本发明专利技术涉及一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺，属于触摸屏制作技术领域，依次包括：裁切预定尺寸的镀铜ITO、涂布、曝光、显影、第一次蚀刻、第一次剥膜、油墨印刷、第二次蚀刻、第二次剥膜、绝缘印刷、银浆印刷工艺步骤，具有提高产品优良率、制作精度、平滑度、降低生产成本等优点，实现了单层多点的突破，回避了玻璃结构的单层多点（OGS）产品易碎裂、良品率低等缺点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于触摸屏制作
，具体涉及一种膜结构单层多点的电容式触摸屏 感应器制作工艺。
技术介绍
触摸屏是一种将感应信号转化为数字信号，实现人机交互的一种装置；其中电容 触摸屏是将手指或者导电介质在触摸时与基板上的电极间所产生的电容变化，通过驱动芯 片的数字转换，输出手指或者导电介质触控的坐标位置。目前电容触摸屏已经广泛应用于 手机，平板等领域。现在主流的电容式触摸屏结构有G+F、G+F2、OGS、on-cell、in-cell等 结构。其中，G+F的单层设计中，为了实现单层多点触控采用的图案设计无法满足在同一平 面内布线不交叉的条件，只能采用跳线的设计。目前单层多点的跳线设计存在制作精度较 低、平滑度不够、良品率低等缺点。 电容式触摸屏感应器的制造方法主要有印刷制程、镭雕制程和黄光制程等；印刷 制程工艺简单，设备成本较低，但其线路精度只能做到0. 1_，而且线性度较差，触控感应不 灵敏，不适合大尺寸的感应器制作；镭雕制程线路精度可达到0. 05mm，但存在工艺效率和 爆点问题，不适合复杂图形的批量生产；黄光制程线路精度可达到0. 〇4_，线性度良好，触 控感应灵敏，支持复杂图形的设计，是目前比较主流的生产方式。传统的黄光制程工艺是对 感应器的IT0层采用曝光显影的制作方法，对金属层采用银浆印刷的方法，这样的工艺需 要两次图像成型，工序较为复杂，对上下层图形的对位精准度要求较高，金属层线宽较大， 优良率低。 现有公开的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下 步骤：步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜；步骤B、曝光、显影；步骤C、第一次蚀 亥IJ、剥膜；步骤D、耐酸印刷；步骤E、第二次蚀刻、剥膜；步骤F、绝缘印刷；步骤G、覆膜分切。 该方法采用干膜工艺，干膜制程会产生膜渣的，造成污染物多，且产品的厚度会比较厚，费 用成本较高，精细的线路合格率降低，在制作中干膜制成容易存在毛边和裂痕，生产过程容 易影响良率等缺点；其次，干膜制成还会导致膜覆盖性能较差，产品的线宽距受到限制等缺 点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种基于一次曝光成型的膜结构触 摸屏感应器黄光工艺的单层多点方案，采用湿膜制作工艺，增强了膜的附着力，覆盖性能 好，改善了线宽线距，降低了产品厚度，提高单层多点类触摸屏产品的制作精度、平滑度、良 品率等。实现了单层多点的突破，回避了玻璃结构的单层多点（0GS)产品易碎裂、良品率 低等缺点；同时又区别于传统多次曝光的膜结构单层多点产品，相比之下更加节省材料，节 省工时，且不产生污染，厚度更薄；而且最终成品具有比普通膜结构单层多点更细的线宽线 距，优于同等线宽线距下的镭射工艺的线路平滑性。 为了实现上述目的，本专利技术提供的一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制 作工艺，依次包括以下步骤： 51、 涂布：在镀铜IT0膜表面上涂敷液态光阻剂，并烘烤使得所述液态光阻剂固化为光 阻层； 52、 曝光：对涂敷在镀铜IT0膜表面上的光阻层进行曝光； 53、 显影：将曝光后的镀铜IT0膜用碱性溶液显影； 54、 第一次蚀刻：将显影后的镀铜IT0膜用酸性溶液进行蚀刻，同时在镀铜金属层和 IT0膜上形成图案；本步骤利用酸性溶液同时对金属层和IT0进行蚀刻，在金属层和IT0上 都形成图案； 55、 第一次剥膜：将蚀刻后的镀铜IT0膜用碱性溶液去除镀铜IT0膜表面的光阻层； 56、 油墨印刷：在剥膜后的镀铜IT0膜上印刷耐酸油墨，经紫外灯照射下固化耐酸油 墨，以保护可视区外的经步骤S4蚀刻形成的金属线路图案； 57、 第二次蚀刻：将印刷耐酸油墨后的镀铜IT0膜用强氧化性溶液进行浸泡或喷淋，进 一步蚀刻可视区的金属层；利用第二次蚀刻，将进一步蚀刻可视区的金属层，使经过第一次 蚀刻后在金属层和IT0上形成图案更加精准； 58、 第二次剥膜：将经过步骤S7后的镀铜IT0膜用碱性溶液进行浸泡或喷淋，去除耐酸 油墨； 59、 绝缘印刷：在经过步骤S8后的镀铜IT0膜上印刷透明的绝缘油墨，并在紫外灯照射 下固化； S10、银浆印刷：在经过步骤S9后的镀铜IT0膜上印上导电银浆，并在紫外灯下固化形 成跳线，得到所述膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器。 进一步的，所述的步骤S1中涂敷液态光阻剂为正性光刻胶，厚度为4~7um，所述 烘烤固化温度为120~130°C。 更进一步的，所述的步骤S2的曝光是在黄光环境中，用波长为200~400nm的紫外 线垂直照射光阻层，曝光能量为200~300J/cm2。 更进一步的，所述步骤S3中显影温度为20~25°C，显影时间为50±20S ;所述碱性 溶液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，质量浓度为〇. 1~1.〇 %wt。 更进一步的，所述步骤S4中蚀刻温度为30~50°C，蚀刻时间为50±30S;所述酸性 溶液为硝酸或盐酸溶液，质量浓度为20 ± 2%wt。 更进一步的，所述步骤S5中剥膜温度为30±5°C，剥膜时间为40±10S;所述碱性 溶液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，质量浓度为2 ±0. 5%wt。 更进一步的，所述步骤S7中蚀刻温度为30~40°C，蚀刻时间为50±30S ;所述的强 氧化性溶液为双氧水，质量浓度为5~6%wt。 更进一步的，所述步骤S8中剥膜温度为30±5°C，剥膜时间为40±10s;所述碱性 溶液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，质量浓度为2±0. 5%wt。所述步骤S8中剥膜溶液同样可以 使用上述步骤S5中的剥膜溶液，且可以循环使用，减少污染，节省工业成本。 优选的，所述步骤S6中的耐酸油墨为日本互应化学工业株式会社的型号为 TPER-194B-2的耐酸油墨；所述步骤S9中的绝缘油墨为为日本东洋纺绩株式会社的型号 为FR-200C-4的绝缘油墨；所述步骤S10中的导电银浆为日本东洋纺绩株式会社的型号为 DW-440L-29C的导电银浆。 本专利技术的有益效果：（1)与传统多次曝光工艺相比，本专利技术采用一次曝光成型工 艺实现单层多点膜结构，节省了工序；（2)经首次蚀刻后用绝缘油墨保护可视区外的金属 线路，进行再次蚀刻，提高了金属线路的制作精度、平滑度，使产品具有比普通膜结构单层 多点更细的线宽线距；（3)本工艺采用绝缘印刷和银浆印刷的湿制程，实现了单层多点的 突破，回避了玻璃结构的单层多点（0GS)产品易碎裂、良品率低等缺点，且不产生污染，产品 厚度更薄；（4)本工艺中前后两次的剥膜溶液可以通用，且可以循环使用，减少污染，节省 成本。【具体实施方式】 下面具体的实施例对本专利技术作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本 专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。 实施例1 本专利技术提供的一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺，依次包括以下步 骤：裁切预定尺寸的镀铜IT0膜后，进行如下步骤； 51、 涂布：在镀铜IT0膜表面上涂敷液态光阻剂，所述液态光阻剂为苏州瑞红电子化 学品有限公司生产的型号为RZJ-2500正性光刻胶，涂敷液态光阻剂的厚度为4um，并在 120°C下烘烤，使光阻剂固化，凝固在镀铜IT0表面形成光阻层；利用高温固化光阻剂使其 溶剂挥发，不影响光阻剂的效果； 52、 曝光：对涂敷在镀铜本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器制作工艺，其特征在于，依次包括以下步骤：S1、涂布：在镀铜ITO膜表面上涂敷液态光阻剂，并烘烤使得所述液态光阻剂固化为光阻层；S2、曝光：对涂敷在镀铜ITO膜表面上的光阻层进行曝光；S3、显影：将曝光后的镀铜ITO膜用碱性溶液显影；S4、第一次蚀刻：将显影后的镀铜ITO膜用酸性溶液进行蚀刻，同时在镀铜金属层和ITO膜上形成图案；S5、第一次剥膜：将蚀刻后的镀铜ITO膜用碱性溶液去除镀铜ITO膜表面的光阻层；S6、油墨印刷：在剥膜后的镀铜ITO膜上印刷耐酸油墨，经紫外灯照射下固化耐酸油墨，以保护可视区外的经步骤S4蚀刻形成的金属线路图案；S7、第二次蚀刻：将印刷耐酸油墨后的镀铜ITO膜用强氧化性溶液进行浸泡或喷淋，进一步蚀刻可视区的金属层；S8、第二次剥膜：将经过步骤S7后的镀铜ITO膜用碱性溶液进行浸泡或喷淋，去除耐酸油墨；S9、绝缘印刷：在经过步骤S8后的镀铜ITO膜上印刷透明的绝缘油墨，并在紫外灯照射下固化；S10、银浆印刷：在经过步骤S9后的镀铜ITO膜上印上导电银浆，并在紫外灯下固化形成跳线，得到所述膜结构单层多点的电容式触摸屏感应器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许明旭，敖龙华，曾昭杰，
申请(专利权)人：广东泰通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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