具有可调温度灵敏度的低功率参考电流发生器制造技术

提供了一种改进的参考电流发生器。电压差发生器生成相隔相对小的电势的两个电压。这两个接近地分隔开的电压被施加至具有相对大的阻抗值的电阻元件两端，以产生小且稳定的参考电流。这产生一种节能、温度补偿的参考电流发生器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有可调温度灵敏度的低功率参考电流发生器相关申请的交叉引用本申请要求于2012年5月16日提交的美国专利技术专利申请N0.13/472，870的优先权，同时要求于2011年5月20日提交的美国临时申请N0.61/488，169以及于2011年6月27日提交的美国临时申请N0.61/501，378的优先权。以上申请中的每个申请的全部公开内容通过引用合并到本文中。
本专利技术总体上涉及集成电路中使用的电流参考电路，并且尤其涉及支持功率降低的集成电路拓扑。
技术介绍
一般而言，在以下说明书中，我们将以斜体表示低功率电流参考设计领域中的技术人员应该熟悉的本领域的每个专用术语的第一次出现。另外，当我们首次介绍我们认为是新的或在我们认为是新的环境中将使用的术语时，我们将以粗体表示该术语并且提供我们意图应用于该术语的定义。另外，在本说明书中，当指出信号、信号标志、状态位或类似设备呈现为其逻辑真或逻辑假状态时，有时我们将分别使用术语“廣纟和“否定(/1呀《鉍)”,并且使用术语“_来表示信号从一个逻辑状态到另一逻辑状态的逻辑反转。可选地,我们可以将互斥的“本次《)”状态称作逻辑ο和逻辑I。当然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于生成参考电流的电路，所述电路包括：电压差发生器，用于供应第一电压和第二电压，所述电压差发生器包括：参考电压发生器，用于供应第一供应电压；电压缓冲放大器，其电耦接至所述第一供应电压并且用于供应第二供应电压；以及电压梯，其电耦接至所述第二供应电压并且用于供应所述第一电压和所述第二电压；第一缓冲器，其电耦接至所述第一电压，所述第一缓冲器用于供应第三电压，所述第一缓冲器包括：第一放大器，所述第一放大器用于：接收所述第一电压；接收所述第三电压；以及将所述第一电压与所述第三电压进行比较，并且作为响应输出第一控制电压；以及第一晶体管器件，用于接收所述第一控制电压，并且作为响应供应所述第三电压；第二缓...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.20 US 61/488,169;2011.06.27 US 61/501,3781.一种用于生成参考电流的电路，所述电路包括: 电压差发生器，用于供应第一电压和第二电压，所述电压差发生器包括: 参考电压发生器，用于供应第一供应电压； 电压缓冲放大器，其电耦接至所述第一供应电压并且用于供应第二供应电压；以及电压梯，其电耦接至所述第二供应电压并且用于供应所述第一电压和所述第二电压；第一缓冲器，其电耦接至所述第一电压，所述第一缓冲器用于供应第三电压，所述第一缓冲器包括: 第一放大器，所述第一放大器用于: 接收所述第一电压； 接收所述第三电压；以及 将所述第一电压与所述第三电压进行比较，并且作为响应输出第一控制电压；以及第一晶体管器件，用于接收所述第一控制电压，并且作为响应供应所述第三电压；第二缓冲器，其电耦接至所述第二电压，所述第二缓冲器用于供应第四电压，所述第二缓冲器包括: 第二放大器，所述第二放大器用于: 接收所述第二电压； 接收所述第四电压；以及 将所述第二电压与所述第四电压进行比较，并且作为响应输出第二控制电压；以及第二晶体管器件，用于接收所述第二控制电压，并且作为响应供应所述第四电压；以及电阻元件，其电耦接在所述第三电压和所述第四电压之间，所述电阻元件用于生成作为所述第三电压和所述第四电压的函数的参考电流。2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第一电压和所述第二电压的特征还在于接近地分隔开。3.根据权利要求1所述的电路，其中，所述参考电压发生器的特征还在于包括工作在亚阈值区域内的多个晶体管器件。4.根据权利要求3所述的电路，其中，所述多个晶体管器件的特征还在于是多个选自NMOS晶体管器件或PMOS晶体管器件之一的晶体管器件。5.根据权利要求1所述的电路，其中，所述电压缓冲放大器的特征还在于包括工作在亚阈值区域内的多个晶体管器件。6.根据权利要求1所述的电路，其中，所述电压梯的特征还在于包括工作在亚阈值域内的多个串联连接的电阻电路元件。7.根据权利要求6所述的电路，其中，所述多个串联连接的电阻电路元件的特征还在于是选自二极管接法的NMOS器件或二极管接法PMOS器件之一。8.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第一放大器的特征还在于包括工作在亚阈值区域内的多个晶体管器件。9.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第一晶体管器件的特征还在于工作在亚阈值区域内。10.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第二放大器的特征还在于包括工作在亚阈值区域内的多个晶体管器件。11.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第二晶体管器件的特征还在于工作在亚阈值区域内。12.根据权利要求1所述的电路，其中，所述电阻元件的特征还在于是工作在亚阈值区域内的多个晶体管。13.根据权利要求12所述的电路，其中，所述多个晶体管的特征还在于包括选自NMOS器件或PMOS器件之一的器件。14.根据权利要求1所述的电路，其中，至少对所述电压差发生器、所述第一缓冲器、所述第二缓冲器以及所述电阻元件中所选择的一个进行调节以至少实现最小温度灵敏度、与绝对温度成比例的特性以及与绝对温度互补的特性中所选择的一个。15.一种用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯克特·汉森，丹尼斯·西尔韦斯特，大卫·布洛乌，
申请(专利权)人：密执安州立大学董事会，
类型：
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