一种InGaN/Si三结太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种InGaN/Si三结太阳能电池，自下至上包括Si底电池、InxGa1-xN第一电池和InyGa1-yN第二电池，Si底电池的p-Si层上面至第一电池之间依次有AlN成核层和GaN缓冲层，第一电池和第二电池之间有隧道结，其特点是：所述Si底电池的n-Si衬底下面制有负电极；第二电池上面制有带正电极的半透明电流扩展层。本实用新型专利技术由于在底电池衬底下面直接蒸镀负电极，简化了工艺，降低了成本，还可当做反射镜使用，充分利用了太阳光谱、电池总转换效率可达40%以上；通过蒸镀半透明电流扩展层，加强了正电极对载流子的收集，提高了电池的抗辐射能力，延长了电池的使用寿命。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种InGaN/Si三结太阳能电池，自下至上包括Si底电池、InxGa1?xN第一电池和InyGa1?yN第二电池，Si底电池由n?Si衬底和p?Si层构成；所述p?Si层上面至InxGa1?xN第一电池之间依次有AlN成核层和GaN缓冲层，InxGa1?xN第一电池和InyGa1?yN第二电池之间有隧道结，其特征在于：所述n?Si衬底下面制有负电极；所述InyGa1?yN第二电池上面制有半透明电流扩展层、半透明电流扩展层上制有正电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张启明，王帅，高鹏，吴艳梅，刘如彬，孙强，肖志斌，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：实用新型
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