本发明专利技术提供一种添加抑制生长剂生产阿尔法三氧化二铝微细晶粉的方法，生产方法如下：步骤1、取助烧剂95.24～96.16%、氧化镁1.92～2.86%、氟化镁1.9～1.92%混合均匀制成抑制生产剂待用；步骤2、取工业极氧化铝通过球磨机进行研磨，再经分级机筛选使细度D50达到1微米以下，筛选滤出的较粗料再经研究筛选；步骤3、取待用抑制生产剂，按步骤2粉料重量份0.03～0.5%比例加入搅拌均匀；步骤4、将上述搅拌均匀的原料加工为球形半成品，采用隧道窑通过1250℃温度煅烧；步骤5、将上述煅烧后的原料采用球磨机进行分散研磨，即生产为阿尔法三氧化二铝微细晶粉。本方法所生产的陶瓷原料由于采用添加抑制生产剂的科学方式，使原料在煅烧过程中不会膨胀，使之粉剂可获得1微米以内的细度，由此可让陶瓷产品的质量得到提高和优化，同时，可降低生产过程中电能的消耗。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，生产方法如下：步骤1、取助烧剂95.24～96.16%、氧化镁1.92～2.86%、氟化镁1.9～1.92%混合均匀制成抑制生产剂待用；步骤2、取工业极氧化铝通过球磨机进行研磨，再经分级机筛选使细度D50达到1微米以下，筛选滤出的较粗料再经研究筛选；步骤3、取待用抑制生产剂，按步骤2粉料重量份0.03～0.5%比例加入搅拌均匀；步骤4、将上述搅拌均匀的原料加工为球形半成品，采用隧道窑通过1250℃温度煅烧；步骤5、将上述煅烧后的原料采用球磨机进行分散研磨，即生产为阿尔法三氧化二铝微细晶粉。本方法所生产的陶瓷原料由于采用添加抑制生产剂的科学方式，使原料在煅烧过程中不会膨胀，使之粉剂可获得1微米以内的细度，由此可让陶瓷产品的质量得到提高和优化，同时，可降低生产过程中电能的消耗。【专利说明】
本专利技术涉及一种陶瓷原料的生产方法，具体的说是一种添加抑制生长剂生产阿尔法二氧化二招微细晶粉的方法。
技术介绍
现在陶瓷产品生产企业，所使用的原料都是阿尔法氧化铝微粉，这种原料是在工业极氧化铝粉的基础上，经研磨成细粉再经高温煅烧转相而产生的，但这种生产方式在细粉高温煅烧过程中会以几十倍的比例膨胀而无法达到所需要的细度，这给高质量高标准陶瓷产品生产带来了很大的难度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于有效解决生产微细晶粉存在的难度问题，提供一种，可有效控制高温煅烧过程中存在的膨胀而获取超细的原料晶粉。本专利技术包括括采用隧道窑通过1250°C温度煅烧，所采用的具体方法如下: 生产方法如下: 步骤1、取助烧剂95.24~96.16%、氧化镁1.92~2.86%、氟化镁1.9~1.92%混合均匀制成抑制生产剂待用； 步骤2、取工业极氧化铝通过球磨机进行研磨，再经分级机筛选使细度D50达到I微米以下，筛选滤出的较粗料再经研究筛选； 步骤3、取待用抑制生产剂，按步骤2粉料重量份0.03~0.5%比例加入搅拌均匀；步骤4、将上述搅拌均匀的原料加工为球形半成品，采用隧道窑通过1250°C温度煅烧；步骤5、将上述煅烧后的原料采用球磨机进行分散研磨，即生产为阿尔法三氧化二铝微细晶粉。本专利技术具有如下显著技术优势，通过在原料生产中添加了科学组合的抑制生产辅料，使氧化铝粉在高温煅烧过程中不会产生膨胀现象，由此再经分散研磨，即可获得超细度的晶粉原料，解决了传统生产方式中无法控制高温煅烧产生膨胀而不能生产超细晶粉的多年来存在的技术难点，具有工艺科学，有利优化和提高陶瓷成品质量水平和降低生产成本的显著特点。【具体实施方式】实施例1:以生产IOOKg陶瓷晶粉原料为计: 步骤1、取助烧剂95.25%、氧化镁2.85%、氟化镁1.9%混合均匀制成抑制生产剂待用；步骤2、取工业极氧化铝IOOKg通过球磨机进行研磨，再经分级机筛选使细度D50达到I微米以下，筛选滤出的较粗料再经研究筛选；步骤3、取待用抑制生产剂，按步骤2粉料重量份0.03%，计0.03Kg加入后搅拌均匀；步骤4、将搅拌均匀的原料加工为球形半成品，采用隧道窑通过1250°C温度煅烧；步骤5、将煅烧后的原料采用球磨机进行分散研磨，即生产成为阿尔法二氧化二招微细晶粉。实施例2:以生产200Kg陶瓷晶粉原料为计: 步骤1、取助烧剂95.6%、氧化镁2.5%、氟化镁1.9%混合均匀制成抑制生产剂待用；步骤2、取工业极氧化铝200Kg通过球磨机进行研磨，再经分级机筛选使细度D50达到I微米以下，筛选滤出的较粗料再经研究筛选；步骤3、取待用抑制生产剂，按步骤2粉料重量份0.2%，计0.2Kg加入后搅拌均匀；步骤4、将搅拌均匀的原料加工为球形半成品，采用隧道窑通过1250°C温度煅烧；步骤5、将煅烧后的原料采用球磨机进行分散研磨，即生产成为阿尔法二氧化二招微细晶粉。实施例3:以生产500Kg陶瓷晶粉原料为计: 步骤1、取助烧剂96.1%、氧化镁1.99%、氟化镁1.91%混合均匀制成抑制生产剂待用；步骤2、取工业极氧化铝500Kg通过球磨机进行研磨，再经分级机筛选使细度D50达到I微米以下，筛选滤出的较粗料再经研究筛选；步骤3、取待用抑制生产剂，按步骤2粉料重量份0.5%，计0.5Kg加入后搅拌均匀；步骤4、将搅拌均匀的原料加工为球形半成品，采用隧道窑通过1250°C温度煅烧；步骤5、将煅烧后的原料采用球磨机进行分散研磨，即生产成为阿尔法二氧化二招微 细晶粉。【权利要求】1.一种，包括采用隧道窑通过1250°C温度煅烧，其特征在于: 生产方法如下: 步骤1、取助烧剂95.24~96.16%、氧化镁1.92~2.86%、氟化镁1.9~1.92%混合均匀制成抑制生产剂待用； 步骤2、取工业极氧化铝通过球磨机进行研磨，再经分级机筛选使细度D50达到I微米以下，筛选滤出的较粗料再经研究筛选； 步骤3、取待用抑制生产剂，按步骤2粉料重量份0.03~0.5%比例加入搅拌均匀；步骤4、将上述搅拌均匀的原料加工为球形半成品，采用隧道窑通过1250°C温度煅烧；步骤5、将上述煅烧后的原料采用球磨机进行分散研磨，即生产为阿尔法三氧化二铝微细晶粉。`【文档编号】C01F7/02GK103553095SQ201310497768【公开日】2014年2月5日 申请日期:2013年10月22日 优先权日:2013年10月22日 【专利技术者】宋佑鹤, 张代德 申请人:襄阳市金控特种陶瓷科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种添加抑制生长剂生产阿尔法三氧化二铝微细晶粉的方法，包括采用隧道窑通过1250℃温度煅烧，其特征在于：生产方法如下：步骤1、取助烧剂95.24～96.16%、氧化镁1.92～2.86%、氟化镁1.9～1.92%混合均匀制成抑制生产剂待用；步骤2、取工业极氧化铝通过球磨机进行研磨，再经分级机筛选使细度D50达到1微米以下，筛选滤出的较粗料再经研究筛选；步骤3、取待用抑制生产剂，按步骤2粉料重量份0.03～0.5%比例加入搅拌均匀；步骤4、将上述搅拌均匀的原料加工为球形半成品，采用隧道窑通过1250℃温度煅烧；步骤5、将上述煅烧后的原料采用球磨机进行分散研磨，即生产为阿尔法三氧化二铝微细晶粉。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋佑鹤，张代德，
申请(专利权)人：襄阳市金控特种陶瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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