一种制备ZnO纳米结构的电沉积方法技术

本发明专利技术公开了一种制备ZnO纳米结构的方法，该方法采用由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的电解质水溶液电沉积制备ZnO纳米结构，其中NH4NO3与Zn(NO3)2的摩尔浓度比大于4:1。通过本发明专利技术所述方法制备的ZnO纳米结构不但生长速率更快、内量子效率更高，而且结构更为均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米结构材料制备领域，涉及一种制备ZnO纳米结构的方法，特别是，涉及一种使用Zn(NO3)2和NH4NO3的电解液通过电沉积制备ZnO纳米结构的方法。
技术介绍
氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带半导体具有E:3.3eV(在300Κ)的直接带宽和60meV的激子束缚能，是一种价格低廉、性能稳定、无毒且对环境友好的材料。ZnO纳米结构可由多种方法制备，但是电化学和化学浴沉积适于制造大面积器件的纳米结构，而且由于其较低的生长温度适用于低温的基底。DE 102008029234.6披露了一种具有28%的内量子效率(IQE)的ZnO纳米柱(NR)，其由Zn (NO3) 2和NH4NO3的水溶液制备，其中NH4NO3与Zn (NO3) 2的摩尔比为1:130至1:1。一种在氟掺杂的SnO2 (FTO)基底上快速电沉积高质量ZnO纳米柱的方法(TheJournal of Physical Chemistry C, 2011，115，5239-5243)。该方法采用 Zn (NO3) 2 (5mM)和NH4NO3 ((T20mM)的水溶液制备ZnO纳米柱。ZnO纳米柱的垂直生长本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备ZnO纳米结构的方法，该方法采用由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的水溶液经电沉积制备ZnO纳米结构，其特征在于，在所述由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的水溶液中，NH4NO3与Zn(NO3)2的摩尔浓度比大于4:1。

【技术特征摘要】
1.一种制备ZnO纳米结构的方法，该方法采用由Zn (NO3) 2和NH4NO3制成的水溶液经电沉积制备ZnO纳米结构，其特征在于，在所述由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的水溶液中，NH4NO3与Zn (NO3) 2的摩尔浓度比大于4:1。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的水溶液中，NH4NO3与Zn(NO3)2的摩尔浓度比为大于4:1至100:1。3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的水溶液中，NH4NO3与Zn (NO3) 2的摩尔浓度比为5:1至90:1。4.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的水溶液中，NH4NO3与Zn (NO3) 2的摩尔浓度比为6:1至90:1。5.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的水溶液中，NH4NO3与Zn (NO3) 2的摩尔浓度比为8:1至90:1。6.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的水溶液中，NH4NO3与Zn (NO3) 2的摩尔浓度比为10:1至90:1。7.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的水溶液中，NH4NO3与Zn (NO3) 2的摩尔浓度比为10:1至50:1。8.根据权利要求1所述的方法，其中，在由Zn(NO3) 2和NH4NO3制成的水溶液中，Zn (NO3) 2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈颉，汤洋，
申请(专利权)人：北京低碳清洁能源研究所，
类型：发明
国别省市：