一种提升晶体硅太阳电池光电转换效率的扩散工艺制造技术

技术编号:9767190 阅读:214 留言:0更新日期:2014-03-15 17:59
本发明专利技术公开了一种提升晶体硅太阳电池光电转换效率的扩散方法,增加扩散工艺推进步骤的氧气流量,减缓结深变大,同时明显提高N层杂质含量,PN结电势差加大导致开路电压得到一定的提升,从而提高光电转换效率,该方法工艺简单成本低廉,对太阳电池的光电转换效率有一定的提升。

【技术实现步骤摘要】
一种提升晶体硅太阳电池光电转换效率的扩散工艺
本专利技术涉及一种提升晶体硅太阳电池光电转换效率的扩散方法,属于太阳能电池领域。
技术介绍
在太阳能电池领域中,扩散工艺采用推进的方式可以降低表面扩散浓度,从而可减少扩散层的复合,由此可提高光线的短波响应,使得短路电流、开路电压都得到一定的提升,最终提高光电转换效率,但带来结深变大的问题会影响这一效果。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种提升晶体硅太阳电池光电转换效率的扩散方法,增加扩散工艺推进步骤的氧气流量,减缓结深变大,同时明显提高N层杂质含量,PN结电势差加大导致开路电压得到一定的提升,从而提高光电转换效率,该方法工艺简单成本低廉,对太阳电池的光电转换效率有一定的提升。一种提升晶体硅太阳电池光电转换效率的扩散方法,具体步骤如下:1、电阻率为l_3ohm.cm的156mmX 156mm规格的P型多晶娃片,常规酸制绒; 2、进入阶段:把多晶硅片推入荷兰TEMPRESS扩散炉中,炉内通入大氮气5slm,温度810°C,压力15pa,持续时间IOmin ;3、进桨阶段:炉内通入大氮气5slm,温度810°C,压力15pa,持本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提升晶体硅太阳电池光电转换效率的扩散方法,其特征为:具体步骤如下:1)、电阻率为1?3ohm.cm的156mm╳156mm规格的P型多晶硅片,常规酸制绒;2)、进入阶段;?3)、进桨阶段;4)、检漏阶段;5)、升温阶段;6)、前氧化阶段;7)、沉积阶段;8)、后氧化阶段;9)、推进阶段;10)、冷却阶段;11)、进桨阶段;12)、退出阶段。

【技术特征摘要】
1.一种提升晶体硅太阳电池光电转换效率的扩散方法,其特征为:具体步骤如下:1)、电阻率为l_3ohm.cm的156mmX 156mm规格的P型多晶娃片,常规酸制绒; 2)、进入阶段; 3)、进桨阶段; 4)、检漏阶段; 5)、升温阶段; 6)、前氧化阶段; 7)、沉积阶段; 8)、后氧化阶段; 9)、推进阶段; 10)、冷却阶段; 11)、进桨阶段; 12)、退出阶段。2.一种提升晶体硅太阳电池光电转换效率的扩散方法,其特征为:具体步骤如下:1)、电阻率为l_3ohm.cm的156mmX 156mm规格的P型多晶娃片,常规酸制绒; 2)、进入阶段:把多晶硅片推入荷兰TEMPRESS扩散炉中,炉内通入大氮气5slm,温度810°C,压力15pa,持续时间IOmin ;3)、进桨阶段:炉内通入大氮气5slm,温度810°C,压力15pa,持续时间IOmin;4)、检漏阶段:炉内通入大氮气lOslm,温度810°C,压力-200pa,持续时间5min;5)、升温阶段:炉内通入大氮气20slm...

【专利技术属性】
技术研发人员:梅超张文黄治国王鹏柳杉包兵兵殷建安
申请(专利权)人:上饶光电高科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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