一种跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片，包括芯片基底，所述芯片基底上加工有微结构阵列，所述微结构阵列表面镀有两层金属膜；本发明专利技术还公开了一种制备跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片的方法，首先选取适合的芯片基底材料，然后在所选基底材料表面加工微结构阵列，最后在微结构阵列表面依次镀两层金属膜。本发明专利技术的跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片具有跨尺度多级结构，芯片基底的微米级结构与金属纳米级岛膜结构之间的协同作用以及两层金属膜的双金属协同作用，使该芯片集多重拉曼增强因子于一身，具有超高的分析灵敏度；本发明专利技术制备拉曼芯片的方法简单，重复性高，易于实现规模化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种拉曼芯片及其制备方法，特别涉及。
技术介绍
入射光与物质分子相互作用时弓I起分子做受迫振动从而产生散射光，其中散射光的频率和入射光的频率相同的谱线是瑞利散射，散射光的频率和入射光的频率不同的谱线是拉曼散射。拉曼散射光谱是特征指纹光谱，与物质分子的振动、转动能级有关，能反映被测物质的分子组成和结构形态，是分析物质结构的有力工具；但由于拉曼光谱的信号强度非常弱，因而其检测灵敏度低，致使拉曼光谱在很长一段时间内没有得到很好的应用。表面增强拉曼光谱技术的出现，极大地改善了这一状况。当物质分子吸附在粗糙的金属表面时，表面局域等离子激元被激发引起的电磁增强(即物理增强)，以及粗糙表面上的原子簇与吸附其上的分子形成拉曼增强的活性点(即化学增强)，这两者的作用使被测物的拉曼散射产生极大的增强效应，其增强因子可达IO3?107。研究表明，双金属复合纳米结构与单组份金属纳米结构相比，具有独特的电子学和光学性质能够增强拉曼光谱检测效果。目前，双金属复合纳米材料主要采用化学合成法制备，该方法在制备过程中存在金属纳米材料的形状和尺寸较难控制的缺陷，因而难以实现规模化生产，无法满足大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片，包括芯片基底（1），其特征在于：所述芯片基底（1）上加工有微结构阵列，所述微结构阵列表面依次镀有两层金属膜（2）和（3）。

【技术特征摘要】
1.一种跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片，包括芯片基底(1)，其特征在于:所述芯片基底(I)上加工有微结构阵列，所述微结构阵列表面依次镀有两层金属膜(2)和(3)。2.根据权利要求1所述跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片，其特征在于:所述芯片基底(I)材料为硅、玻璃、石英、聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯。3.根据权利要求1所述跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片，其特征在于:所述微结构阵列的微结构呈柱形、锥形、球形、三角形、金字塔形或倒金字塔形。4.根据权利要求3所述跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片，其特征在于:所述微结构阵列的微结构尺寸为0.5~100 μ m,阵列周期为0.5~100 μ m。5.根据权利要求1所述跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片，其特征在于:所述金属为 Au、Ag、Cu 或 Pt。6.根据权利要求1-5任意一项所述跨尺度双金属协同增强拉曼散射...

【专利技术属性】
技术研发人员：张炜，谢婉谊，陈昭明，黄昱，杜春雷，张华，汤冬云，何石轩，吴鹏，方绍熙，
申请(专利权)人：重庆绿色智能技术研究院，
类型：发明
国别省市：