本发明专利技术涉及存储控制装置、存储装置、信息处理系统及存储控制方法。提供的存储控制装置，包括：请求确定单元，确定请求的类型；以及控制单元，在所述请求为刷新请求时，以存储单元阵列的预定页为单位，将从存储单元阵列中读出的读取数据写入所述存储单元阵列内，在所述请求为写入请求时，将写入数据的页分成组单位，然后分两次以上将写入数据的页写入所述存储单元阵列内。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储控制装置。具体而言，本专利技术涉及一种用于非易失性存储器的存储控制装置、存储装置、信息处理系统、一种其内的处理方法以及一种使计算机执行该方法的程序。
技术介绍
在信息处理系统中，动态随机存取存储器(DRAM)等用作工作存储器。通常，DRAM为非易失性存储器，在电力的电源中断时，丢失储存内容。同时，近年来，已经使用非易失性存储器(NVM)。非易失性存储器大致分成闪速存储器和非易失性随机存取存储器(NVRAM)，闪速存储器以大尺寸为单位支持数据存取，非易失性随机存取存储器(NVRAM)能够以小单元执行高速随机存取。在此处，作为闪速存储器的一个代表性实例，具有NAND闪速存储器。同时，非易失性随机存取存储器的实例包括电阻RAM (ReRAM)、相变RAM (PCRAM)以及磁阻RAM (MRAM)oReRAM为使用可变电阻元件的非易失性存储器，在写入数据之前，不需要以块体为单位进行擦除，并且可直接仅仅重写必要的页。同时，由于ReRAM对存储单元上的写入电流进行限制，所以已经提出了一种技划分用作写入目标的页并且进行写入(例如，JP2010-182373A)的技术。
技术实现思路
在上述相关技术中，试图通过划分用作写入目标的页然后进行写入来抑制写入电流。电流的抑制有效地减少了在ReRAM以外的存储器内的功耗。同时，存在以下情况:根据写入存储器内的内容，储存内容的变化较小，并且在这种情况下，划分页然后进行写入，会花费所需要的要多的时间。期望以高速度执行储存内容的变化较小的写入。根据本专利技术第一实施方式，提供了一种存储控制装置及其控制方法，该存储控制装置包括:请求确定单元，确定请求的类型；以及控制单元，在所述请求为刷新请求时，以存储单元阵列的预定页为单位，将从存储单元阵列中读出的读取数据写入所述存储单元阵列内，在所述请求为写入请求时，将写入数据的页分成组单位，然后分两次以上将写入数据的页写入所述存储单元阵列内。因此，具有以下作用:基于刷新请求的写入可以以比基于写入请求的写入更高的速度处理。而且，根据第一实施方式，所述组的比特数可基于所述存储单元阵列内允许的电流量确定。因此，具有以下作用:可以以考虑在存储单元阵列中允许的电流量为单位执行写入请求。而且，根据第一实施方式，该存储控制装置可进一步包括错误处理单元，其执行读取数据的错误检测。在错误检测的过程中检测到的错误数量不满足预定要求时，所述控制单元不执行向所述存储单元阵列的写入。因此，具有以下作用:仅仅在检测错误的数量满足预定要求时，基于刷新请求进行写入。而且，根据第一实施方式，该存储控制装置可进一步包括错误处理单元，其执行读取数据的错误检测和校正。在错误检测的过程中检测的错误数量大于错误可校正数量时，所述控制单元不必执行向所述存储单元阵列的写入。因此，具有以下作用:仅仅在检测错误的数量大于错误可校正数量时，基于刷新请求进行写入。而且，根据第一实施方式，该存储控制装置可进一步包括验证处理单元，在响应于刷新请求或写入请求写入数据之后，以页为单位，从存储单元阵列中读取数据，并且验证是否已经正确地进行写入。因此，具有以下作用:验证是否已经成功地基于刷新请求或写入请求进行了写入。而且，根据本专利技术第二实施方式，提供了一种存储装置，其包括:存储单元阵列，包括多个存储单元；请求确定单元，确定请求的类型；以及控制单元，在所述请求为刷新请求时，以存储单元阵列的预定页为单位，将从存储单元阵列中读出的读取数据写入所述存储单元阵列内，并且在所述请求为写入请求时，将写入数据的页分成组单位，然后分两次以上将写入数据的页写入所述存储单元阵列内。因此，具有以下作用:基于刷新请求向存储单元阵列的写入可以以比基于写入请求的写入更高的速度处理。而且，根据本专利技术第三实施方式，提供了一种信息处理系统，包括:存储单元阵列，包括多个存储单元；主计算机，向存储单元阵列发布命令；命令确定单元，确定命令的类型；以及控制单元，在所述命令为刷新命令时，以存储单元阵列的预定页为单位，将从存储单元阵列中读出的读取数据写入所述存储单元阵列内，在所述命令为写入命令时，将写入数据的页分成组单位，然后分两次以上将写入数据的页写入所述存储单元阵列内。因此，具有以下作用:基于刷新请求从主计算机向存储单元阵列的写入可以以比基于写入命令的写入更高的速度处理。根据上述的本专利技术实施方式，取得了显著的效果，可高速执行储存内容的变化较小的写入。【附图说明】图1为示出根据本专利技术实施方式的信息处理系统的示例性配置的示图；图2为示出根据本专利技术实施方式的存储器300的示例性配置的示图；图3为示出根据本专利技术实施方式的存储单元阵列310的结构的实例的示图；图4为示出根据本专利技术实施方式的存储单元313的示例性电路的示图；图5为示出在根据本专利技术实施方式的存储单元313处于正常状态时的电阻分布的示图；图6为示出根据本专利技术实施方式的存储单元313的改变的电阻分布的示图；图7为示出根据本专利技术实施方式的储存在存储单元阵列310内的数据结构的实例的示图；图8为示出根据本专利技术实施方式的储存在存储单元阵列310内的物理面结构的实例的示图；图9为示出根据本专利技术实施方式的保持在缓冲器340内的缓冲器的实例的示图；图10为示出根据本专利技术实施方式的保持在缓冲器340内的具体实例(重置目标规定)的示图；图11为示出根据本专利技术实施方式的保持在缓冲器340内的具体实例(重置验证)的示图；图12为示出根据本专利技术实施方式的保持在缓冲器340内的具体实例(设置目标规定)的示图；图13为示出根据本专利技术实施方式的保持在缓冲器340内的具体实例(设置验证)的示图；图14为示出根据本专利技术实施方式的存储控制器200的命令处理程序的实例的示图；图15为示出根据本专利技术实施方式的写入命令过程的处理程序的实例的示图；图16为示出根据本专利技术实施方式的物理页重置过程(步骤S920)的处理程序的实例的示图；图17为示出根据本专利技术实施方式的在写入过程时的物理页重置的示例性进展的示图；图18为示出根据本专利技术实施方式的物理页设置过程(步骤S940)的处理程序的例的示图；图19为示出根据本专利技术实施方式的读取命令过程的处理程序的实例的示图；图20为示出根据本发 明实施方式的刷新命令过程的处理程序的实例的示图；图21为示出根据本专利技术实施方式的刷新请求过程的处理程序的实例的示图；图22为示出根据本专利技术实施方式的物理页刷新重置过程(步骤S960)的处理程序的个实例的示图；图23为示出根据本专利技术实施方式的在刷新过程时的物理页刷新重置的示例性处理的实例的不图；图24为示出根据本专利技术实施方式的物理页刷新设置过程(步骤S980)的处理程序的实例的示图；以及图25为示出根据本专利技术实施方式的一个变型例的在电阻分布和存储单元313的阈值之间的关系的示图。【具体实施方式】在后文中，参照附图，详细描述本公开的优选实施方式。要注意的是，在本说明书和附图中，具有基本上相同的功能和结构的结构性部件由相同的参考数字表示，并且不重复解释这些结构性部件。在后文中，描述用于执行本专利技术方式(在后文中称为“实施方式”)。按照以下顺序，进行描述。1、第一实施方式(刷新控制)2、变型例(阈值变化)〈1、第一实施方式〉【信息处理系统的配置】图1为示本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种存储控制装置，包括：请求确定单元，确定请求的类型；以及控制单元，在所述请求为刷新请求时，以存储单元阵列的预定页为单位，将从所述存储单元阵列中读出的读取数据写入所述存储单元阵列内，在所述请求为写入请求时，将写入数据的所述页分成组单位，然后分两次以上将所述写入数据的所述页写入所述存储单元阵列内。
【技术特征摘要】
2012.08.24 JP 2012-1847431.一种存储控制装置，包括:请求确定单元，确定请求的类型；以及控制单元，在所述请求为刷新请求时，以存储单元阵列的预定页为单位，将从所述存储单元阵列中读出的读取数据写入所述存储单元阵列内，在所述请求为写入请求时，将写入数据的所述页分成组单位，然后分两次以上将所述写入数据的所述页写入所述存储单元阵列内。2.根据权利要求1所述的存储控制装置，其中，所述组的比特数基于所述存储单元阵列内允许的电流量确定。3.根据权利要求1所述的存储控制装置，进一步包括:错误处理单元，执行所述读取数据的错误检测，其中，在所述错误检测中检测到的错误数量不满足预定要求时，所述控制单元不执行向所述存储单元阵列的写入。4.根据权利要求1所述的存储控制装置，进一步包括:错误处理单元，执行所述读取数据的错误检测和校正，其中，在所述错误检测中检测到的错误数量大于错误可校正数量时，所述控制单元不执行向所述存储单元阵列的写入。5.根据权利要求1所述的存储控制装置，进一步包括:验证处理单元，在响应于所述刷新请求或所述写入请求写入数据之后，以页为单位从所述存储单元阵列中读取所述数据，并且验证是否已经正确地进行写入。6.一种存储装置，包括:存储单元阵列，包括多个存储单元...
【专利技术属性】
技术研发人员：大久保英明，筒井敬一，藤波靖，中西健一，足立直大，石井健，新桥龙男，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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