采用低照度培养高浓度光合细菌的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了采用低照度培养高浓度光合细菌的方法及装置，装置包括阳极室和阴极室，阳极室使用透明材料，阳极室和阴极室之间用离子交换膜隔开，在阳极室和阴极室分别设置阳极和阴极，阳极和阴极之间通过外电阻相连，并且阳极的表面积与阳极室有效容积之比大于0.06/cm，外电阻的阻值与阳极室有效容积之比为4～40Ω/cm3；以该装置的阳极室为发酵罐，将培养至对数生长期的光合细菌按体积百分比为1%～10%接种至阳极室，封闭阳极室，连通外电路后在温度为20～37℃，光照度为50～500lux下培养，利用本发明专利技术的方法可在低接种量、低照度条件下培养出高浓度的光合细菌，在减少光照能耗的同时还能产生电能，应用前景广泛。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
采用低照度培养高浓度光合细菌的装置，其特征在于：包括阳极室和阴极室，所述阳极室使用透明材料，所述阳极室和阴极室之间用离子交换膜隔开，所述阳极室和阴极室分别设置有阳极和阴极，所述阳极和阴极通过外电阻相连，所述阳极的表面积与阳极室有效容积之比大于0.06/cm，所述外电阻的阻值与阳极室有效容积之比为4～40Ω/cm3。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王兴祖，任以伟，巫忠胜，田恩玲，
申请(专利权)人：重庆绿色智能技术研究院，重庆市涪陵区松泽环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：