有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件技术

本发明专利技术提供一种有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件，所述方法包括：步骤1、提供基板（20）；步骤2、在基板（20）上形成第一电极（21）；步骤3、在第一电极（21）与基板（20）上形成栅极绝缘层（22）；步骤4、在栅极绝缘层（22）上形成第二电极（23），该第二电极（23）包括第二金属层（224）及透明导电层（222）；步骤5、在第二电极（23）与栅极绝缘层（22）上形成氧化物半导体层（24）；步骤6、在氧化物半导体层（24）与第二电极（23）上形成有机平坦化层（25）；步骤7、以有机平坦化层（25）作为掩膜，蚀刻第二电极（23）的第二金属层（224），露出透明导电层（222），以形成透明电极（26）。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件
本专利技术涉及平面显示领域，尤其涉及一种有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件。
技术介绍
平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示器（LiquidCrystalDisplay，LCD）及有机电致发光器件（OrganicElectroluminescenceDevice，OELD），也称为有机发光二极管（OrganicLightEmittingDiode，OLED）。现有的液晶显示器一般为背光型液晶显示器，其包括：壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组（BacklightModule）。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转，从而将背光模组的光线折射出来产生画面。请参阅图1，现有的液晶显示面板一般包括：薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT）基板302，与薄膜晶体管基板302相对贴合设置的彩色滤光片（ColorFilter，CF）基板304，以及设于薄膜晶体管基板302与彩色滤光片基板304之间的液晶层306，薄膜晶体管基板302驱动液晶层306内的液晶分子转动，以显示相应的画面。有机电致发光器件具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示装置，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视机等领域。有机电致发光器件与传统的液晶显示器不同，其无需背光源，直接在玻璃基板上设置非常薄的有机材料涂层，当有电流通过时，这些有机材料涂层就会发光。现有的有机电致发光器件按驱动方式分类，包括：无源矩阵式有机发光二极管（Passive-matrixorganiclightemittingdiode，PMOLED）与有源矩阵式有机发光二极管（Active-matrixorganiclightemittingdiode，AMOLED），其中，请参阅图2，为现有的一种有源矩阵式有机发光二极管的剖面结构示意图，其包括：基板100、形成于基板100上的栅极101、形成于栅极101上的栅极绝缘层102、形成于栅极绝缘层102上的源/漏极103、形成于源/漏极103上的氧化物半导体层104、形成于氧化物半导体层104上的第一有机平坦化层105、形成于第一有机平坦化层105上的透明电极106及形成于第一有机平坦化层105与透明电极106上的第二有机平坦化层107，其中，所述透明电极106作为有机发光二极管的阳极，通过通道电性连接于所述源/漏极103上，在该透明电极106上蒸镀有机发光层（未图示）及阴极（未图示），并通过封装盖板（未图示）封装制得有源矩阵式有机发光二极管，其生产制程一般需要8～9道光罩，制程较为复杂，成本相对较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有机电致发光器件的制作方法，其制程简单，能有效降低生产成本。本专利技术的另一目的在于提供一种有机电致发光器件，其制程简单，厚度薄，生产成本较低。为实现上述目的，本专利技术提供一种有机电致发光器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1、提供基板；步骤2、在基板上形成第一金属层，并图案化该第一金属层，以形成第一电极；步骤3、在第一电极与基板上形成栅极绝缘层；步骤4、在栅极绝缘层上依次形成透明导电层与第二金属层，并图案化该第二金属层与透明导电层，以形成第二电极，该第二电极包括第二金属层及位于第二金属层下方的透明导电层；步骤5、在第二电极与栅极绝缘层上形成氧化物半导体层，图案化该氧化物半导体层；步骤6、在氧化物半导体层与第二电极上形成有机平坦化层，并图案化该有机平坦化层；步骤7、以有机平坦化层作为掩膜，蚀刻第二电极的第二金属层，露出透明导电层，以形成透明电极。还包括：步骤8、在有机平坦化层上形成间隔层；步骤9、在透明电极上蒸镀有机功能层与阴极；步骤10、提供封装盖板，并进行封装。所述步骤1包括：提供基板，进行清洗后，在基板上形成缓冲层。所述步骤2中，所述第一金属层形成于所述缓冲层上。所述第一金属层与第二金属层包含铝或钼中至少一种；所述透明导电层包含氧化铟锡或银中至少一种；所述基板与封装盖板均为玻璃基板。所述有机功能层包括形成于透明电极上的空穴传输层、形成于空穴传输层上的有机发光层、及形成于有机发光层上的电子传输层。本专利技术还提供一种有机电致发光器件，包括：基板、形成于基板上的第一电极、形成于第一电极与基板上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的第二电极、形成于第二电极与栅极绝缘层上的氧化物半导体层、形成于氧化物半导体层与第二电极上的有机平坦化层及位于栅极绝缘层上的透明电极，所述第二电极包括第二金属层及位于第二金属层下方的透明导电层，所述透明电极由透明导电层形成。还包括形成于基板与第一电极之间的缓冲层、形成于有机平坦化层上的间隔层、形成于透明电极上的有机功能层、形成于有机功能层上的阴极及与基板贴合设置的封装盖板。所述有机功能层包括形成于透明电极上的空穴传输层、形成于空穴传输层上的有机发光层、及形成于有机发光层上的电子传输层。所述第一电极与第二金属层包含铝或钼中至少一种；所述透明电极包含氧化铟锡或银中至少一种；所述基板与封装盖板均为玻璃基板。本专利技术的有益效果：本专利技术的有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件，通过第二金属层与透明导电层形成第二电极，有效降低了第二电极走线的阻抗，提升了有机电致发光器件的品质；并以有机平坦化层作为掩膜蚀刻第二电极的第二金属层，露出透明导电层，以形成透明电极，相比现有的制程，本专利技术的生产方法有效地简化了生产制程，降低了生产成本，且不需要形成第二平坦化层，有效降低了有机电致发光器件的厚度，利于实现薄型化。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，图1为现有的液晶显示面板的结构示意图；图2为现有的有源矩阵式有机发光二极管的剖面结构示意图；图3为本专利技术有机电致发光器件的制作方法的流程图；图4至图9为本专利技术有机电致发光器件的制作方法的制程图；图10为本专利技术有机电致发光器件的像素布局图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图3至图9，本专利技术提供一种有机电致发光器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1、提供基板20。所述基板20为透明基板，其可为玻璃基板、塑料基板等，在本实施例中，所述基板20为玻璃基板。步骤2、在基板20上形成第一金属层，并图案化该第一金属层，以形成第一电极21。在本实施例中，所述第一金属层包含铝或钼中至少一种；所述第一电极21为栅极。其具体形成工艺可为：在基板20上以溅镀的方式形成第一金属层，在第一金属层上形成一层感光（photo-sensitive）材料，该层感光材料即为所谓的光阻，然后使得光线通过光罩照射于光阻上以将该光阻曝光。由于光罩上具有第一电极21的图案，将使光线得本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供基板（20）；步骤2、在基板（20）上形成第一金属层，并图案化该第一金属层，以形成第一电极（21）；步骤3、在第一电极（21）与基板（20）上形成栅极绝缘层（22）；步骤4、在栅极绝缘层（22）上依次形成透明导电层（222）与第二金属层（224），并图案化该第二金属层（224）与透明导电层（222），以形成第二电极（23），该第二电极（23）包括第二金属层（224）及位于第二金属层（224）下方的透明导电层（222）；步骤5、在第二电极（23）与栅极绝缘层（22）上形成氧化物半导体层（24），图案化该氧化物半导体层（24）；步骤6、在氧化物半导体层（24）与第二电极（23）上形成有机平坦化层（25），并图案化该有机平坦化层（25）；步骤7、以有机平坦化层（25）作为掩膜，蚀刻第二电极（23）的第二金属层（224），露出透明导电层（222），以形成透明电极（26）。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供基板(20)；步骤2、在基板(20)上形成第一金属层，并图案化该第一金属层，以形成第一电极(21)；步骤3、在第一电极(21)与基板(20)上形成栅极绝缘层(22)；步骤4、在栅极绝缘层(22)上依次形成透明导电层(222)与第二金属层(224)，并图案化该第二金属层(224)与透明导电层(222)，以形成第二电极(23)，该第二电极(23)包括第二金属层(224)及位于第二金属层(224)下方的透明导电层(222)；步骤5、在第二电极(23)与栅极绝缘层(22)上形成氧化物半导体层(24)，图案化该氧化物半导体层(24)；步骤6、在氧化物半导体层(24)与第二电极(23)上形成有机平坦化层(25)，并图案化该有机平坦化层(25)；步骤7、以有机平坦化层(25)作为掩膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩佰祥，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：