导电性层叠体、带图案布线的透明导电性层叠体、以及光学器件制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电性层叠体、带图案布线的透明导电性层叠体、以及光学器件
本专利技术涉及在透明基材上设有透明导电性薄膜和金属层的导电性层叠体、以及由该导电性层叠体形成的带图案布线的透明导电性层叠体。本专利技术还涉及使用了该带图案布线的透明导电性层叠体的显示装置、触摸面板等光学器件。
技术介绍
液晶显示器、等离子显示器、有机EL显示器等平板显示器、触摸面板等显示装置中，使用由铟锡氧化物(ITO)等透明导电性氧化物形成的透明电极。出于从外部对该透明电极施加电压、或者检测透明电极上的电位的目的，在该透明电极上连接有图案布线。作为图案布线，广泛使用通过丝网印刷法等形成了银糊剂的图案布线。通常，在显示装置中，例如像图6中示意性地所示那样，布线以环绕透明电极的周边部的方式形成图案。而且，通过使用修饰过的基材等，以从外部看不见该布线的方式组装显示装置。随着显示装置的高精细化、高功能化，环绕布线的图案趋向于复杂化。例如，在触摸面板中，可多点输入(多点触摸)的投影型电容方式的触摸面板、矩阵型的电阻膜方式触摸面板在近年来备受注目。在这些方式的触摸面板中，透明导电性薄膜被图案化成规定形状(例如...
【技术保护点】
一种导电性层叠体，其在透明基材的至少一面上依次形成有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体和金属层，在所述透明导电性薄膜层叠体中，最接近所述金属层的第一透明导电性薄膜为金属氧化物层或含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层，第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜为含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层，所述第一透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例在构成所述透明导电性薄膜层叠体的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例中不为最大。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.17 JP 2011-1354361.一种导电性层叠体，其在透明基材的至少一面上依次形成有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体和金属层， 在所述透明导电性薄膜层叠体中，最接近所述金属层的第一透明导电性薄膜为金属氧化物层或含有主金属和I种以上的杂质金属的复合金属氧化物层，第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜为含有主金属和I种以上的杂质金属的复合金属氧化物层， 所述第一透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例在构成所述透明导电性薄膜层叠体的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例中不为最大。2.根据权利要求1所述的导电性层叠体，其中，所述第一透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例在构成所述透明导电性薄膜层叠体的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例中为最小。3.根据权利要求1或2所述的导电性层叠体，其中，所述透明导电性薄膜层叠体中的杂质金属的含有比例最大的透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例与所述第一透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例之差为0.005~0.23。4.根据权利要求1~3中任一项所述的导电性层叠体，其中，所述第一透明导电性薄膜中杂质金属的含有比例为0.08以下。5.根据权利要求1~4中任一项所述的导电性层叠体，其中，所述透明导电性薄膜层叠体中杂质金属的含有比例最高的透明导电性薄膜中杂质金属的含有比例为0.04~0.31。6.根据权利要求1~5中任一项所述的导电性层叠体，其中，相对于透明导电性薄膜层叠体的整体的厚度，所述第一透明导电性薄膜的厚度为6%以上。7.根据权利要求1~6中任`一项所述的导电性层叠体，其中，构成所述透明导电性薄膜层叠体的所有的透明导电性薄膜的主金属为In。8.根据权利要求7所述的导电性层叠体，其中，构成所述透明导电性薄膜层叠体的所有的透明导电性薄膜含有Sn作为杂质金属。9.根据权利要求8所述的导电性层叠体，其中，所述第一透明导电性薄膜中的Sn相对于In的含有比例为0.08以下，除第一透明导电性薄膜以外的构成所述透明导电性薄膜层叠体的透明导电性薄膜整体中的Sn相对于In的含有比例为0.08~0.13。10.根据权利要求1~9中任一项所述的导电性层叠体，其中，所述透明导电性薄膜层叠体由...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤野望，拝师基希，多田光一郎，坂田义昌，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。