一种高附着力高硬度低摩擦系数类金刚石膜的涂层设备制造技术

本发明专利技术涉及一种可实现高附着力、高硬度、低摩擦系数类金刚石膜的涂层设备，它包括涂层室、行星旋转工件架、磁过滤弧源、分子泵。本发明专利技术采用磁过滤功能与高真空多弧靶结构，采用本发明专利技术制作的类金刚石膜涂层具有结构致密、附着力强、硬度高、摩擦系数小等优点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种可实现高附着力、高硬度、低摩擦系数类金刚石膜的涂层设备，它包括涂层室、行星旋转工件架、磁过滤弧源、分子泵。本专利技术采用磁过滤功能与高真空多弧靶结构，采用本专利技术制作的类金刚石膜涂层具有结构致密、附着力强、硬度高、摩擦系数小等优点。【专利说明】一种高附着力高硬度低摩擦系数类金刚石膜的涂层设备
本专利技术涉及一种类金刚石膜涂层设备。
技术介绍
类金刚石膜涂层(Diamond-like Carbon)简称DLC涂层。类金刚石(DLC)薄膜是一种含有一定量金刚石键(sp2和sp3)的非晶碳的亚稳类的薄膜。薄膜的主要成分是碳，因为碳能以三种不同的杂化方式sp3、sp2和spl存在，所以碳可以形成不同晶体的和无序的结构。这也使得对碳基薄膜的研究变得复杂化。在sp3杂化结构中，一个碳原子的四个价电子被分配到具有四面体结构的定向的sp3轨道中，碳原子与相邻的原子形成很强的古键，这种键合方式我们通常也称之为金刚石键。在sp2杂化结构中，碳的四个价电子中的三个进入三角形的定向的sp2轨道中，并在一个平面上形成?键，第四个电子位于同古键一个平面的P π轨道。π轨道同一个或多个相邻的原子形成弱的π键。而在spl结构中，四个价电子中的两个进入η轨道后各自在沿着X轴的方向上形成?键，而另外两个价电子则进入y轴和ζ轴的P π轨道形成π键。DLC碳膜可以被掺杂不同的元素得到掺杂的DLC(N-DLC)薄膜。它们中的C都是以sp3、sp2和spl的键合方式而存在，因而有诸多与金刚石膜相似的性能。类金刚石(DLC)膜具有许多与金刚石相似或相近的优良性能，如硬度高、弹性模量高、摩擦系数低、生物相溶性好、声学性能好、电学性能佳等。DLC薄膜发展到今天，已经为越来越多的研究者和工业界所熟知和关注，在工业各领域都有极大的应用前景。目前DLC薄膜已经在航空航天、精 密机械、微电子机械装置、磁盘存储器、汽车零部件、光学器材和生物医学等多个领域有广泛的应用，是具有重要应用前景的高性能的无机非金属薄膜材料。美国已经将类金刚石薄膜材料作为21世纪的战略材料之一。目前类金刚石膜的研究、开发、制备及应用正向深度和广度推进。类金刚石制备的方法很多:如离子束辅助沉积、磁控溅射、真空阴极电弧沉积、等离子体增强化学气相沉积、离子注入法等。但不同的制备方法，DLC膜的成分、结构和性能有很大的差别。要实现大批量、大面积、质优的DLC膜的应用，还存在不少问题。如:目前大多数沉积设备或装置都属于实验室使用原理型的设备，制备成本高、单炉次产量小、不能连续生产。不能作工业企业大批量生产，实现产业化的设备。目前传统设备或者装置制备的涂层质量不稳定，涂层附着力差，膜层厚度极其微薄(I μ m左右)等。不能满足实际应用特别是在高运动付，高频率摩擦的狭窄工件表面涂层DLC的质量要求。
技术实现思路
本专利技术是为了克服现有技术的不足，提供一种可规模化生产、实现产业化而且可实现高附着力、高硬度、低摩擦系数的类金刚石膜的涂层设备。本专利技术是通过以下技术方案予以实现的:一种高附着力高硬度低摩擦系数类金刚石膜的涂层设备，它包括涂层室、行星旋转工件架、磁过滤弧源、分子泵、真空系统，所述涂层室为立式圆柱形，整体双层水冷式结构，所述涂层室前部设有进料门，所述涂层室的顶部设有管状加热器、热电偶接口，所述涂层室的底部设有进气口和行星旋转工件架，所述行星旋转工件架底部连接有驱动系统，所述涂层室的侧壁安装有磁过滤弧源，所述涂层室的后部安装有分子泵和真空系统。进一步的，所述磁过滤弧源由引弧电极、阴极支架、靶材、推弧电磁线圈、聚焦电磁线圈、弯头组成，所述靶材安装在阴极支架上，所述引弧电极和所述阴极支架外接引弧电源，所述推弧电磁线圈和所述聚焦电磁线圈安装在所述引弧电极和阴极支架产生电弧处的外围。进一步的，所述弯头为锥度2°弯曲弧度为100°的锥度弯头，所述锥度弯头的外表面安装有多个弯曲弧电磁线圈，在锥度弯头内形成强度为O~20 mT的弯曲磁场。本专利技术的工作原理:磁过滤弧源内的引弧电极和阴极支架外接引弧电源，聚焦电磁线圈产生的推动力将电弧推向前方，适当调节推弧电磁线圈和聚焦电磁线圈的线圈电流，还可以控制阴极斑点在阴极表面运动的范围，使阴极进行均匀刻蚀，得到一个稳定燃烧的冷等离子体电弧。锥度弯头为等离子体通过的管道，弯曲弧电磁线圈可以产生强度为O~20 mT的弯曲磁场，起到弯曲电弧过滤中性粒子等宏观粒子团的作用。最后，阴极材料离子通过锥度弯头出口进入涂层室。在涂层室内，根据工艺要求设置好加热温度、真空度，再充入N、C、H、O2、CH4等气体，磁过滤后的离子在工件表面进行镀膜。本专利技术具有以下技术效果: (I)本专利技术采用磁过滤功能与高真空多弧靶另加强大的离子源组合涂层法，多束弧源使其多方位触发电极和石墨阴极之间产生真空电弧放电，激发出高离化率的碳等离子体，采用磁过滤线圈过滤掉弧源产生的大颗粒和中性原子，可使到达衬底的几乎全部是碳离子，用较高的沉积速率制备出高质量，致密的无氢膜。(2)本专利技术设置多个磁过滤弧`源用于沉积DLC涂层，多个磁过滤弧源分列均布于真空室侧壁及大门，各靶位具有互换性，方便功能扩展及沉积工艺调整；本设备真空系统配置分子泵为主抽泵，避免真空泵油在镀膜过程中的污染现象；本专利技术采用PLC+工控机手、自动一体的控制方式，人机界面触摸屏操作模式。(3)本专利技术的特点是采用锥度弯头(锥2°弯100° )可以克服靶材引出的直角阻力，可以充分发挥引弧的吸力和推弧的作用，将靶材顺利的引入涂层室沉积在工件上。本专利技术的靶材利用率达到60%以上。本专利技术涂层设备生产质量稳定可靠、可应用于大批量生产，有利于降低生产成本，实现产业化。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的俯视图。图2为本专利技术的左视图。图3为磁过滤弧源的结构示意图。图4为采用本专利技术设备制备的类金刚石膜涂层的表面形貌图。图5为采用本专利技术设备制备的类金刚石膜涂层的拉曼光谱图。图6为采用本专利技术设备制备的类金刚石膜涂层的摩擦系数检测图。图7为采用本专利技术设备制备的类金刚石膜涂层的截面形貌图。附图中:I一磁过滤弧源，2—涂层室，3—真空系统，4一机架，5—分子泵，6—行星旋转工件架，7—进料门，8—热电偶接口，9一管状加热器，10—驱动系统，11一进气口，12—阴极支架，13—引弧电极，14 一推弧电磁线圈，15—靶材，16—弯头，17—弯曲弧电磁线圈，18—聚焦电磁线圈。【具体实施方式】 下面结合附图，对本专利技术进一步详细阐述。如图1、图2所示，一种高附着力高硬度低摩擦系数类金刚石膜的涂层设备，包括涂层室2、行星旋转工件架6、磁过滤弧源1、分子泵5、机架4。涂层室2固定安装在机架4上，涂层室2采用立式圆柱形结构Φ900 X 900mm，不锈钢材质，整体双层水冷式结构，前开门结构，便于更换样品、靶材15及日常维护。真空室整体焊接后进行热处理消除焊接应力防止焊后变形。涂层室2前部开有进料门7和观察窗，涂层室2的顶部设有管状加热器9、热电偶接口 8、充气阀及预留CF35法兰接口。所述涂层室2的后部安装有分子泵5和真空系统3。涂层室2的底部设有进气口 11和行星旋转工件架6，所述行星旋转工件架6底部连接有驱动系统10，所述行星旋转工件架6是由直流电机将旋本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高附着力高硬度低摩擦系数类金刚石膜的涂层设备，其特征在于：它包括涂层室、行星旋转工件架、磁过滤弧源、分子泵、真空系统，所述涂层室为立式圆柱形，整体双层水冷式结构，所述涂层室前部设有进料门，所述涂层室的顶部设有管状加热器、热电偶接口，所述涂层室的底部设有进气口和行星旋转工件架，所述行星旋转工件架底部连接有驱动系统，所述涂层室的侧壁安装有磁过滤弧源，所述涂层室的后部安装有分子泵和真空系统。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈远达，王胜云，何静，
申请(专利权)人：湖南中航超强金刚石膜高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：