低静态功耗快速瞬态响应的无输出电容LDO电路制造技术

一种低静态功耗快速瞬态响应的无输出电容LDO电路，所述无输出电容LDO电路包括一基准电压模块、一与所述基准电压模块相连的电压缓冲器、一环路补偿网络、一LDO输出级调整管、一与所述基准电压模块、所述电压缓冲器、所述环路补偿网络及所述LDO输出调整管相连的高摆率电流拉拽式LDO驱动级，所述基准电压模块和电压缓冲器为所述无输出电容LDO电路提供输出电压的缓冲级电压，所述高摆率电流拉拽式LDO驱动级为所述无输出电容LDO电路实现无输出电容、低静态功耗及快速瞬态响应特性。本发明专利技术提高了无输出电容LDO的瞬态响应特性。

【技术实现步骤摘要】
低静态功耗快速瞬态响应的无输出电容LDO电路
本专利技术涉及低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator, LD0)的设计,具体涉及一种基于CMOS工艺的低静态功耗快速瞬态响应特性的无输出电容LDO电路。
技术介绍
集成稳压器正向着高功率密度、高可靠性、高效率三个方向迈进，低压差线性稳压器(LDO)作为其中的一员，被越来越广泛地应用到便携式电子产品中，并向着片上系统(System on Chip，S0C)集成的方向发展。但是，传统的LDO需要挂载大的输出电容来满足其环路稳定性和负载瞬态响应要求，而这种大电容是不能通过片上集成的。为了达到片上集成、减少芯片外部器件进而节省成本的目的，无需挂载输出电容型LDO应运而生。但是，与传统的LDO相比，无输出电容型LDO在瞬态特性上存在着较大缺陷，其瞬态特性是其设计中的最大挑战。现阶段用于增强LDO瞬态特性的技术主要包括:零点补偿技术、调整管栅极驱动技术、负载电流泻放技术、负载电流复制技术。这些技术直接或者间接的提高了压摆率和环路带宽，并增强了 LDO的瞬态响应速度。其中，零点补偿技术和复杂电流泄放技术还是不能满足负载的快本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低静态功耗快速瞬态响应的无输出电容LDO电路，其特征在于：所述无输出电容LDO电路包括一基准电压模块、一与所述基准电压模块相连的电压缓冲器、一环路补偿网络、一LDO输出级调整管、一与所述基准电压模块、所述电压缓冲器、所述环路补偿网络及所述LDO输出调整管相连的高摆率电流拉拽式LDO驱动级，所述基准电压模块与所述电压缓冲器为所述无输出电容LDO电路提供一输出电压的缓冲级电压，所述高摆率电流拉拽式LDO驱动级为所述无输出电容LDO电路实现低功耗和无输出电容情形下的快速瞬态响应特性。

【技术特征摘要】
1.一种低静态功耗快速瞬态响应的无输出电容LDO电路，其特征在于:所述无输出电容LDO电路包括一基准电压模块、一与所述基准电压模块相连的电压缓冲器、一环路补偿网络、一 LDO输出级调整管、一与所述基准电压模块、所述电压缓冲器、所述环路补偿网络及所述LDO输出调整管相连的高摆率电流拉拽式LDO驱动级，所述基准电压模块与所述电压缓冲器为所述无输出电容LDO电路提供一输出电压的缓冲级电压，所述高摆率电流拉拽式LDO驱动级为所述无输出电容LDO电路实现低功耗和无输出电容情形下的快速瞬态响应特性。2.如权利要求1所述的低静态功耗快速瞬态响应的无输出电容LDO电路，其特征在于:所述电压缓冲器包括一电压放大器、一与所述电压放大器相连的第一 P型场效应管ΜΡ0、一与所述第一 P型场效应管MPO相连的电阻R2、一与所述电压放大器及所述电阻R2相连的电阻R1、一与所述P型场效应管MPO及所述电阻R2相连的电容Cl。3.如权利要求1所述的低静态功耗快速瞬态响应的无输出电容LDO电路，其特征在于:所述LDO输出调整管为P型场效应管MPP，所述高摆率电流拉拽式LDO驱动级为LDO驱动级A04.如权利要求1所述的低静态功耗快速瞬态响应的无输出电容LDO电路，其特征在于:所述LDO输出调整管为N型场效应管MPN，所述高摆率电流拉拽式LDO驱动级为LDO驱动级B05.如权利要求3所述的低静态功耗快速瞬态响应的无输出电容LDO电路，其特征在于:所述LDO驱动级A包括一与所述基准电压模块相连的N型场效应管ΜΝ0Α、一与所述基准电压模块及N型场效应管MNOA相连的N型场效应管ΜΝ0Β、一与所述N型场效应管MNOA及所述P型场效应管MPP相连的P型场效应管MP1B、一与所述N型场效应管MNO...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：成都锐成芯微科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：