一种高效背接触晶体硅太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高效背接触晶体硅太阳能电池，通过在非受光面钝化层制作P型区通孔及N型区通孔，且所述同种类型的通孔位于同一直线上，不同类型的通孔所在的直线不存在交点，然后将正电极和负电极分别与P型区通孔和N型区通孔电气连接，将从P型区汇流导电带以及N型区汇流导电带汇集的光生电流引出。因此，相较于现有技术，本实用新型专利技术对正、负电极的定位精度的要求有了很大的降低，且正、负电极间的位置可以通过改变P型区通孔和N型区通孔的开孔位置来进行调整，具有可设计性。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高效背接触晶体硅太阳能电池，包括：硅基底（1）,所述硅基底（1）包括硅基底非受光面（101）和硅基底受光面（102）；PN掺杂区（2），设置于所述硅基底非受光面（101）上，包括交替排列分布的P型区（201）和N型区（202）；汇流导电层（3），设置于所述PN掺杂区（2）上，包括设置于所述P型区（201）上的P型区汇流导电带（301）和设置于所述N型区（202）上的N型区汇流导电带（302）；其特征在于，还包括：非受光面钝化层（4），覆盖于所述汇流导电层（3）上；其上开设有若干P型区通孔（401）和N型区通孔（402），每一所述P型区通孔（401）对应于一条P型区汇流导电带（301），每一所述N型区通孔（402）对应于一条N型区汇流导电带（302）；电极层（5），包括与每一所述P型区通孔（401）电气连接的正电极（501）以及与每一所述N型区通孔（402）电气连接的负电极（502）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：兰立广，童翔，陈振，张庆钊，李琳琳，黄凯特，顾世海，丁建，
申请(专利权)人：北京汉能创昱科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：