内存管理方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及一种内存管理方法和系统。所述内存管理方法包括以下步骤：监测内存所在环境的温度值；判断所述温度值是否小于预设的最低工作温度或大于预设的最高工作温度，若是，则将所述内存的刷新频率调节为与所述温度值相应的刷新频率。上述内存管理方法和系统，当监测温度值小于最低工作温度时，调节内存的刷新频率为与该温度值对应的刷新频率，可使得在内存中的数据未降到门限电压以下前，读取内存的数据，避免出现读取错误，在环境温度低于最低工作温度或高于最高工作温度时，不需在低温时设计额外的加热电路对内存进行升温，或在高温时对内存进行降温，也不需选取昂贵的内存适应低温和高温环境，降低了成本，且扩宽了内存的工作温度范围。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种内存管理方法和系统。所述内存管理方法包括以下步骤：监测内存所在环境的温度值；判断所述温度值是否小于预设的最低工作温度或大于预设的最高工作温度，若是，则将所述内存的刷新频率调节为与所述温度值相应的刷新频率。上述内存管理方法和系统，当监测温度值小于最低工作温度时，调节内存的刷新频率为与该温度值对应的刷新频率，可使得在内存中的数据未降到门限电压以下前，读取内存的数据，避免出现读取错误，在环境温度低于最低工作温度或高于最高工作温度时，不需在低温时设计额外的加热电路对内存进行升温，或在高温时对内存进行降温，也不需选取昂贵的内存适应低温和高温环境，降低了成本，且扩宽了内存的工作温度范围。【专利说明】内存管理方法和系统
本专利技术涉及计算机技术，特别是涉及一种内存管理方法和系统。
技术介绍
内存是计算机系统架构中的重要组成部分，它实现数据的存储功能:存放原始数据、中间数据和运算结果等，也是高速执行单元与外部低速存储设备的缓冲单元。按照读取方式，内存分为只读存储器(Read Only Memory，简称ROM)和随机存储器(Random Access Memory,简称RAM),由于RAM的高速存取、读写时间相等、且与地址无关等优势，内存一般均用RAM实现，RAM依赖电容器充放电原理存储数据，并通过一个η通道MOS的电晶体管(nMOS)对电容的开关控制来实现数据的读取，但是由于随着温度降低MOS漏电流增大，使电容上电量泄放更快，导致当需要读取数据时，电容上电量低于有效电压，使数据读取错误。目前，为了在低温的环境中使用内存，主要采用两种方式，第一种是采用宽温度范围适应的内存芯片，例如有的厂商推出-40°C、85°C工业级内存芯片，但该类产品型号少，工作频率低于常用频率，且价格昂贵；第二种采用外部辅助加热装置，对内存进行加热，当监测到环境文件上升至允许工作温度，再加电工作，该方式附加有繁琐的外围控制电路，且为了使温度能有效传递到内存，往往需要改变内存的结构，增加了成本。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种内存管理方法，能使得内存在宽温度范围内正常工作，且成本较低。一种内存管理方法，包括以下步骤:监测内存所在环境的温度值；判断所述温度值是否小于预设的最低工作温度或大于预设的最高工作温度，若是，则将所述内存的刷新频率调节为与所述温度值相应的刷新频率。在其中一个实施例中，所述将所述内存的刷新频率调节为与所述温度值相应的刷新频率的步骤包括:根据所述温度值从预设的温度与内存刷新频率之间的对应关系中查找到相应的刷新频率；将所述内存的刷新频率调节为所述查找到的相应的刷新频率。在其中一个实施例中，在所述监测内存所在环境的温度值的步骤之前，还包括步骤:预先建立对应表以及温度与内存刷新频率之间的对应关系，并将所述温度与内存刷新频率之间的对应关系存储在所述对应表中；根据所述温度值从预设的温度与内存刷新频率之间的对应关系中查找到相应的刷新频率的步骤具体为:根据所述温度值从所述对应表中存储的预设的温度与内存刷新频率之间的对应关系中查找到相应的刷新频率。在其中一个实施例中，所述预先建立温度与内存刷新频率之间的对应关系的步骤包括:选定温度；在不同的刷新频率下多次测试内存的误码率，形成数据分布曲线；根据所述统计的数据分布曲线和允许的最低误码率确定相应的刷新频率；建立温度与相应的内存的刷新频率之间的对应关系。在其中一个实施例中，在所述将所述内存的刷新频率调节为与所述温度值相应的刷新频率的步骤之后，还包括步骤:按预设时间间隔监测内存所在环境的温度值。此外，还有必要提供一种内存管理系统，能使得内存在宽温度范围内正常工作，且成本较低。一种内存管理系统，包括:温度监测模块，用于监测内存所在环境的温度值；内存控制模块，用于判断所述温度值是否小于预设的最低工作温度，或者大于预设的最高工作温度，若是，则将所述内存的刷新频率调节为与所述温度值相应的刷新频率。在其中一个实施例中，所述内存控制模块还用于根据所述温度值从预设的温度与内存刷新频率之间的对应关系中查找到相应的刷新频率，以及将所述内存的刷新频率调节为所述查找到的相应的刷新频率。在其中一个实施例中，还包括:创建模块，用于预先建立对应表以及温度与内存刷新频率之间的对应关系，并将所述温度与内存刷新频率之间的对应关系存储在所述对应表中；所述内存控制模块还用于根据所述温度值从所述对应表中存储的预设的温度与内存刷新频率之间的对应关系中查找到相应的刷新频率。在其中一个实施例中，所述创建模块包括:选定模块，用于选定温度；统计模块，用于在不同的刷新频率下多次测试内存的误码率，形成数据分布曲线.分析模块，用于根据统计的数据分布曲线和允许的最低误码率确定相应的刷新频率；关系建立模块，用于建立温度与相应的内存的刷新频率之间的对应关系。在其中一个实施例中，所述温度检测模块还用于按预设时间间隔监测内存所在环境的温度值。上述内存管理方法和系统，当监测温度值小于最低工作温度时，调节内存的刷新频率为与该温度值对应的刷新频率，可使得在内存中的数据未降到门限电压以下前，读取内存的数据，避免出现读取错误，在环境温度低于最低工作温度或高于最高工作温度时，不需在低温时设计额外的加热电路对内存进行升温，或在高温时对内存进行降温，也不需选取昂贵的内存适应低温和高温环境，降低了成本，且扩宽了内存的工作温度范围。【专利附图】【附图说明】图1为一个实施例中内存管理方法的流程图；图2为一个实施例中将内存的刷新频率调节为与该温度值相应的刷新频率的具体流程图；图3为一个实施例中预先建立温度与内存刷新频率之间的对应关系的具体流程图；图4为未更改前电容电压变化曲线及未更改前低温下刷新频率的示意图；图5为更改后电容电压变化曲线及更改后低温下刷新频率的示意图；图6为一个实施例中内存管理系统的内部结构不意图；图7为另一个实施例中内存管理系统的内部结构示意图；图8为一个实施例中创建模块的内部结构示意图。【具体实施方式】下面结合具体的实施例及附图对内存管理方法和系统的技术方案进行详细的描述，以使其更加清楚。如图1所示，在一个实施例中，一种内存管理方法，包括以下步骤:步骤S110，监测内存所在环境的温度值。具体的，内存所在的环境的温度值可通过温度监测模块实现，如温度监测模块可以是温度传感器或内部集成PN结的温度监控芯片等，该温度传感器可为热敏电阻或PN结。通过温度传感器采集温度模拟信号，然后通过模数转换器转换为温度数字信号，再将温度数字信号传递给计算机系统；或者通过温度监控芯片检测并转换得到温度数字信号后通过I2C总线传输给计算机系统。步骤S120，判断该监测的温度值是否小于预设的最低工作温度，或者大于预设的最高工作温度，若是，则执行步骤S130，若否，则执行步骤S140。具体的，内存正常工作存在一个温度范围，例如10°C?80°C，10°C即为最低工作温度，80°C为最高工作温度，当低于最低工作温度或高于最高工作温度时，可能出现数据读取错误。步骤S130，将内存的刷新频率调节为与该温度值相应的刷新频率。步骤S140，运行计算机系统，对内存的数据进行读取。具体的，监测的环境的温度值大于等于最低工作温度小于等于最高工作温度时，即环境的温度值位于最本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内存管理方法，包括以下步骤：监测内存所在环境的温度值；判断所述温度值是否小于预设的最低工作温度或大于预设的最高工作温度，若是，则将所述内存的刷新频率调节为与所述温度值相应的刷新频率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志列，廖宇晖，
申请(专利权)人：研祥智能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44