光层且形成在第一电极122上的有机发光层124、以及形成在有机发光层124上的第二电极126。有机发光层124包括依次或以相反顺序形成在第一电极122上的空穴相关层、发光层和电子相关层。有机发光层124形成在由划分每个发光区域的堤绝缘层102所限定的堤孔中。第一电极122通过穿透无机钝化层118和有机钝化层128的像素接触孔120与薄膜晶体管的漏极电极Iio电连接。第一电极122具有通过层压诸如铝(Al)的不透明导电材料和诸如氧化铟锡(ITO)的透明导电材料形成的结构。在这一点上,第一电极122中包含的不透明导电材料将有机发光层124中产生的并朝基板101传播的光向第二电极126反射。第二电极126形成在有机发光层124上。第二电极126由透明导电材料如ITO形成。因而,有机发光层124中产生的光经过第二电极126向上发射。覆盖层130诱使在有机发光层124中产生的光束之间产生最大的相长干涉,以将有机发光层124中产生的光有效地发射到外部。就是说,在有机发光层124中产生的光束之中,覆盖层130反射其中预定强度不足以穿过覆盖层130的光束。这里,不能穿过覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示面板,包括:形成在基板上的第一电极;形成在所述第一电极上的有机发光层;形成在所述有机发光层上的第二电极;形成在所述第二电极上的前部密封层,其中所述前部密封层是通过层压无机阻挡层和有机阻挡层交替至少一次而形成的;和至少一个覆盖层,形成在所述前部密封层的多个薄膜之中最靠近所述第二电极的最下层与所述第二电极之间,且所述至少一个覆盖层具有比所述最下层的折射率高的折射率。

【技术特征摘要】
2012.09.11 KR 10-2012-01003171.一种有机发光显不面板,包括: 形成在基板上的第一电极; 形成在所述第一电极上的有机发光层; 形成在所述有机发光层上的第二电极; 形成在所述第二电极上的前部密封层,其中所述前部密封层是通过层压无机阻挡层和有机阻挡层交替至少一次而形成的;和 至少一个覆盖层,形成在所述前部密封层的多个薄膜之中最靠近所述第二电极的最下层与所述第二电极之间,且所述至少一个覆盖层具有比所述最下层的折射率高的折射率。2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中所述最下层是所述前部密封层的多个薄膜之中最靠近所述第二电极的所述无机阻挡层。3.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其中所述最下层,即所述无机阻挡层,具有1.2-3的折射率,所述覆盖层具有1.3-3.1的折射率。4.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其中所述最下层,即所述无机阻挡层,具有0.5-100 μ m的厚度,所述覆盖层具有20-200nm的厚度。5.根据权利要求1所 述的有机发光显示面板,其中所述覆盖层具有包括Si02、S...

【专利技术属性】
技术研发人员:曺永德李光渊李熙东朴银贞尹弘济文相经
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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