一种用于RFID读写器的收发电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于RFID读写器的收发电路，包括射频芯片、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、晶振、第一电感、第二电感、第三电感、天线和电源。本实用新型专利技术电路结构简单，耗电量低，成本低廉，实用范围广，具有普及推广的价值。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
—种用于RFID读写器的收发电路
本技术涉及一种收发电路，尤其涉及一种用于RFID读写器的收发电路。
技术介绍
RFID利用了电磁波空间耦合、传播进行通信，以达到自动识别被标识对象，获取对象信息的目的，同其他一些识别技术相比，射频识别技术具有高效快捷、非接触、无污染、识别率高等突出优点，识别过程无需人工干预，可在恶劣环境下工作，能够应用到很多行业，现今的用于RFID读写器的收发电路结构复杂，耗电量较高，实用范围太窄。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种实用范围广的用于RFID读写器的收发电路。本技术通过以下技术方案来实现上述目的:本技术包括射频芯片、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、晶振、第一电感、第二电感、第三电感、天线和电源，所述射频芯片的发射器电源端同时与所述第一电感的第一端、所述第六电容的第一端、所述第五电容的第一端和所述电源的正极连接，所述射频芯片的漏级输出端同时与所述第一电感的第二端、所述第六电容的第二端和所述第七电容的第一端连接，所述第七电容的第二端同时与所述第三电阻的第一端和所述第三电感的第一端连接，所述第三电感的第二端同时与所述第二电感的第一端和所述第八电容的第一端连接，所述第八电容的第二端接地，所述第二电感的第二端与所述天线的信号输出端连接，所述射频芯片的电阻模式端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述射频芯片的发射器接地端、所述射频芯片的第一外接晶振端、所述晶振的第一端和所述第五电阻的第二端连接并接地，所述射频芯片的第二外接晶振端同时与所述第四电容的第一端和所述晶振的第二端连接，所述射频芯片的数字接地端同时与所述射频芯片的的第一空脚端、所述射频芯片的第二空脚端、所述第四电容的第二端连接并接地，所述射频芯片的数字电源端同时与所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端和所述电源的正极连接，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端均接地，所述射频芯片的接收器电源端同时与所述第一电阻的第一端和所述第三电容的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述电源的正极连接，所述第三电容的第二端与所述射频芯片的接收器接地端连接并接地，所述射频芯片的接收器输入端与所述第三电阻的第二端连接。本技术的有益效果在于:本技术电路结构简单，耗电量低，成本低廉，实用范围广，具有普及推广的价值。 【附图说明】图1是本技术的电路原理图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术作进一步说明:如图1所示，本技术包括射频芯片U、第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、晶振X、第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、天线ANT和电源，射频芯片U的发射器电源端I同时与第一电感LI的第一端、第六电容C6的第一端、第五电容C5的第一端和电源的正极连接，射频芯片U的漏级输出端2同时与第一电感I的第二端、第六电容C6的第二端和第七电容C7的第一端连接，第七电容C7的第二端同时与第三电阻R3的第一端和第三电感L3的第一端连接,第三电感L3的第二端同时与第二电感L2的第一端和第八电容C8的第一端连接，第八电容C8的第二端接地，第二电感L2的第二端与天线ANT的信号输出端连接，射频芯片U的电阻模式端3与第二电阻R2的第一端连接，第二电阻R2的第二端同时与射频芯片U的发射器接地端4、射频芯片U的第一外接晶振端5、晶振X的第一端和第五电阻R5的第二端连接并接地，射频芯片U的第二外接晶振端6同时与第四电容C4的第一端和晶振X的第二端连接，射频芯片U的数字接地端7同时与射频芯片U的的第一空脚端9、射频芯片的第二空脚端10、第四电容C4的第二端连接并接地，射频芯片U的数字电源端12同时与第一电容Cl的第一端、第二电容C2的第一端和电源的正极连接,第一电容Cl的第二端和第二电容C2的第二端均接地，射频芯片U的接收器电源端17同时与第一电阻Rl的第一端和第三电容C3的第一端连接，第一电阻Rl的第二端与电源的正极连接，第三电容C3的第二端与射频芯片U的接收器接地端19连接并接地，射频芯片U的接收器输入端20与第三电阻R3的第二端连接。本技术中的射频芯片U选R1-R6C-001，它是针对IC卡读写的多协议芯片，电源通常是+5V电源，第三电阻R3为调制深度选择电阻，当其为12欧姆时，调制深度为10% ；当其为18欧姆时，调制深度为20%。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于RFID读写器的收发电路，其特征在于：包括射频芯片、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、晶振、第一电感、第二电感、第三电感、天线和电源，所述射频芯片的发射器电源端同时与所述第一电感的第一端、所述第六电容的第一端、所述第五电容的第一端和所述电源的正极连接，所述射频芯片的漏级输出端同时与所述第一电感的第二端、所述第六电容的第二端和所述第七电容的第一端连接，所述第七电容的第二端同时与所述第三电阻的第一端和所述第三电感的第一端连接，所述第三电感的第二端同时与所述第二电感的第一端和所述第八电容的第一端连接，所述第八电容的第二端接地，所述第二电感的第二端与所述天线的信号输出端连接，所述射频芯片的电阻模式端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述射频芯片的发射器接地端、所述射频芯片的第一外接晶振端、所述晶振的第一端和所述第五电阻的第二端连接并接地，所述射频芯片的第二外接晶振端同时与所述第四电容的第一端和所述晶振的第二端连接，所述射频芯片的数字接地端同时与所述射频芯片的的第一空脚端、所述射频芯片的第二空脚端、所述第四电容的第二端连接并接地，所述射频芯片的数字电源端同时与所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端和所述电源的正极连接，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端均接地，所述射频芯片的接收器电源端同时与所述第一电阻的第一端和所述第三电容的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述电源的正极连接，所述第三电容的第二端与所述射频芯片的接收器接地端连接并接地，所述射频芯片的接收器输入端与所述第三电阻的第二端连接。...

【技术特征摘要】
1.一种用于RFID读写器的收发电路，其特征在于:包括射频芯片、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、晶振、第一电感、第二电感、第三电感、天线和电源，所述射频芯片的发射器电源端同时与所述第一电感的第一端、所述第六电容的第一端、所述第五电容的第一端和所述电源的正极连接，所述射频芯片的漏级输出端同时与所述第一电感的第二端、所述第六电容的第二端和所述第七电容的第一端连接，所述第七电容的第二端同时与所述第三电阻的第一端和所述第三电感的第一端连接，所述第三电感的第二端同时与所述第二电感的第一端和所述第八电容的第一端连接，所述第八电容的第二端接地，所述第二电感的第二端与所述天线的信号输出端连接，所述射频芯片的电阻模式端与所述第二电阻的第一端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：巫梦飞，陈伟，周卫民，
申请(专利权)人：成都新方洲信息技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：