电压产生系统及其存储器元件技术方案

本发明专利技术公开了一种电压产生系统及其存储器元件。该电压产生系统包含一第一内部电压调节器及一第一基板偏压控制选择器。该内部电压调节器经配置以供应一第一电流以下拉一内部供应电压至一调节电平，并保持于该调节电平。该第一基板偏压控制选择器经配置以接收一电源启动模式信号、一调节模式信号及一基板偏置电压，该第一基板偏压控制选择器参酌该电源启动模式信号及该调节模式信号，在该基板偏置电压小于一第一预定电压时控制该第一内部电压调节器启动电源并正常运作，在该基板偏置电压大于或等于该第一预定电压时，该第一内部电压调节器被禁能。本发明专利技术可有效地将基板偏置电压控制于无法引发闭锁现象的范围。

【技术实现步骤摘要】
电压产生系统及其存储器元件
本专利技术涉及一种存储器元件，特别涉及一种电压产生系统及其存储器元件。
技术介绍
互补式金属氧化物半导体(CMOS)集成电路易受寄生电路效应(即闭锁现象)的影响。闭锁现象导致供应电压与接地之间形成短路，其结果为晶片损坏。图1例示现有的CMOS集成电路的剖示图。该CMOS集成电路形成于一 P型基板102，其具有一 η型阱区104。该η型阱区104具有一接点106，其耦接于一内部供应电压Vint ;该P型基板102具有一接点120，其耦接于一接地电压Vss。该CMOS集成电路包含一PMOS晶体管110及一 NMOS晶体管116，该PMOS晶体管110设置于该η型阱区104，该NMOS晶体管116设置于P型基板102。该PMOS晶体管110具有一 ρ+区112，耦接于该内部供应电压Vint ;该NMOS晶体管116具有η.区118，耦接于该接地电压Vss。该CMOS集成电路的寄生电路包含一 PNP双载子接合晶体管124、一 NPN双载子接合晶体管126、一阱区电阻122及一基板电阻128。该PNP晶体管124的射极、基极、集极分别由该PMOS晶体管110本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压产生系统(4)，包含：一第一内部电压调节器(40)，经配置以供应一第一电流以下拉一内部供应电压至一调节电平，并保持于该调节电平；以及一第一基板偏压控制选择器(42)，经配置以接收一电源启动模式信号、一调节模式信号及一基板偏置电压，该第一基板偏压控制选择器(42)参酌该电源启动模式信号及该调节模式信号，在该基板偏置电压小于一第一预定电压时控制该第一内部电压调节器启动电源并正常运作，在该基板偏置电压大于或等于该第一预定电压时，该第一内部电压调节器(40)被禁能，其中该基板偏置电压依施加于一基板(6)，该第一预定电压小于或等于该基板(6)的一p?n接合的一顺向偏压。

【技术特征摘要】
2012.07.31 US 13/563,3121.一种电压产生系统(4)，包含: 一第一内部电压调节器(40)，经配置以供应一第一电流以下拉一内部供应电压至一调节电平，并保持于该调节电平；以及 一第一基板偏压控制选择器(42),经配置以接收一电源启动模式信号、一调节模式信号及一基板偏置电压，该第一基板偏压控制选择器(42)参酌该电源启动模式信号及该调节模式信号，在该基板偏置电压小于一第一预定电压时控制该第一内部电压调节器启动电源并正常运作，在该基板偏置电压大于或等于该第一预定电压时，该第一内部电压调节器(40)被禁能，其中该基板偏置电压依施加于一基板(6)，该第一预定电压小于或等于该基板(6)的一 p-n接合的一顺向偏压。2.如权利要求1所述的电压产生系统(4)，其中该第一基板偏压控制选择器(42)包含: 一基板偏压电平检测器(423)，经配置以产生一检测信号，其代表该基板偏置电压是否小于该第一预定电压；以及 一逻辑控制电路(422)，经配置以接收该检测信号、该电源启动模式信号及该调节模式信号，并根据该检测信号而转送该电源启动模式信号及该调节模式信号至该第一内部电压调节器(40)，或传送禁能信号至该第一内部电压调节器(40)。3.如权利要求2所述的电压产生系统(4)，其中该基板偏压电平检测器(423)包含: 一电阻元件(R1),经配置以耦接一外部供应电压至一输出端，其输出该检测信号；以及 一开关元件(N1),经配置以在该基板偏置电压大于或等于该第一预定电压时，耦接该输出端至一接地电压(Vss)，其中该第一预定电压为该开关元件(N1)的启始电压。`4.如权利要求3所述的电压产生系统(4)，其中该开关元件(N1)为一NMOS晶体管(116)。5.如权利要求2所述的电压产生系统(4)，其中该逻辑控制电路(422)包含: 一第一 AND门，具有一第一输入端及一第二输入端，分别稱接于该检测信号及该电源启动模式信号，其中当该检测信号为一逻辑高电平时，该第一 AND门输出该电源启动模式信号，当该检测信号为一逻辑低电平时，该第一 AND门输出该禁能信号；以及 一第二 AND门，具有一第一输入端及一第二输入端，分别稱接于该检测信号及该调节模式信号，其中当该检测信号为该逻辑高电平时，该第二 AND门输出该调节模式信号，当该检测信号为该逻辑低电平时，该第二 AND门输出该禁能信号。6.如权利要求3所述的电压产生系统(4),其中该电源启动模式信号触发该第一内部电压调节器(40)在该内部供应电压及/或该外部供应电压小于该调节电平时，耦接该内部供应电压与该外部供应电压。7.如权利要求1所述的电压产生系统(4)，另包含一第二内部电压调节器(40’)，经配置以接收该电源启动模式信号及该调节模式信号，且参酌该电源启动模式信号及该调节模式信号，供应一第二电流以将该内部供应电压下拉至该调节电平并保持于该调节电平。8.如权利要求1所述的电压产生系统(4)，另包含: 一第三内部电压调节器(40 ’ ’)，经配置以供应一第三电流以将该内部供应电压下拉至该调节电平并保持于该调节电平；以及 一第二基板偏压控制选择器(42’)，经配置以接收该电源启动模式信号及该基板偏置电压，该第二基板偏压控制选择器(42’ )参酌该电源启动模式信号及该调节模式信号，在该基板偏置电压小于一第二预定电压时控制该第三内部电压调节器(40’’)启动电源并正常运作，且在该基板偏置电压大于或等于该第二预定电压时，该第三内部电压调节器(40’’ )被禁能，其中该第二预定电压小于该第一预定电压。9.如权利要求1所述的电压产生系统(4)，另包含一基板偏压泵(48)，经配置以产生该基板偏置电压。10.如权利要求1所述的电压产生系统(4)，另包含一电压箝制器(46)，经配置以将该基板偏置电压箝位于该接地电压。11.一种存储器元件，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈至仁，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：