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本发明公开了一种跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片，包括芯片基底，所述芯片基底上加工有微结构阵列，所述微结构阵列表面镀有两层金属膜；本发明还公开了一种制备跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片的方法，首先选取适合的芯片基底材料，然后在所选基底材料表...
该专利属于重庆绿色智能技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过重庆绿色智能技术研究院授权不得商用。

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