【技术实现步骤摘要】
电子产品的基片研磨剂
本专利技术有关于电子产品的基片处理行业,特别是对其基片进行研磨所用的研磨剂。
技术介绍
随着半导体技术的发展,具有更高性能和更强功能的集成电路要求更大的元件密度,与之相对应的技术发展方向之一就是采用大马士革结构的铜(Cu)金属互联工艺和化学机械抛光(CMP)工艺。例如中国专利技术专利(CN ZL 200510025216.4)、中国专利申请(CN200810035095.5)便公开了相应的制造工艺及参数。 半导体产业是现代电子工业的核心,而半导体产业的基础是硅材料工业。虽然有各种各样新型的半导体材料不断出现,但90%以上的半导体器件和电路,尤其是超大规模集成电路(ULSI)都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的。同时作为电子行业的一个重要分支,LED产业近年来得到了飞速的发展。其中作为LED产品的核心和附加值最大的部分,底衬材料对LED光源的稳定性和寿命起到重要的决定作用。目前能用于商品化的衬底只有两种,即蓝宝石和碳化硅衬底。对于上述电子产品的基片(硅片或者蓝宝石底衬)的加工中,对其要求较高的平整度,镜面度,以及反射条件等都需要通过清洗、研磨、抛光等类似加工手段获得。否则表面平整度、表面粗糙度、表面缺陷会影响表面电极质量,也容易引起MCP产生发射点和黑点。同时,表面缺陷会引起MCP和荧光屏之问的电击穿。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术提供一种电子产品的基片研磨剂,其中:所述研磨剂是一种碱性的亲水半透明液体,所述液体的溶剂是去离子水,且其中含有: 1)闻纯娃粉粒子和单晶金刚石粒子的混合物; 2)2^5%的 ...
【技术保护点】
一种电子产品的基片研磨剂,其特征在于:所述研磨剂是一种碱性的亲水半透明液体,所述液体的溶剂是去离子水,且其中含有:1)高纯硅粉粒子和单晶金刚石粒子的混合物;2)2~5%的脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠;3)2%的铜缓蚀剂巯基苯骈噻唑MBT;4)所述研磨剂的pH值为9~12。
【技术特征摘要】
1.一种电子产品的基片研磨剂,其特征在于:所述研磨剂是一种碱性的亲水半透明液体,所述液体的溶剂是去离子水,且其中含有: 1)闻纯娃粉粒子和单晶金刚石粒子的混合物; 2)2^5%的脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠; 3)2%的铜缓蚀剂巯基苯骈噻唑MBT ; 4)所述研磨剂的pH值为扩12。2.如权利要求1所述的基片研磨剂,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:夏泽军,
申请(专利权)人:昆山宏凌电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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