【技术实现步骤摘要】
晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构
本专利技术涉及一种晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构,属于晶体硅太阳能电池
。
技术介绍
目前,表面钝化能降低电池片的表面活性,使表面的复合速率降低,目前适用于太阳能电池表面钝化的措施一般有两种,即表面氧化钝化和发射机钝化。表面氧化法钝化的机理在于饱和硅表面的悬挂键,降低表面少子复合中心,常用的方式是在电池片表面生长一层氧化硅或氮化硅薄膜;发射极钝化的机理是在硅片表面进行杂质高浓度掺杂,在很薄的表面层内,因杂质浓度梯度形成指向硅片内部的漂移电场,使少数载流子很难到达表面,从而达到钝化表面的效果。前表面钝化膜指贴合在电池片受光面上的钝化膜,表面氧化钝化膜常用的有氧化硅薄膜、氢化非晶微晶硅薄膜以及氮化硅薄膜,如专利号为CN201655813 U中采用的钝化膜为二氧化硅与氮化硅的组合膜,专利号为CN101937944A中采用的钝化膜为用化学气象沉积法制备的氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜,该种膜制备工艺简单,但是钝化效果不理相
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构,它能够有效地钝化硅片P型掺杂表面,形成良好的界面钝化效果。为了解决上述技术问题,本专利技术的技术方案是:一种晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构,它包括SiNx薄膜层、三氧化二铝薄膜层和生长在硅片衬底正面或背面的P型掺杂层上的二氧化硅薄膜层,三氧化二铝薄膜层生长在二氧化硅薄膜层的外表面上,SiNx薄膜层生长在三氧化二铝薄膜层的外表面上。进一步为了有效保证光学性能,需要合理选择钝化结构的各个膜层的折射 ...
【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构,其特征在于:它包括SiNx薄膜层(1)、三氧化二铝薄膜层(2)和生长在硅片衬底(5)正面或背面的P型掺杂层上的二氧化硅薄膜层(3),三氧化二铝薄膜层(2)生长在二氧化硅薄膜层(3)的外表面上,SiNx薄膜层(1)生长在三氧化二铝薄膜层(2)的外表面上。
【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构,其特征在于:它包括SiNx薄膜层(I)、三氧化二铝薄膜层(2)和生长在硅片衬底(5)正面或背面的P型掺杂层上的二氧化硅薄膜层(3),三氧化二铝薄膜层(2)生长在二氧化硅薄膜层(3)的外表面上,SiNx薄膜层(I)生长在三氧化二铝薄膜层(2)的外表面上。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构,其特征在于:所述的SiNx薄膜层(I)的折射率为1.9~2.4,三氧化二铝薄膜层(2)的折射率为1.55~...
【专利技术属性】
技术研发人员:盛健,张淳,
申请(专利权)人:常州天合光能有限公司,
类型:发明
国别省市:
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