一种管脚跨导值恒定的驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种管脚跨导值恒定的驱动电路。该管脚跨导值恒定的驱动电路连接至器件管脚，电路包括第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第四PMOS管（P4）、第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）、第四NMOS管（N4）、第五NMOS管（N5）、第六NMOS管（N6）和电阻（R）。本发明专利技术的有益效果是：即使管脚连接的负载发生变化，也能维持该管脚的跨导恒定，维持该管脚对负载的驱动能力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种管脚跨导值恒定的驱动电路，该电路连接至器件管脚，其特征在于，所述电路包括参数相同的第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第四PMOS管（P4），第一NMOS管（N1），参数相同的第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）、第四NMOS管（N4）、第五NMOS管（N5），第六NMOS管（N6）和电阻（R）；所述第一PMOS管（P1）的源极接电压源（VDD），栅极连接第一PMOS管（P1）的漏极、第二PMOS管（P2）的栅极、第三PMOS管（P3）的源极；第二PMOS管（P2）的源极连接电压源（VDD），漏极连接第四PMOS管（P4）的源极；第三PMOS管（P3）的栅极连接第四PMOS管（P4）的栅极、第三PMOS管（P3）的漏极、第二NMOS管（N2）的漏极、第一NMOS管（N1）的栅极；第四PMOS管（P4）的漏极连接第三NMOS管（N3）的栅极和漏极、第一NMOS管（N1）的源极、第二NMOS管（N2）的栅极；所述第一NMOS管（N1）的漏极连接电压源（VDD）；第二NMOS管（N2）的源极连接第四NMOS管（N4）的漏极；第三NMOS管（N3）的源极连接第五NMOS管（N5）的漏极和栅极、第四NMOS管（N4）的栅极；第四NMOS管（N4）的源极连接第六NMOS管（N6）的源极；第五NMOS管（N5）的源极接地；第六NMOS管（N6）的源极连接器件管脚（33），栅极连接控制信号端（EN）；电阻（R）串联于器件管脚（33）和地之间。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余力，桑园，吴勇，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41