本发明专利技术涉及一种菲林结构电容式触摸屏感应器线路图的一体成型制作方法及其制成的产品，包括：裁切预定尺寸的镀铜ITO；在镀铜ITO表面上涂敷液态光刻胶，并烘烤固化为光阻层；采用光罩对涂上光阻层的镀铜ITO进行曝光；将曝光后的镀铜ITO进行显影；将显影后的镀铜ITO进行金属图案蚀刻；将蚀刻出金属图案后的镀铜ITO进行ITO图案蚀刻；将蚀刻后的镀铜ITO的光阻层进行剥离。具有简化工艺、提高产品优良率、降低生产成本的优点。
【技术实现步骤摘要】
一种菲林结构电容式触摸屏感应器线路图的一体成型制作方法及其制成的产品
本专利技术涉及一种菲林结构电容式触摸屏感应器线路图的制作方法及其制成的产品O
技术介绍
电容式触摸屏感应器线路图的制作方法主要有印刷制程、镭雕制程和黄光制程等；印刷制程工艺简单，设备成本较低，但其线路精度只能做到0.1_，而且线性度较差，触控感应不灵敏，不适合大尺寸的感应器制作；镭雕制程线路精度可达到0.05mm,但存在工艺效率和爆点问题，不适合复杂图形的批量生产；黄光制程线路精度可达到0.04mm,线性度良好，触控感应灵敏，支持复杂图形的设计，是目前比较主流的生产方式。传统的黄光制程工艺是对感应器的ITO层采用曝光显影的制作方法，对金属层采用银浆印刷的方法，这样的工艺需要两次图像成型，工序较为复杂，对上下层图形的对位精准度要求较高，金属层线宽较大，优良率低。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述存在问题，提供一种简化工艺、提高产品优良率、降低生产成本的菲林结构电容式触摸屏感应器线路图的制作方法及其制成的产品。本专利技术的目的是这样实现的:菲林结构电容式触摸屏感应器线路图的一体成型制作方法，包括以下步骤: a)、裁切预定尺寸的镀铜ITO； b)、涂布:在镀铜ITO表面上涂敷液态光刻胶，并烘烤固化为光阻层； C)、曝光:采用光罩对涂上光阻层的镀铜ITO进行曝光； d)、显影:将曝光后的镀铜ITO进行显影； e)、蚀刻金属层:将显影后的镀铜ITO进行金属图案蚀刻； f)、蚀刻ITO层；将蚀刻出金属图案后的镀铜ITO进行ITO图案蚀刻； g)、剥膜:将蚀刻后的镀铜ITO的光阻层进行剥离。本专利技术的菲林结构电容式触摸屏感应器线路图的一体成型制作方法， 所述的步骤b)的涂布光刻胶厚度为4-7um，在120-130°C的高温下烘烤，使光刻胶中的溶剂挥发并凝固在镀铜ITO表面； 所述的步骤c)的曝光是在黄光环境下，有效波长范围为200-400nm的紫外线从光罩面向光阻层和镀铜ITO的垂直方向照射，对光阻层和镀铜ITO的曝光能量范围为200-300j/cm2 ； 所述的步骤d)的显影是在黄光环境下，将曝光后的光阻层和镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的碱液中进行显影，该显影过程中用的碱液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，其碱液浓度为0.1-1.0%wt，温度为20~25°C，浸泡时间为50±20s ；所述的步骤e)的蚀刻金属层是将显影后的光阻层和镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的酸性液体蚀刻铜膜，蚀刻过程所用的溶液是双氧水，溶液浓度为5-6%wt，温度为30-40°C之间，浸泡时间为50±30 s ； 所述的步骤f)蚀刻ITO层是将蚀刻后的光阻层和镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的酸液中进行蚀刻镀铜ITO膜，蚀刻过程使用的酸液是硝酸或盐酸,其酸液浓度为20±2%wt，温度为30-50°C，浸泡时间为50±30s ; 所述的步骤g)剥膜是将蚀刻出金属图案后的镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的碱液中进行剥膜，剥膜过程使用的碱液是氢氧化钠或碳酸钠溶液，其碱液浓度为2±0.5%wt，温度为30±5°C，浸泡时间为40±10 S。本专利技术，具有如下积极效果: 1)、采用一次曝光将ITO层图案和金属层图案同时记录在铜膜ITO上，再利用两种不同的药水对ITO层和金属层分别进行蚀刻，使两层图案一体成型，解决了传统黄光制程工艺图案需要两次成型的问题，因而，提高了菲林结构电容式触摸屏的产品优良率，降低了生产成本，具有较高的性价比优势； 2)、金属层不采用银浆印刷而改用曝光显影的方法，令其线宽和线距可以达到0.04mm,同时解决了传统丝印绝缘油方法的图案不精确导致电容式触摸屏线性度不好的问题。所以，本专利技术，具有突出的实质性特点和显著的积极效果。本专利技术，具有简化工艺、提高产品优良率、降低生产成本的优点。下面实施例结合【附图说明】对本专利技术作进一步的说明。【附图说明】图1是本专利技术菲林结构电容式触摸屏的触控感应器线路图的制作方法流程图； 图2是传统的黄光工艺菲林结构电容式触摸屏的触控感应器线路图的制作方法流程图。【具体实施方式】实施例1:一种菲林结构电容式触摸屏感应器线路图的一体成型制作方法，包括以下步骤: a)、裁切预定尺寸的镀铜ITO； b)、涂布:在镀铜ITO表面上涂布光刻胶，厚度为4-7 um，在120-l30°C的高温下烘烤，使光刻胶中的溶剂挥发并凝固在镀铜ITO表面而固化为光阻层； C)、曝光:采用光罩对涂上光阻层的镀铜ITO进行曝光，在黄光环境下，有效波长范围为200-400nm的紫外线从光罩面向光阻层和镀铜ITO的垂直方向照射，对光阻层和镀铜ITO的曝光能量范围为200-300j/cm2 ； d)、显影:在黄光环境下，将曝光后的光阻层和镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的碱液中进行显影，该显影过程中用的碱液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，其碱液浓度为0.1~1.0%wt，温度为20~25°C，浸泡时间为50±20s ； e)、蚀刻金属层:将显影后的镀铜ITO进行金属图案蚀刻，是将显影后的光阻层和镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的酸性液体蚀刻铜膜，蚀刻过程所用的溶液是双氧水，溶液浓度为5~6%wt，温度为3(T40°C之间，浸泡时间为50±30 s ； f)、蚀刻ITO层；将蚀刻出金属图案后的镀铜ITO进行ITO图案蚀刻，是将蚀刻后的光阻层和镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的酸液中进行蚀刻镀铜ITO膜，蚀刻过程使用的酸液是硝酸或盐酸，其酸液浓度为20±2%wt，温度为3(T50°C，浸泡时间为50±30s ； g)、剥膜:将蚀刻后的镀铜ITO的光阻层进行剥离，是将蚀刻出金属图案后的镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的碱液中进行剥膜，剥膜过程使用的碱液是氢氧化钠或碳酸钠溶液，其碱液浓度为2±0.5%wt，温度为30±5°C，浸泡时间为40±10 S。实施例2:—种菲林结构电容式触摸屏感应器的线路图，由以下步骤一体成型制成: a)、裁切预定尺寸的镀铜ITO； b)、涂布:在镀铜ITO表面上涂布光刻胶，厚度为4~7ιιπι，在12(Tl30°C的高温下烘烤，使光刻胶中的溶剂挥发并凝固在镀铜ITO表面而固化为光阻层； C)、曝光:采用光罩对涂上光阻层的镀铜ITO进行曝光，在黄光环境下，有效波长范围为20(T400nm的紫外线从光罩面向光阻层和镀铜ITO的垂直方向照射，对光阻层和镀铜ITO的曝光能量范围为20(T300j/cm2 ； d)、显影:在黄光环境下，将曝光后的光阻层和镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的碱液中进行显影，该显影过程中用的碱液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，其碱液浓度为0.1~1.0%wt，温度为20 ~25°C，浸泡时间为50±20s ； e)、蚀刻金属层:将显影后的镀铜ITO进行金属图案蚀刻，是将显影后的光阻层和镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的酸性液体蚀刻铜膜，蚀刻过程所用的溶液是双氧水，溶液浓度为5~6%wt，温度为3(T40°C之间，浸泡时间为50±30 s ； f)、蚀刻ITO层；将蚀刻出金属图案后的镀铜ITO进行ITO图案蚀刻，是将蚀刻后的光阻层和镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的酸液本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种菲林结构电容式触摸屏感应器线路图的一体成型制作方法，包括以下步骤：a）、裁切预定尺寸的镀铜ITO；b）、涂布：在镀铜ITO表面上涂敷液态光刻胶，并烘烤固化为光阻层；c）、曝光：采用光罩对涂上光阻层的镀铜ITO进行曝光；d）、显影：将曝光后的镀铜ITO进行显影；e）、蚀刻金属层：将显影后的镀铜ITO进行金属图案蚀刻；f）、蚀刻ITO层；将蚀刻出金属图案后的镀铜ITO进行ITO图案蚀刻；g）、剥膜：将蚀刻后的镀铜ITO的光阻层进行剥离。
【技术特征摘要】
1.一种菲林结构电容式触摸屏感应器线路图的一体成型制作方法，包括以下步骤: a)、裁切预定尺寸的镀铜ITO； b)、涂布:在镀铜ITO表面上涂敷液态光刻胶，并烘烤固化为光阻层； C)、曝光:采用光罩对涂上光阻层的镀铜ITO进行曝光； d)、显影:将曝光后的镀铜ITO进行显影； e)、蚀刻金属层:将显影后的镀铜ITO进行金属图案蚀刻； f)、蚀刻ITO层；将蚀刻出金属图案后的镀铜ITO进行ITO图案蚀刻； g)、剥膜:将蚀刻后的镀铜ITO的光阻层进行剥离。2.根据权利要求1所述的一体成型制作方法，其特征在于: 所述的步骤b)的涂布光刻胶厚度为4~7um，在120~130°C的高温下烘烤，使光刻胶中的溶剂挥发并凝固在镀铜ITO表面； 所述的步骤c)的曝光是在黄光环境下，有效波长范围为20(T400nm的紫外线从光罩面向光阻层和镀铜ITO的垂直方向照射，对光阻层和镀铜ITO的曝光能量范围为20(T300j/cm2 ； 所述的步骤d)的显影是在黄光环境下，将曝光后的光阻层和镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的碱液中进行显影，该显影过程中用的碱液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，其碱液浓度为0.1~1.0%wt，温度为20~25°C，浸泡时间为50±20s ； 所述的步骤e)的蚀刻金属层是将显影后的光阻层和镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的酸性液体蚀刻铜膜，蚀刻过程所用的溶液是双氧水，溶液浓度为5~6%wt，温度为30~40°C之间，浸泡时间为50±30 s ； 所述的步骤f)蚀刻ITO层是将蚀刻后的光阻层和镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的酸液中进行蚀刻镀铜IT O膜，蚀刻过程使用的酸液是硝酸或盐酸，其酸液浓度为20±2%wt，温度为30~50°C，浸泡时间为50±30s ; 所述的步骤g)剥膜是将蚀刻出金属图案后的镀铜ITO浸泡在具有一定浓度和温度的碱液中进行剥膜，剥膜过程使用的碱液是氢氧化钠或碳酸钠溶液，其碱液浓度为2±0.5%wt，温度为30±5°C，浸泡时间为40±10 S。3.—种菲林结构电容式触摸屏感...
【专利技术属性】
技术研发人员：许明旭，曾昭杰，敖龙华，
申请(专利权)人：广东泰通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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