一种坏块表存放方法、装置以及与非门型非易失存储器制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种坏块表存放方法，包括主坏块表生成步骤：首次使用与非门型非易失存储器时，与非门型非易失存储器的驱动扫描与非门型非易失存储器上的坏块，并生成主坏块表；主坏块表写入步骤：将所述主坏块表写入与非门型非易失存储器的任意非坏块。本发明专利技术还提供一种坏块表存放装置，包括：主坏块表生成模块和主坏块表写入模块。本发明专利技术还提供一种与非门型非易失存储器，其将本发明专利技术所提出的坏块表存放装置运用其中。本发明专利技术通过将主坏块表保存在非坏块上，大大降低了因坏块表无法读取导致与非门型非易失存储器无法使用的概率，同时又保存一份从坏块表，主坏块表无法读取，可通过从坏块表恢复一份新的主坏块表，保证与非门型非易失存储器的正常使用。

【技术实现步骤摘要】
一种坏块表存放方法、装置以及与非门型非易失存储器【
】本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种坏块表存放方法、装置以及与非门型非易失存储器。【
技术介绍
】与非门型非易失存储器(亦称:NAND闪存或NAND芯片，以下简称NAND芯片)是一种比硬盘驱动器更好的存储器件，其阵列分为一系列128kB的块，这些块是NAND芯片中最小的可擦除实体。现有的多层单元与非门型非易失存储器(亦称:MLC NAND闪存，以下简称MLCNAND闪存；MLC英文全称Mult1-Level Cell，中文名称为:多层单元)在出厂和使用过程中，坏块(由于使用过程中不断的写操作或工艺缺陷导致)是MLC NAND闪存无法从生产和硬件上解决的一道难题，而且随着容量的增加，问题越来越严重。一方面要求提高NAND芯片控制接口端的硬件校验能力，另一方面对软件的设计也提出更大的挑战。这些坏块在使用中不应该影响到其他好块的使用，所以在MLC NAND闪存的驱动上，会设计一个机制用来标识、隔离这些坏块。这种机制靠的是MLC NAND闪存在初次使用时扫描出厂坏块并建立坏块表(英文全称:Bad Blocks Table，以下简称BBT，所述坏块表内记录有坏块的位置信息)存储回NAND芯片中，以后每次使用该NAND芯片时驱动都会根据BBT所标明的信息来避开这些坏块。使用过程中若有出现新的坏块，也会更新该BBT并写回NAND芯片。因此，BBT的存放方法是否安全可靠是NAND芯片能否正常使用的关键所在。【
技术实现思路
】本专利技术要解决的技术问题之一，在于提供一种坏块表存放方法，其使得NAND芯片不会因为无法读取坏块表而无法正常使用。本专利技术的问题之一，是这样实现的:一种坏块表存放方法，包括如下步骤:主BBT生成步骤:首次使用NAND芯片时，NAND芯片的驱动扫描NAND芯片上的坏块,并生成主BBT ；主BBT写入步骤:将所述主BBT写入NAND芯片的任意非坏块，所述非坏块由NAND芯片厂家在出厂NAND芯片时提供。进一步地，所述BBT存放方法还包括如下步骤:从BBT生成步骤:记录所述主BBT写入的非坏块所在的位置，并生成一从BBT，所述从BBT由主BBT复制而成并标记为从BBT ；从BBT写入步骤:将所述从BBT写入NAND芯片上的任意一个块，若写入成功，则记录存放从BBT的块的位置，若写入失败，则选取NAND芯片上的另一个块进行写入，直至写入成功，记录存放从BBT的块的位置，若NAND芯片上除所述非坏块外的各个块均无法写入，则判定该NAND芯片不可用。进一步地，所述主BBT写入步骤中，非坏块的位置通过查询NAND芯片的数据手册获得。进一步地，在所述主BBT生成步骤之前，在所述NAND芯片上划分出用于存放BBT的存储区域，所述存储区域包括复数个NAND芯片上的块；然后执行所述主BBT生成步骤、主BBT写入步骤、从BBT生成步骤以及从BBT写入步骤。进一步地，在执行所述从BBT写入步骤时，将所述从BBT写入所述存储区域内的任意一个块，若写入成功，则记录存放从BBT的块的位置，若写入失败，则选取所述存储区域内的另一个块进行写入，直至写入成功，记录存放从BBT的块的位置，若所述存储区域内的各个块均无法写入，则判定该NAND芯片不可用。进一步地，后续读取主BBT，若无法读取，则使用从BBT恢复主BBT，生成新的主BBT，并将新主BBT写入所述NAND芯片上的任意一个块上，若无法写入，选取NAND芯片上的另一个块进行写入，直至写入成功，记录存放新主BBT的块的位置；若读取主BBT成功，则将BBT内坏块信息保存至内存中。进一步地，在使用NAND芯片过程中，若发现新的坏块，则将新的坏块信息保存至内存中，待更新内存时，将内存中所有的坏块信息回写到主BBT和从BBT中，若主BBT已无法读取，则将内存中所有的坏块信息回写到新主BBT和从BBT中。本专利技术要解决的技术问题之二，在于提供一种坏块表存放装置，其使得NAND芯片不会因为无法读取坏块表而无法正常使用。本专利技术的问题之二，是这样实现的:一种坏块表存放装置，包括:主BBT生成模块:用于首次使用NAND芯片时，NAND芯片的驱动扫描NAND芯片上的坏块，并生成主BBT ；主BBT写入模块:用于将所述主BBT写入NAND芯片的任意非坏块，所述非坏块由NAND芯片厂家在出厂NAND芯片时提供。进一步地，所述BBT存放装置还包括如下模块:从BBT生成模块:用于记录所述主BBT写入的非坏块所在的位置，并生成一从BBT，所述从BBT由主BBT复制而成并标记为从BBT ；从BBT写入模块:用于将所述从BBT写入NAND芯片上的任意一个块，若写入成功，则记录存放从BBT的块的位置，若写入失败，则选取NAND芯片上的另一个块进行写入，直至写入成功，记录存放从BBT的块的位置，若NAND芯片上除所述非坏块外的各个块均无法写入，则判定该NAND芯片不可用。进一步地，所述主BBT写入模块将所述主BBT写入NAND芯片的任意非坏块时，所述非坏块的位置通过查询NAND芯片的数据手册获得。进一步地，还包括BBT存储区域划分模块:用于在所述NAND芯片上划分出存放BBT的存储区域，所述存储区域包括复数个NAND芯片上的块。进一步地，所述从BBT写入模块，用于将所述从BBT写入所述存储区域内的任意一个块，若写入成功，则记录存放从BBT的块的位置，若写入失败，则选取所述存储区域内的另一个块进行写入，直至写入成功，记录存放从BBT的块的位置，若所述存储区域内的各个块均无法写入，则判定该NAND芯片不可用。进一步地，还包括BBT读取模块:用于后续读取主BBT，若无法读取，则使用从BBT恢复主BBT，生成新的主BBT，并将新主BBT写入所述NAND芯片上的任意一个块上，若无法写入，选取NAND芯片上的另一个块进行写入，直至写入成功，记录存放新主BBT的块的位置；若系统读取主BBT成功，则将BBT内坏块信息保存至内存中，进一步地，还包括BBT更新写入模块:用于在使用NAND芯片过程中，若发现新的坏块，则将新的坏块的信息保存至内存中，待更新内存时，将内存中所有的坏块信息回写到主BBT和从BBT中，若主BBT已无法读取，则将内存中所有的坏块信息回写到新主BBT和从BBT 中。本专利技术还提供了一种非门型非易失存储器，该NAND芯片包含了坏块表存放装置。本专利技术具有如下优点:通过将主BBT保存在非坏块上，大大降低了因BBT无法读取导致NAND芯片无法使用的概率，提高NAND芯片的使用率，同时又在NAND芯片上保存一份从BBT，即使主BBT无法读取，亦可通过从BBT恢复一份新的主BBT，当需要更新坏块信息时，主BBT或新主BBT和从BBT同时更新，更进一步提高BBT文件的可靠性，从而保证NAND芯片的正常使用。【【附图说明】】下面参照附图结合实施例对本专利技术作进一步的说明。图1为本专利技术一种坏块表存放方法的流程图。图2为本专利技术一种坏块表存放装置的结构示意图。【【具体实施方式】】 请参阅图1，一种坏块表(英文全称:Bad Blocks Table,以下简称BBT)存放方法，包括如下步骤:主BBT生成步骤:首次使用与非门型非易失存储器(以下简称NAND芯片)时，NAND本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种坏块表存放方法，其特征在于，包括如下步骤：?主坏块表生成步骤：首次使用与非门型非易失存储器时，与非门型非易失存储器的驱动扫描与非门型非易失存储器上的坏块，并生成主坏块表；?主坏块表写入步骤：将所述主坏块表写入与非门型非易失存储器的任意非坏块，所述非坏块由与非门型非易失存储器厂家在出厂与非门型非易失存储器时提供。

【技术特征摘要】
1.一种坏块表存放方法，其特征在于，包括如下步骤: 主坏块表生成步骤:首次使用与非门型非易失存储器时，与非门型非易失存储器的驱动扫描与非门型非易失存储器上的坏块，并生成主坏块表； 主坏块表写入步骤:将所述主坏块表写入与非门型非易失存储器的任意非坏块，所述非坏块由与非门型非易失存储器厂家在出厂与非门型非易失存储器时提供。2.根据权利要求1所述的一种坏块表存放方法，其特征在于:还包括如下步骤: 从坏块表生成步骤:记录所述主坏块表写入的非坏块所在的位置，并生成一从坏块表，所述从坏块表由主坏块表复制而成并标记为从坏块表； 从坏块表写入步骤:将所述从坏块表写入与非门型非易失存储器上的任意一个块，若写入成功，则记录存放从坏块表的块的位置，若写入失败，则选取与非门型非易失存储器上的另一个块进行写入，直至写入成功，记录存放从坏块表的块的位置，若与非门型非易失存储器上除所述非坏块外的各个块均无法写入，则判定该与非门型非易失存储器不可用。3.根据权利要求1所述的一种坏块表存放方法，其特征在于:所述主坏块表写入步骤中，非坏块的位置通过查询与非门型非易失存储器的数据手册获得。4.根据权利要求2所述的一种坏块表存放方法，其特征在于:在所述主坏块表生成步骤之前，在所述与非门型非易失存储器上划分出用于存放坏块表的存储区域，所述存储区域包括复数个与非门型非易失存储器上的块；然后执行所述主坏块表生成步骤、主坏块表写入步骤、从坏块表生成步骤以及从坏块表写入步骤。5.根据权利要求4所述的一种坏块表存放方法,其特征在于:在执行所述从坏块表写入步骤时，将所述从坏块表写入所述存储区域内的任意一个块，若写入成功，则记录存放从坏块表的块的位置，若写入失败，则选取所述存储区域内的另一个块进行写入，直至写入成功，记录存放从坏块表的块的位置，若所述存储区域内的各个块均无法写入，则判定该与非门型非易失存储器不可用。6.根据权利要求2所述一种坏块表存放方法,其特征在于:后续读取主坏块表，若无法读取，则使用从坏块表恢复主坏块表，生成新的主坏块表,并将新主坏块表写入所述与非门型非易失存储器上的任意一个块上，若无法写入，选取与非门型非易失存储器上的另一个块进行写入，直至写入成功，记录存放新主坏块表的块的位置；若读取主坏块表成功，则将坏块表内坏块信息保存至内存中。7.根据权利要求2所述一种坏块表存放方法，其特征在于:在使用与非门型非易失存储器过程中，若发现新的坏块，则将新的坏块信息保存至内存中，待更新内存时，将内存中所有的坏块信息回写到主坏块表和从坏块表中，若主坏块表已无法读取,则将内存中所有的坏块信息回写到新主坏块表和从坏块表中。8.—种坏块表存放装置,其特征在于:包括: 主坏块表生成模块:用于首次...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑远，喻呈东，
申请(专利权)人：福建星网视易信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：