平面外移动限制结构制造技术

本发明专利技术包括用于限制平面外移动的结构和形成结构的方法。形成这样的结构的一个示例包括：提供包括在衬底材料(105,225)的表面上特定厚度的接合层(101,221)的第一晶片(100,220)；去除第一区域(103-1,103-2,223)中的所述接合层(101,221)以暴露所述衬底材料(105,225)的所述表面；将掩模施加到剩余接合层(109-1,109-4,229-1,229-3)的至少一部分和所述衬底材料在所述第一区域(109-2,109-3,229-2)中的暴露表面的一部分以形成暴露于所述衬底材料(105,225)的所述表面上的第二区域；蚀刻所述第二区域以在所述衬底材料(105,225)和所述接合层(101,221)中形成腔(110,230)；以及通过所述蚀刻在所述腔(110,230)中形成用于限制平面外移动的结构(113-1,113-2,233)，其中所述结构(113-1,113-2,233)离所述腔(115,235)的底部具有由所述接合层(101,221)的所述特定厚度所确定的特定高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】平面外移动限制结构
技术介绍
微机电结构(MEMS)包括能够使用半导体处理技术制造的传感器和致动器。各种 MEMS设备(例如，传感器和致动器)包括用来实现和/或检测位置改变或表面之间的分离 的静电、磁和/或其他元件(例如，电极)。MEMS传感器和致动器能够例如通过将晶片接合 在一起来形成。例如，诸如灵敏度、可靠性和/或耐久性之类的传感器和致动器的特性能够 取决于维持相邻表面之间的距离。【附图说明】图1A-1E图示了与依照本公开的示例形成平面外移动限制结构相关联的处理步骤。图2A-2E图示了与依照本公开的另一示例形成平面外移动限制结构相关联的处理步骤。图3是图示了根据本公开的示例包括接合晶片结构的MEMS传感器的原理图。 【具体实施方式】在本文中描述了平面外移动限制结构和形成平面外移动限制结构的方法。形成平 面外移动限制结构的一个示例包括提供在衬底材料的表面上包括特定厚度的接合层(bond layer)的第一晶片并且去除第一区域中的接合层以暴露衬底材料的表面。形成平面外移动 限制结构包括将掩模施加到剩余接合层的至少一部分和衬底材料在第一区域中的暴露表 面的一部分以形成暴露于衬底材料的表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成用于限制平面外移动的结构的方法，所述方法包括：提供包括在第一衬底材料的表面上特定厚度的接合层的第一晶片；去除第一区域中的所述接合层以暴露所述第一衬底材料的所述表面；将掩模施加到剩余接合层的至少一部分和所述第一衬底材料在所述第一区域中的暴露表面的一部分以形成暴露于所述第一衬底材料的所述表面上的第二区域；蚀刻所述第二区域以在所述第一衬底材料和所述接合层中形成腔；以及通过所述蚀刻在所述腔中形成用于限制平面外移动的所述结构，其中所述结构离所述腔的底部具有由所述接合层的所述特定厚度所确定的特定高度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成用于限制平面外移动的结构的方法，所述方法包括:提供包括在第一衬底材料的表面上特定厚度的接合层的第一晶片；去除第一区域中的所述接合层以暴露所述第一衬底材料的所述表面；将掩模施加到剩余接合层的至少一部分和所述第一衬底材料在所述第一区域中的暴露表面的一部分以形成暴露于所述第一衬底材料的所述表面上的第二区域；蚀刻所述第二区域以在所述第一衬底材料和所述接合层中形成腔；以及通过所述蚀刻在所述腔中形成用于限制平面外移动的所述结构，其中所述结构离所述腔的底部具有由所述接合层的所述特定厚度所确定的特定高度。2.根据权利要求1所述的方法，包括所述腔具有从所述腔的所述底部到所述接合层的顶面确定的特定深度。3.根据权利要求2所述的方法，包括通过确定所述接合层的所述特定厚度与所述腔的所述特定深度之间的差来确定所述结构离所述腔的所述底部的所述特定高度。4.根据权利要求1所述的方法，包括去除所述掩模以暴露所述接合层的顶面和用于限制平面外移动的所述结构的顶部。5.根据权利要求4所述的方法，包括将第二晶片接合到所述接合层的所述顶面。6.根据权利要求5所述的方法，包括针对微机电结构(MEMS)通过蚀穿所述第二晶片来形成质量块、挠曲悬挂以及锚框架。7.根据权利要求6所述的方法，包括使用电极以便通过电容耦合来检测所述质量块自所述第二晶片的xy平面中的静息位置起的移动。8.根据权利要求7所述的方法，包括限制所述质量块在z方向上的平面外移动使得所述移动通过所述结构的所述特定高度而被限制于所述接合层的所述特定厚度。9.一种微机电结构(MEMS),包括:晶片，其包括在第一衬底材料的表面上特定厚度的接合层，其中在一些第一区域中缺少所述接合层以暴露所述衬底材料的所述表面；可除去掩模，其被施加来覆盖剩余接合层的至少一部分和所述衬底材料在所述一些第一区域中的所述暴露表面的一部分以形成暴露于所述衬底材料的所述表面上的一些无覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：DJ米利根，RL阿利，PG哈特威尔，RG沃姆斯利，
申请(专利权)人：惠普发展公司，有限责任合伙企业，
类型：
国别省市：